公开(公告)号：CN107068802A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611242271.3

申请日：2016-12-29

Applicant: 中建材浚鑫科技股份有限公司

Inventor： 钱小芳

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  C30B33/10

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1876 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/0201

Abstract: 本发明提供了提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，包括一容纳有恒温水的恒温槽及设置于恒温槽内的传输滚轮，所述传输滚轮置于所述恒温水下，待刻蚀硅片置于所述传输滚轮上，所述传输滚轮转动，带动所述待刻蚀硅片运动，所述装置还包括一与所述恒温槽的出口端联通的恒温风干机构。本发明的有益效果体现在：将需要刻蚀的多晶硅片预先保持在温度为8‑10℃，与刻蚀槽温度相当，可以大大提高多晶硅片绒面的片内均匀性与片间均匀性，降低电池片的色差片比例，提高电池片的合格率。

公开(公告)号：CN106971940A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201710305456.2

申请日：2017-05-03

Applicant: 冯晓栋

Inventor： 冯晓栋

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0201 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/02082 ,  H01L33/005

Abstract: 本发明涉及一种LED灯具生产装置，尤其涉及一种用于LED灯具生产的外延片硅渣刮除装置。本发明要解决的技术问题是提供一种能够节约原料，能够减少经济损失，能够保护环境的用于LED灯具生产的外延片硅渣刮除装置。为了解决上述技术问题，本发明提供了这样一种用于LED灯具生产的外延片硅渣刮除装置，包括有桌面、支腿、L形板、电机、转轴、吸盘、缸体、第一气管、第一气缸、活塞板、后侧板、第一滑轨、第一滑块等；桌面的底部连接有支腿，桌面的中部开有第一开口。本发明通过刮刀将外延片上的硅渣刮除使外延片能够满足LED灯具的后续生产，使外延片不被报废，从而达到了够节约原料，能够减少经济损失。

公开(公告)号：CN105702564A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610186873.5

申请日：2016-03-29

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 雷通 ,  易海兰 ,  周海锋

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0201

Abstract: 本发明公开了一种改善晶圆翘曲度的方法，通过先在晶圆上沉积应力薄膜，然后通过光刻工艺对晶圆进行图形化，用光刻胶将特定区域的应力薄膜保护起来，再对晶圆进行离子注入工艺，使得特定方向上的应力得以释放，从而能够对晶圆特定方向上的翘曲度进行针对性调整，将晶圆的整体翘曲度控制在合理的范围内。

公开(公告)号：CN103608899B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201280030546.0

申请日：2012-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L21/304 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/28 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/34 ,  H01L29/36 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  Y10T428/21

Abstract: 提供了能够实现降低在形成外延膜或半导体元件的步骤中产生的缺陷的概率的衬底、包括该衬底的半导体器件和制造半导体器件的方法。衬底（1）是具有前表面和背表面的衬底（1），其中，前表面的至少一部分由单晶碳化硅构成，衬底具有不大于0.5nm的在前表面处的表面粗糙度Ra的平均值，该表面粗糙度Ra的标准偏差σ不大于0.2nm，不小于0.3nm并且不大于10nm的在背表面处的表面粗糙度Ra的平均值，并且该表面粗糙度Ra的标准偏差σ不大于3nm，以及不小于110mm的前表面的直径。

公开(公告)号：CN105140362A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510354411.5

申请日：2015-06-25

Applicant: 江苏苏创光学器材有限公司

Inventor： 苏凤坚 ,  刘俊 ,  郝正平

IPC: H01L33/16 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明涉及一种蓝宝石LED灯丝基板的生产方法，具体步骤包括晶体掏棒、晶体切割、研磨、倒角、退火、双面抛光、激光取片、刷银等工序；本发明的蓝宝石LED灯丝基板的生产方法成片质量高，废品率低，生产效率高。

公开(公告)号：CN104781454A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380055415.2

申请日：2013-03-13

Applicant: 希波特公司 ,  首尔半导体股份有限公司

Inventor： 桥本忠朗

IPC: C30B7/10 ,  C30B29/40 ,  H01L21/66 ,  G01N23/201

CPC classification number: G01N23/207 ,  B24B37/044 ,  C01B21/0632 ,  C01P2002/74 ,  C30B7/105 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明在一种情况中提供第III族氮化物晶片，其是从第III族氮化物锭块切割，经抛光以去除表面损坏层并经x射线衍射测试。使x射线入射束以小于15度的角度辐照，并评估衍射峰强度。通过这种测试的第III族氮化物晶片具有足以用于装置制造的表面质量。本发明在一种情况中还提供通过以下方式产生第III族氮化物晶片的方法：切割第III族氮化物锭块、抛光所述晶片的至少一个表面，并用相对于所述表面的入射束角度小于15度的x射线衍射测试所述表面质量。本发明在一种情况中还提供使用相对于所述表面的入射束角度小于15度的x射线衍射测试第III族氮化物晶片的所述表面质量的测试方法。

公开(公告)号：CN104465325A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410714895.5

申请日：2014-11-28

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 徐友峰 ,  宋振伟 ,  陈晋 ,  李翔

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02021 ,  H01L21/0201

Abstract: 本发明涉及半导体器件工艺，尤其涉及一种改善有源区关键尺寸均匀性的方法，适用于晶片边缘区域有源区关键尺寸比晶片中心区域有源区关键尺寸大的晶片，采用湿法清洗和刻蚀工艺，通过在单片机台中使用0.15％-2％浓度的氢氟酸溶液清洗、刻蚀去除晶片边缘区域沟槽侧壁在自然条件下形成的氧化膜，然后使用氧化性化学品将晶片边缘区域沟槽侧壁的硅氧化层二氧化硅，反复进行以上步骤，直到晶片边缘有源区的关键尺寸与晶片中心区域有源区关键尺寸相同，这种方法简单。容易操作且有效改善了晶片有源区关键尺寸的均匀性。

公开(公告)号：CN103608899A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280030546.0

申请日：2012-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L21/304 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/28 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/34 ,  H01L29/36 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  Y10T428/21

Abstract: 提供了能够实现降低在形成外延膜或半导体元件的步骤中产生的缺陷的概率的衬底、包括该衬底的半导体器件和制造半导体器件的方法。衬底（1）是具有前表面和背表面的衬底（1），其中，前表面的至少一部分由单晶碳化硅构成，衬底具有不大于0.5nm的在前表面处的表面粗糙度Ra的平均值，该表面粗糙度Ra的标准偏差σ不大于0.2nm，不小于0.3nm并且不大于10nm的在背表面处的表面粗糙度Ra的平均值，并且该表面粗糙度Ra的标准偏差σ不大于3nm，以及不小于110mm的前表面的直径。

公开(公告)号：CN104882363B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201510092233.3

申请日：2015-03-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 糸永将司 ,  渡边圣之

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/67017

Abstract: 提供一种能够向基板供给稳定的量的处理气体的处理气体产生装置、处理气体产生方法等。处理气体产生装置(3)使自载气供给部(33、331)供给的载气在容纳于原料液罐(31、32)的原料液(8)中鼓泡而产生处理气体，自原料液(8)(液相部)的上方侧的气相部经由取出部(301)取出通过鼓泡而产生的处理气体。第1温度调整部(34)进行液相部的温度调整，第2温度调整部(35)进行该气相部的温度调整，以使气相部的温度高于上述液相部的温度。

公开(公告)号：CN107749395A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201711052509.0

申请日：2017-10-30

Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司

Inventor： 刘淼 ,  邹文 ,  胡胜

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L21/0201 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54406

Abstract: 本发明公开了一种晶圆打标的方法，属于半导体制造技术领域，适用于在半导体制程结束时给晶圆打标，所述方法包括以下步骤：步骤S1、于前制程结束后和在晶圆上形成键合焊盘之前对晶圆打标，在晶圆表面形成标记图形；步骤S2、于晶圆上形成焊盘结构，以使所述标记图形上覆盖一层金属层。上述技术方案的有益效果是：对于在制程结束后给晶圆打标的工艺，先对晶圆打标，再在晶圆上形成焊盘结构，使得打标造成的副产物被焊盘结构中的金属层覆盖，避免副产物在晶圆清洗的过程中划伤晶圆，从而避免晶圆报废。