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公开(公告)号：CN108106975B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201711239742.X
申请日：2017-11-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G01N15/02
Abstract: 本发明公开了一种刻蚀腔体部件的检测方法，用于对在刻蚀工艺中会和刻蚀腔体内的等离子体直接接触的部件进行检测，包括如下步骤：步骤一、采用第一工艺气体进行第一次等离子体刻蚀作业对部件进行表面刻蚀冲洗处理，去除部件的表面的附着物和氧化物以及部件表面材质；步骤二、采用第二工艺气体进行第二次等离子体刻蚀作业对部件的表面进行刻蚀和氧化处理，对部件表面进行粗糙化和剥离；采用Ar气体对部件表面进行物理性轰击处理；步骤三、步骤一至二重复一次以上直至激发部件的表面材质；之后进行颗粒度检测。本发明能一次性检测出刻蚀腔体的部件是否正常，从而能预防刻蚀腔体的异常部件给晶圆产品带来缺陷源，从而能提高产品良率。
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公开(公告)号：CN108847389A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810604582.2
申请日：2018-06-13
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供了一种改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法，通过先进过程控制系统对前批次晶圆的晶粒数量进行数据收集，并根据收集的数据计算清洁工艺的工艺参数对反应腔室进行清洁，后批次晶圆在该反应腔室中等离子体刻蚀作业后，比较后批次晶圆中首片晶圆的沟槽形貌与目标形貌的差异，将比较结果反馈给先进过程控制系统，先进过程控制系统判断是否需要修正清洁工艺的工艺参数，若是，先进过程控制系统修正清洁工艺的工艺参数，采用修正后的工艺参数对反应腔室进行清洁。本发明可改善后续批次晶圆的首片效应。
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公开(公告)号：CN106887381A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710187517.X
申请日：2017-03-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种刻蚀腔体环境稳定性的优化方法，包括：在刻蚀腔体内壁上更换涂层部件；对更换的涂层部件的涂层进行微粗糙化处理；对刻蚀腔体内壁的涂层部件进行无晶圆自动干法蚀刻清洗工艺，在此过程中，涂层部件的涂层表面吸附硅氧化合物且达到饱和状态。本发明改善了更换新部件带来的刻蚀腔体环境的漂移，提高刻蚀腔体环境的稳定性，从而改善刻蚀工艺关键尺寸的稳定性，提高晶圆的电学性能和产品的良率，减少报废率。
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公开(公告)号：CN106449366A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610993686.8
申请日：2016-11-09
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/02041 , H01L21/6831
Abstract: 本发明提供了一种解决刻蚀腔体内静电吸盘表面颗粒污染的方法，包括：在晶圆刻蚀前进行无晶圆清洗刻蚀腔体；在无晶圆清洗刻蚀腔体之后，第一次通入第一工艺气体，同时从静电吸盘背面通入惰性气体与第一工艺气体在静电吸盘表面形成湍流反复清洗静电吸盘表面颗粒，使表面颗粒随气流抽出腔体；接着，通入第二工艺刻蚀气体对静电吸盘表面残留的颗粒进行微刻蚀；微刻蚀处理完成之后再次通入第一工艺气体，同时从静电吸盘背面通入大流量惰性气体与第一工艺气体在静电吸盘表面形成湍流反复清洗静电吸盘表面颗粒。
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公开(公告)号：CN106328565A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610875252.8
申请日：2016-09-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67017
Abstract: 一种浅沟槽隔离刻蚀设备之冷却装置，包括：冷却装置本体，所述冷却装置本体内部容置待冷却之半导体器件；离子风机，所述离子风机设置在所述冷却装置本体之外侧，并向设置在所述冷却装置本体内的半导体器件进行风冷。本发明浅沟槽隔离刻蚀设备之冷却装置通过在所述冷却装置本体之外侧进一步设置离子风机，并在所述冷却装置本体内形成气旋回流，具有显著除去半导体器件之表面静电的能力，大大提高冷却装置本体的冷却效果，降低残留刻蚀工艺气体在半导体器件表面形成的凝聚态副产物，并且及时有效的大幅度去除刻蚀后所述半导体器件表面和背面因静电效应而粘附的杂质颗粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105957792A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610510324.9
申请日：2016-06-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/28 , H01L21/3213
CPC classification number: H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01J2237/334 , H01L21/28 , H01L21/32137 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供一种半导体结构的刻蚀方法，用于在刻蚀设备维护后对半导体衬底上的半导体结构进行刻蚀，包括：在所述刻蚀设备的刻蚀腔体内壁沉积聚合物层；基于所述聚合物层的厚度，设置刻蚀设备的工艺参数对所述半导体结构进行刻蚀工艺。本发明能够避免因为刻蚀腔体维护保养时更换部件或者清洗部件引起半导体结构的关键特征尺寸的偏移问题，提高工艺稳定性以及产品良率。
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公开(公告)号：CN108847389B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201810604582.2
申请日：2018-06-13
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供了一种改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法，通过先进过程控制系统对前批次晶圆的晶粒数量进行数据收集，并根据收集的数据计算清洁工艺的工艺参数对反应腔室进行清洁，后批次晶圆在该反应腔室中等离子体刻蚀作业后，比较后批次晶圆中首片晶圆的沟槽形貌与目标形貌的差异，将比较结果反馈给先进过程控制系统，先进过程控制系统判断是否需要修正清洁工艺的工艺参数，若是，先进过程控制系统修正清洁工艺的工艺参数，采用修正后的工艺参数对反应腔室进行清洁。本发明可改善后续批次晶圆的首片效应。
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公开(公告)号：CN107958838B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201711091683.6
申请日：2017-11-08
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明提供了一种根据射频时数改善一体化刻蚀工艺面内均匀性的方法，应用于微电子制造领域，其中，在机台端加设一阻挡刻蚀气体的供应管道，供应管道上装有质量流量控制器，通过质量流量控制器的控制向刻蚀腔体提供阻挡刻蚀气体，包括以下步骤：获取刻蚀腔体的射频时数与刻蚀速率的关系；获取射频时数与阻挡刻蚀气体的参数关系；获取当前的射频时数，依据当前的射频时数确定刻蚀速率作为目标值；于当前的射频时数下，通过调节刻蚀气体参数稳定刻蚀速率至目标值。有益效果：发明提出通过刻蚀腔体实时反馈的RF射频时数大小进行定量调节刻蚀气体参数，以达到刻蚀关键尺寸的稳定，改善一体化刻蚀晶圆的面内均匀性。
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公开(公告)号：CN110400749A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910643539.1
申请日：2019-07-17
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/3105
Abstract: 本发明提供一种改善晶圆表面微颗粒残留的方法，包括：首先提供等离子反应刻蚀腔体和位于该等离子反应刻蚀腔体中的晶圆，晶圆上设有半导体结构，半导体结构处于第一层金属沟槽刻蚀完成的工序状态；然后在晶圆表面形成聚合物保护层；接着在等离子反应刻蚀腔体中通入等离子体源，去除晶圆表面电荷；最后停止通入所述等离子体源，静置晶圆。本发明通过在第一层金属沟槽刻蚀工艺对沟槽刻蚀结束后，在后续工艺处理过程中，使用沉积聚合物的气体源在晶圆表面形成一层保护层，在随后的去静电过程中使用大分子气体源辅助去静电工艺，将腔体中的细小颗粒吸附带出刻蚀腔体，解决由于晶圆去电荷过程中带来的颗粒附着物。
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公开(公告)号：CN109698147A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811580776.X
申请日：2018-12-24
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆刻蚀系统，包括：所述测量装置测量刻蚀前前层膜层厚度将测量结果实时发送至于APC系统，所述刻蚀机依据所述刻蚀前前层膜层厚度完成主刻蚀，所述测量装置测量测量刻蚀后膜层厚度并将刻蚀后膜层厚度反馈至APC系统，所述APC系统根据刻蚀前和刻蚀后晶圆膜层后的变化以及刻蚀机的刻蚀速率更新后续晶圆执行刻蚀的时间。本发明还公开了一种晶圆刻蚀方法。本发明基于膜层厚度变化调节晶圆关键尺寸，在APC系统管控下进行定量调节刻蚀机刻蚀程式参数，以达到刻蚀关键尺寸的稳定性，改善刻蚀晶圆的面内均匀性，避免因刻蚀关键尺寸的漂移造成最终电性参数和良率的损失。
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