-
公开(公告)号：CN107831636B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201711112632.7
申请日：2017-11-10
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明公开了一种基于规则的OPC方法，包括：步骤一、输入初始图形；步骤二、选择不作移动的图形边；步骤三、选择规则二图形边，该图形边记为B2；步骤四、选择规则一图形边，该图形边记为B1；步骤五、设定图形边移动规则一；步骤六、根据规则一移动图形边B1，得到的图形记为T1；步骤七、选择图形T1中与图形边B2的共边，该共边记为B21；步骤八、设定图形边移动规则二；步骤九、根据移动规则二移动图形边B21；步骤十、输出图形。本发明能够使经过OPC处理后的修正图形不会产生多余的凹凸。
-
公开(公告)号：CN112230509A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011199811.0
申请日：2020-10-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，包括：通过将所述热点标记区域调整为矩形，并在所述矩形中划出水平中分线和垂直中分线；将所述水平中分线和所述垂直中分线均延长第一延展值，并选取所述水平中分线和所述垂直中分线中与所述第一区域或所述第二区域相交的一者作为标记线；将所述热点标记区域中垂直于所述第一扩展线的边长的两侧各延长第二延展值，以形成标记区域；所述第一区域和所述第二区域中与所述标记区域相交的边线为扩展线段。可以减少所述扩展线段的数量，进而减少自动光学邻近修正的过程中产生新的工艺热点的概率，提升光学邻近修正的效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112230509B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202011199811.0
申请日：2020-10-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，包括：通过将所述热点标记区域调整为矩形，并在所述矩形中划出水平中分线和垂直中分线；将所述水平中分线和所述垂直中分线均延长第一延展值，并选取所述水平中分线和所述垂直中分线中与所述第一区域或所述第二区域相交的一者作为标记线；将所述热点标记区域中垂直于所述第一扩展线的边长的两侧各延长第二延展值，以形成标记区域；所述第一区域和所述第二区域中与所述标记区域相交的边线为扩展线段。可以减少所述扩展线段的数量，进而减少自动光学邻近修正的过程中产生新的工艺热点的概率，提升光学邻近修正的效率。
-
公开(公告)号：CN107831636A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711112632.7
申请日：2017-11-10
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明公开了一种基于规则的OPC方法，包括：步骤一、输入初始图形；步骤二、选择不作移动的图形边；步骤三、选择规则二图形边，该图形边记为B2；步骤四、选择规则一图形边，该图形边记为B1；步骤五、设定图形边移动规则一；步骤六、根据规则一移动图形边B1，得到的图形记为T1；步骤七、选择图形T1中与图形边B2的共边，该共边记为B21；步骤八、设定图形边移动规则二；步骤九、根据移动规则二移动图形边B21；步骤十、输出图形。本发明能够使经过OPC处理后的修正图形不会产生多余的凹凸。
-
公开(公告)号：CN111929982B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202010884271.3
申请日：2020-08-28
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种金属层光刻工艺热点的修复方法，包括以下步骤：S1：提供用于形成金属层的掩膜版图形，掩膜版图形中具有若干工艺热点区域，所述工艺热点区域包括对应金属线的第一区域及对应接触孔的第二区域；执行步骤S2，S2：获取所述第一区域的边缘线中与第二区域之间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段；执行步骤S3，S3：将所述扩展线段向外移动第二设定值以扩大所述第一区域，并更新所述掩膜版图形；S4：对更新后的掩膜版图形进行仿真；S5：当仿真失败时，则返回步骤S3，当仿真通过或仿真的次数达到第三设定值时，输出最新的所述掩膜版图形。本发明的金属层光刻工艺热点的修复方法可以提升金属层光刻工艺热点的修复效率。
-
公开(公告)号：CN115576168A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211343909.8
申请日：2022-10-31
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种OPC修正方法，包括：根据硬掩模转移特性准备硬掩模上的OPC测试图形，使用该硬掩模对晶圆进行光刻，并根据光刻图形数据建立第一模型；输入初始金属层；提供标准模型和第二模型；依次使用标准模型和第二模型对初始金属层进行OPC修正，以得到修正后的金属层；从修正后的金属层中挑选出对第一模型敏感的图形作为第一图形，受第一模型影响较小的图形作为第二图形，剩余的初始金属层作为第三图形；使用第一模型对第一图形进行OPC修正得到第四图形；使用第一模型对第二图形进行OPC修正得到第五图形；使用标准模型对第四图形和第五图形进行OPC修正；第三图形、第四图形和第五图形作为修正后的目标图形。
-
公开(公告)号：CN111929982A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010884271.3
申请日：2020-08-28
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种金属层光刻工艺热点的修复方法，包括以下步骤：S1：提供用于形成金属层的掩膜版图形，掩膜版图形中具有若干工艺热点区域，所述工艺热点区域包括对应金属线的第一区域及对应接触孔的第二区域；执行步骤S2，S2：获取所述第一区域的边缘线中与第二区域之间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段；执行步骤S3，S3：将所述扩展线段向外移动第二设定值以扩大所述第一区域，并更新所述掩膜版图形；S4：对更新后的掩膜版图形进行仿真；S5：当仿真失败时，则返回步骤S3，当仿真通过或仿真的次数达到第三设定值时，输出最新的所述掩膜版图形。本发明的金属层光刻工艺热点的修复方法可以提升金属层光刻工艺热点的修复效率。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.029 seconds)
