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公开(公告)号：CN111952167A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010864457.2
申请日：2020-08-25
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L27/11524 , H01L27/11531
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。上述制造方法包括：提供形成有多个堆叠栅极的衬底，堆叠栅极的上方依次形成有氮化硅掩膜层和氧化硅掩膜层；沉积覆盖衬底、堆叠栅极及其上方掩膜层的含碳的第一氧化硅薄层；沉积非含碳的第二氧化硅层以填满多个堆叠栅极之间的间隙；以氮化硅掩膜层为停止层平坦化第一氧化硅薄层和第二氧化硅层以去除堆叠栅极上方的氧化硅掩膜层以及去除第二氧化硅层，保留堆叠栅极侧壁的第一氧化硅薄层为第一侧墙。本发明还提供了根据上述制造方法所形成的半导体器件。根据本发明所提供的半导体器件及其制造方法，能够通过简单的工艺流程去除堆叠栅极上方的氧化硅掩膜层，并通过形成含碳氧化硅材质的侧墙提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN110379708A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910659098.4
申请日：2019-07-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L27/11524 , H01L27/1157
Abstract: 本发明涉及闪存的分裂栅极的制造方法，涉及半导体集成电路制造方法，基于多晶硅回填的工艺方案，通过一次光刻刻蚀获得同时具有垂直形貌的选择栅极和控制栅极，避免了多晶硅切割刻蚀工艺方案下由于光刻套准精度问题而带来的栅极关键尺寸的奇偶效应，很大程度的提高了工艺的工艺窗口以及工艺稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111952167B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202010864457.2
申请日：2020-08-25
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L27/11524 , H01L27/11531
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。上述制造方法包括：提供形成有多个堆叠栅极的衬底，堆叠栅极的上方依次形成有氮化硅掩膜层和氧化硅掩膜层；沉积覆盖衬底、堆叠栅极及其上方掩膜层的含碳的第一氧化硅薄层；沉积非含碳的第二氧化硅层以填满多个堆叠栅极之间的间隙；以氮化硅掩膜层为停止层平坦化第一氧化硅薄层和第二氧化硅层以去除堆叠栅极上方的氧化硅掩膜层以及去除第二氧化硅层，保留堆叠栅极侧壁的第一氧化硅薄层为第一侧墙。本发明还提供了根据上述制造方法所形成的半导体器件。根据本发明所提供的半导体器件及其制造方法，能够通过简单的工艺流程去除堆叠栅极上方的氧化硅掩膜层，并通过形成含碳氧化硅材质的侧墙提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN110379708B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201910659098.4
申请日：2019-07-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L27/11524 , H01L27/1157
Abstract: 本发明涉及闪存的分裂栅极的制造方法，涉及半导体集成电路制造方法，基于多晶硅回填的工艺方案，通过一次光刻刻蚀获得同时具有垂直形貌的选择栅极和控制栅极，避免了多晶硅切割刻蚀工艺方案下由于光刻套准精度问题而带来的栅极关键尺寸的奇偶效应，很大程度的提高了工艺的工艺窗口以及工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN118053794A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410231856.3
申请日：2024-02-29
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体设备的腔体调度方法、装置及可读存储介质，属于晶圆制造管理技术领域，该半导体设备的腔体调度方法，包括以下步骤：S1：筛选可作业的物理作业程式，以及所述可作业的物理作业程式的对应腔体，其中，所述物理作业程式对应于至少一个腔体；S2：根据所述对应腔体的工作状态，对所述对应腔体进行评分；S3：获取所述可作业的物理作业程式中对应腔体的评分，计算所述可作业的物理作业程式的评分；S4：依据所述可作业的物理作业程式的评分，选取物理作业程式执行。通过根据可用腔体的工作状态对可用腔体及物理作业程式评分，根据物理作业程式的得分选取执行的物理作业程式以及对应使用的腔体，从而平衡腔体派工，达到增强设备作业能力的目的。
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公开(公告)号：CN109686663A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811610412.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28008
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，上述半导体结构包括衬底和位于衬底上的栅极，上述制造方法用于形成位于衬底上方的栅极。上述制造方法具体包括：提供衬底；在上述衬底上部形成凹槽；在上述衬底上沉积栅极层，上述栅极层包括从凹槽外部延伸至凹槽内部的两个台阶部；以及从上述凹槽的两端沿两个上述台阶部向凹槽中心刻蚀上述栅极层，以在上述凹槽内形成上述栅极，其中上述栅极的宽度小于上述凹槽的宽度。通过本发明所提供的制造方法能够简单、有效地在半导体衬底上形成特征尺寸较小、且可精确控制的栅极，从而满足日渐严苛的栅极尺寸要求。
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公开(公告)号：CN202871762U
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201220472398.5
申请日：2012-09-17
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本实用新型公开了一种硅片盒搬送台车，用于将硅片盒搬送入洁净室，其中，所述搬送台车包括一个台面和四个支撑柱，所述支撑柱位于所述台面下方并支撑所述台面，所述支撑柱下方安装有滑轮并与地面接触；所述同侧的支撑柱之间在所述台面下方预设的位置安装有一挡板装置；本实用新型的有益效果是：可以满足硅片运送过程中消除静电、洁净度、避震、以及在各种情况下触发洁净室移门的诸多需求。
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