公开(公告)号：CN109148280A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810756611.7

申请日：2018-07-11

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 张辉 ,  陈正嵘 ,  周颖 ,  王鹏飞 ,  肖泽龙

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/2807 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明公开了一种改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法包括如下步骤：步骤一、形成多晶硅层并形成光刻胶图形定义出多晶硅结构的形成区域。步骤二、对多晶硅层进行刻蚀形成具有垂直侧面台阶的多晶硅结构。步骤三、沉积厚度大于等于侧面台阶的高度的第一氧化层。步骤四、对第一氧化层进行全面刻蚀在多晶硅结构的侧面处形成侧墙。步骤五、沉积由常压氧化硅和硼磷硅玻璃叠加而成的厚度小于多晶硅层的厚度的层间膜。步骤六、对硼磷硅玻璃进行退火回流并在多晶硅结构的台阶处形成第三倾斜结构。步骤七、形成接触孔的开口。步骤八、形成金属层并进行金属层的刻蚀。本发明能消除在多晶硅结构的侧面台阶处的金属残留。

公开(公告)号：CN111128703A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911291567.8

申请日：2019-12-16

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 张辉 ,  陈正嵘

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种SGT器件的工艺方法，包含如下的工艺步骤：第一步，在重掺杂的半导体衬底上形成沟槽型栅极，所述的沟槽型栅极是在衬底上形成沟槽，然后淀积一层介质层以及一层衬垫氧化层，然后沉积多晶硅并回刻，形成源极多晶硅；第二步，再次形成一层热氧化层；第三步，采用HDPCVD法再沉积一层氧化层；第四步，移除沟槽上部的衬垫氧化层；第五步，淀积多晶硅并回刻，完成沟槽上部的多晶硅栅极的制作。本发明在常规的热氧化层淀积工艺之后，增加了一步HDPCVD工艺，使热氧化层的上表面更加平整，沟槽拐角区域的过渡更加平滑，不会出现两侧凹陷、尖角等缺陷的情况，不容易导致多晶硅栅极与屏蔽电极之间漏电的情况。

公开(公告)号：CN108231543B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201810024815.1

申请日：2018-01-11

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 张辉 ,  陈正嵘 ,  周颖

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/71 ,  H01L21/763

Abstract: 本发明公开了一种改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，包括步骤：形成多晶硅层并光刻定义出多晶硅结构的形成区域；进行各向异性刻蚀形成多晶硅结构，多晶硅结构的侧面台阶呈垂直结构；沉积由常压氧化硅和硼磷硅玻璃的叠加形成的层间膜，层间膜的厚度大于等于多晶硅结构的侧面台阶的高度；退火回流，回流后的硼磷硅玻璃在多晶硅结构的侧面台阶处形成一个完全倾斜的结构；对层间膜进行全面的湿法刻蚀将层间膜的厚度减少到小于多晶硅结构的厚度；形成接触孔的开口；形成金属层并进行金属刻蚀。本发明能使硼磷硅玻璃在所述多晶硅结构的侧面台阶处为完全倾斜的结构，从而能消除在多晶硅结构的侧面台阶处的金属残留。

公开(公告)号：CN108231544B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201810024856.0

申请日：2018-01-11

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 张辉 ,  陈正嵘 ,  周颖

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/71

Abstract: 本发明公开了一种改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，包括步骤：形成多晶硅层并光刻定义出多晶硅结构的形成区域；进行各向同性的第一次刻蚀；进行各向异性的第二次刻蚀，第二次刻蚀在多晶硅结构的侧面台阶处形成一垂直结构，垂直结构顶部为第一次刻蚀形成的圆弧结构；沉积由常压氧化硅和硼磷硅玻璃的叠加形成的层间膜，层间膜的厚度大于等于多晶硅结构的侧面台阶处的垂直结构的厚度；退火回流，回流后的硼磷硅玻璃在多晶硅结构的侧面台阶处形成一个完全倾斜的结构；形成接触孔的开口；形成金属层并进行金属刻蚀。本发明能使硼磷硅玻璃在所述多晶硅结构的侧面台阶处为完全倾斜的结构，从而能消除在多晶硅结构的侧面台阶处的金属残留。

公开(公告)号：CN108417487A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810120395.7

申请日：2018-02-07

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 周颖 ,  陈正嵘 ,  张辉

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种沟槽型屏蔽栅功率器件的工艺方法，包含：第一步，在衬底上刻蚀沟槽，淀积介质层并进行第一次多晶硅淀积及刻蚀；第二步，对第一次多晶硅在无光刻胶定义的情况下进行第二次刻蚀；第三步，进行高密度等离子体氧化膜淀积；第四步，对高密度等离子体氧化膜进行CMP；第五步，再对高密度等离子体氧化膜回刻；第六步，进行中间氧化层湿法刻蚀；第七步，形成栅氧化层及多晶硅淀积；第八步，进行体区注入；第九步，进行源区注入、制作接触的后续工艺。本发明能改善器件的VTH分布。

公开(公告)号：CN108231543A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810024815.1

申请日：2018-01-11

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 张辉 ,  陈正嵘 ,  周颖

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/71 ,  H01L21/763

Abstract: 本发明公开了一种改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，包括步骤：形成多晶硅层并光刻定义出多晶硅结构的形成区域；进行各向异性刻蚀形成多晶硅结构，多晶硅结构的侧面台阶呈垂直结构；沉积由常压氧化硅和硼磷硅玻璃的叠加形成的层间膜，层间膜的厚度大于等于多晶硅结构的侧面台阶的高度；退火回流，回流后的硼磷硅玻璃在多晶硅结构的侧面台阶处形成一个完全倾斜的结构；对层间膜进行全面的湿法刻蚀将层间膜的厚度减少到小于多晶硅结构的厚度；形成接触孔的开口；形成金属层并进行金属刻蚀。本发明能使硼磷硅玻璃在所述多晶硅结构的侧面台阶处为完全倾斜的结构，从而能消除在多晶硅结构的侧面台阶处的金属残留。

公开(公告)号：CN111128703B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201911291567.8

申请日：2019-12-16

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 张辉 ,  陈正嵘

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种SGT器件的工艺方法，包含如下的工艺步骤：第一步，在重掺杂的半导体衬底上形成沟槽型栅极，所述的沟槽型栅极是在衬底上形成沟槽，然后淀积一层介质层以及一层衬垫氧化层，然后沉积多晶硅并回刻，形成源极多晶硅；第二步，再次形成一层热氧化层；第三步，采用HDPCVD法再沉积一层氧化层；第四步，移除沟槽上部的衬垫氧化层；第五步，淀积多晶硅并回刻，完成沟槽上部的多晶硅栅极的制作。本发明在常规的热氧化层淀积工艺之后，增加了一步HDPCVD工艺，使热氧化层的上表面更加平整，沟槽拐角区域的过渡更加平滑，不会出现两侧凹陷、尖角等缺陷的情况，不容易导致多晶硅栅极与屏蔽电极之间漏电的情况。

公开(公告)号：CN108231544A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810024856.0

申请日：2018-01-11

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 张辉 ,  陈正嵘 ,  周颖

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/71

Abstract: 本发明公开了一种改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，包括步骤：形成多晶硅层并光刻定义出多晶硅结构的形成区域；进行各向同性的第一次刻蚀；进行各向异性的第二次刻蚀，第二次刻蚀在多晶硅结构的侧面台阶处形成一垂直结构，垂直结构顶部为第一次刻蚀形成的圆弧结构；沉积由常压氧化硅和硼磷硅玻璃的叠加形成的层间膜，层间膜的厚度大于等于多晶硅结构的侧面台阶处的垂直结构的厚度；退火回流，回流后的硼磷硅玻璃在多晶硅结构的侧面台阶处形成一个完全倾斜的结构；形成接触孔的开口；形成金属层并进行金属刻蚀。本发明能使硼磷硅玻璃在所述多晶硅结构的侧面台阶处为完全倾斜的结构，从而能消除在多晶硅结构的侧面台阶处的金属残留。