一种用于测试隔磁片受冲击过程力学响应的方法

    公开(公告)号:CN106290011A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610554439.8

    申请日:2016-07-14

    Abstract: 本发明提供一种用于测试隔磁片受冲击过程力学响应的方法,其包括如下步骤:针对控制棒驱动机构整体进行数值建模分析;针对所设计的隔磁片动态冲击试验装置进行数值建模分析;将上述两种数值建模分析结果进行对比;基于动态冲击试验装置开展隔磁片冲击试验。本发明提供的用于测试隔磁片受冲击过程力学响应的方法,解决了控制棒驱动机构实际工作状态下隔磁片冲击力学响应无法直接测量的问题,通过数值建模分析验证后的模拟试验方法,针对隔磁片在衔铁冲击作用下的力学响应进行直接测试。

    全氟烷基苯并氮杂*并喹喔啉衍生物及其合成方法

    公开(公告)号:CN105906635A

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201610399478.5

    申请日:2016-06-08

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: C07D487/04

    Abstract: 本发明涉及一种全氟烷基苯并氮杂?并喹喔啉衍生物及其合成方法。该化合物的结构为:R1为?H、?CH3、?OCH3或?Cl;R2为?H、?CH3、?OCH3、?Br或?Cl;RF为?CF3、C2F5或n?C3F7。本方法首次,构建了苯并氮杂并喹喔啉骨架,并将全氟烷基引入分子中,用了新型的方法合成了一系列结构新颖、区域选择性高的化合物。此反应操作简单,并且没有使用酸、碱及其他金属催化剂,条件温和具有环境友好的优势。除此之外,得到的产物产率良好。

    二氧化锡纳米材料的水热合成方法

    公开(公告)号:CN103332726B

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201310245669.2

    申请日:2013-06-20

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种SnO2纳米材料的水热合成方法,属于无机化学和材料合成技术领域。本发明以硫酸亚锡(SnSO4)为锡源,水为溶剂,在小分子碱四丙基氢氧化铵(TPAOH)的助晶化作用下,通过简单的水热过程,制备出具有花状特征的形貌均匀的二氧化锡纳米材料。其中,原料的锡源也可为氯化亚锡(SnCl2)、锡酸钠(Na2SnO3)等,均可得到形貌均一的SnO2纳米材料。本发明方法具有操作简单,条件可控,原料易得,反应过程中未添加有机溶剂,制得材料比表面积大,形貌均一,结晶良好等优点,在锂电池、气敏传感器、光催化及太阳能电池等领域具有较大的应用前景。

    二氧化锡纳米材料的合成方法

    公开(公告)号:CN102267718A

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN201110180544.7

    申请日:2011-06-30

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种二氧化锡纳米材料的制备方法。该方法的具体步骤为:采用硫酸亚锡(SnSO4)和二水合柠檬酸三钠(Na3C6H5O7·2H2O)为原料,两者的用量按照一定的摩尔比作为计量基准,即SnSO4:Na3C6H5O7·2H2O=2:5~4,将其称好后加入到一定量的体积比为(1:9~9)的无水乙醇和去离子水的混合溶液中,快速搅拌1~2小时后装入高压反应釜中于120~200℃下反应2~48小时,冷却后分别用去离子水和乙醇洗涤若干次,干燥后即得到二氧化锡纳米材料。本发明工艺简单,重复性好,可批量生产。所得产物二氧化锡纳米球的粒径在50nm左右,且单分散性好。

    一种用于测试隔磁片受冲击过程力学响应的方法

    公开(公告)号:CN106290011B

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201610554439.8

    申请日:2016-07-14

    Abstract: 本发明提供一种用于测试隔磁片受冲击过程力学响应的方法,其包括如下步骤:针对控制棒驱动机构整体进行数值建模分析;针对所设计的隔磁片动态冲击试验装置进行数值建模分析;将上述两种数值建模分析结果进行对比;基于动态冲击试验装置开展隔磁片冲击试验。本发明提供的用于测试隔磁片受冲击过程力学响应的方法,解决了控制棒驱动机构实际工作状态下隔磁片冲击力学响应无法直接测量的问题,通过数值建模分析验证后的模拟试验方法,针对隔磁片在衔铁冲击作用下的力学响应进行直接测试。

    一种透射反射Mueller矩阵偏振显微成像系统

    公开(公告)号:CN110132852A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910328302.4

    申请日:2019-04-23

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种透射反射Mueller矩阵偏振显微成像系统,包括:光源、透镜、第一偏振片、第一四分之一波片、消偏振分光棱镜、第一10倍物镜、目标物、第二10倍物镜、第二四分之一波片、第二偏振片、第一成像透镜、第一CMOS相机、第三四分之一波片、第三偏振片、第二成像透镜,第二CMOS相机和计算机;本发明的一种透射反射Mueller矩阵偏振显微成像系统,将这两种方式结合起来,通过一次实验可以同时得到目标物前向和后向Mueller矩阵,相比反射式偏振显微成像或透射式偏振显微成像可以更加全面的反映目标物的微观结构信息。

    一种隔磁片冲击试验测试装置

    公开(公告)号:CN105973729A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610554532.9

    申请日:2016-07-14

    CPC classification number: G01N3/303

    Abstract: 本发明提供一种隔磁片冲击试验测试装置,其包括试验部分和测试部分。试验部分包括:钢质框架;衔铁,其通过衔铁高度调节装置安装于所述钢质框架上,所述衔铁高度调节装置用于调节所述衔铁在所述钢质框架上的高度;电磁铁,所述电磁铁安装与所述钢质框架上,并位于所述衔铁的上方;力传感器,其设置在所述钢质框架的底座上,并位于所述衔铁的下方;及隔磁片定位装置,其设置于所述力传感器上,并位于所述力传感器和所述衔铁之间,用于限制隔磁片在水平与竖直方向的位移。本发明提供的隔磁片冲击试验测试装置,满足了大质量冲击头低速冲击试验需求,用于研究材料的冲击疲劳性能。

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