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公开(公告)号:CN103257132B
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201310131120.0
申请日:2013-04-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法。该基底是在硅单晶衬底粘附有一层具有有序银纳米帽阵列结构的银薄膜;该银薄膜的厚度为:80~150nm;所述的银纳米帽为隆起的中心带孔的泡状结构,直径为30~95nm,相邻两纳米帽中心距为100~110nm。本发明提供的银纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底形貌均一,结构可控,对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果,增强因子可达109,且增强信号均一稳定。本发明方法,可以根据超薄氧化铝模板的结构参数和金属沉积过程调节银纳米帽的结构参数和形貌,实现金属纳米帽阵列基底参数对拉曼表面增强效果的可调可控。具有操作简单,成本低,易于批量生产,不同批次间可重复性高的优点。
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公开(公告)号:CN103213938B
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201310130493.6
申请日:2013-04-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法。该基底以表面带有有序凹坑阵列结构的铝基片为模板,沉积金薄膜,随后去除铝基片,翻转下表面朝上转移固定到玻璃基底表面得到大面积(>1cm2)、高度有序的金纳米帽阵列结构。本发明提供的金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底形貌均一,结构可控,对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果,且增强信号均一稳定(相对标准偏差小于2%)。本发明方法,可以根据模板的结构参数调节金纳米帽的结构参数和形貌,实现不同金属纳米阵列基底对拉曼表面增强效果的不同影响。具有操作简单,成本低,易于工业生产的优点。
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公开(公告)号:CN103213938A
公开(公告)日:2013-07-24
申请号:CN201310130493.6
申请日:2013-04-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法。该基底以表面带有有序凹坑阵列结构的铝基片为模板,沉积金薄膜,随后去除铝基片,翻转下表面朝上转移固定到玻璃基底表面得到大面积(>1cm2)、高度有序的金纳米帽阵列结构。本发明提供的金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底形貌均一,结构可控,对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果,且增强信号均一稳定(相对标准偏差小于2%)。本发明方法,可以根据模板的结构参数调节金纳米帽的结构参数和形貌,实现不同金属纳米阵列基底对拉曼表面增强效果的不同影响。具有操作简单,成本低,易于工业生产的优点。
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公开(公告)号:CN102590179A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201210084676.4
申请日:2012-03-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米点阵表面增强拉曼活性基底及其制备方法。该基底以硅单晶为衬底,在硅表面沉积银纳米颗粒阵列结构;所述的银纳米颗粒的粒径为30~90nm,颗粒中心距为99~111nm。本发明提供的银纳米点阵表面增强拉曼活性基底形貌均一,结构可控,对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果,且增强信号均一稳定。本发明方法,可以根据超薄氧化铝模板的结构参数调节银纳米点阵的结构参数和形貌,实现不同金属纳米点阵基底对拉曼表面增强效果的不同影响。具有操作简单,成本低,易于工业生产的优点。
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公开(公告)号:CN103257132A
公开(公告)日:2013-08-21
申请号:CN201310131120.0
申请日:2013-04-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法。该基底是在硅单晶衬底粘附有一层具有有序银纳米帽阵列结构的银薄膜;该银薄膜的厚度为:80~150nm;所述的银纳米帽为隆起的中心带孔的泡状结构,直径为30~95nm,相邻两纳米帽中心距为100~110nm。本发明提供的银纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底形貌均一,结构可控,对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果,增强因子可达109,且增强信号均一稳定。本发明方法,可以根据超薄氧化铝模板的结构参数和金属沉积过程调节银纳米帽的结构参数和形貌,实现金属纳米帽阵列基底参数对拉曼表面增强效果的可调可控。具有操作简单,成本低,易于批量生产,不同批次间可重复性高的优点。
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公开(公告)号:CN102621126A
公开(公告)日:2012-08-01
申请号:CN201210084679.8
申请日:2012-03-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米点阵表面增强拉曼活性基底及其制备方法。该基底以硅单晶为衬底,在硅表面沉积金纳米颗粒阵列结构;所述的金纳米颗粒的粒径为16~85nm,颗粒中心距为99~111nm。本发明提供的金纳米点阵表面增强拉曼活性基底形貌均一,结构可控,对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果,且增强信号均一稳定。本发明方法,可以根据超薄氧化铝模板的结构参数调节金属纳米点阵的结构参数和形貌,实现不同金属纳米点阵基底对拉曼表面增强效果的不同影响。具有操作简单,成本低,易于工业生产的优点。
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