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公开(公告)号：CN108796238B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810729372.6
申请日：2018-07-04
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种静磁软接触搅拌复合等离子体电弧熔炼装置，包括炉体，所述炉体内安装有水冷铜坩埚和钨电极，所述钨电极位于所述水冷铜坩埚上方，所述水冷铜坩埚上开设有用于放置金属原料的凹槽；所述水冷铜坩埚侧壁上穿设有传动轴，所述传动轴位于所述水冷铜坩埚外的一端连接有步进电机，所述传动轴位于所述水冷铜坩埚内的一端套设有两个转盘，所述转盘内交错设置有磁性相反的磁体，所述转盘位于所述凹槽两侧。本发明还提供一种采用上述静磁软接触搅拌复合等离子体电弧熔炼装置的熔炼方法，无需翻转金属，通过静磁软接触搅拌达到对水冷铜坩埚底部未熔金属熔炼的目的。
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公开(公告)号：CN108788040B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810725889.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 上海大学
IPC: B22D11/116 , B22D11/115 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开一种氢等离子熔炼连续铸造生产高纯金属靶坯的装置，包括两个对称设置的固定架，两个固定架之间活动连接有多个水冷辊和驱动辊，水冷辊位于驱动辊斜上方，且与驱动辊啮合；固定架下方连接有结晶器，结晶器外壁缠绕有感应线圈，结晶器下方连接有引锭杆；多个水冷辊成“V”字形设置于结晶器上方；固定架上方安装有送料装置、源气体输送装置和电极装置。本发明提供的氢等离子熔炼连续铸造生产高纯金属靶坯的装置，采用多辊的单向转动实现反应槽底部未熔化金属的熔化，精炼后的金属靶坯熔体流入结晶器内进行电磁软接触连续铸造，进而获得高纯度、高致密度和具有一定取向的棒状溅射靶坯。
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公开(公告)号：CN108796238A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810729372.6
申请日：2018-07-04
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种静磁软接触搅拌复合等离子体电弧熔炼装置，包括炉体，所述炉体内安装有水冷铜坩埚和钨电极，所述钨电极位于所述水冷铜坩埚上方，所述水冷铜坩埚上开设有用于放置金属原料的凹槽；所述水冷铜坩埚侧壁上穿设有传动轴，所述传动轴位于所述水冷铜坩埚外的一端连接有步进电机，所述传动轴位于所述水冷铜坩埚内的一端套设有两个转盘，所述转盘内交错设置有磁性相反的磁体，所述转盘位于所述凹槽两侧。本发明还提供一种采用上述静磁软接触搅拌复合等离子体电弧熔炼装置的熔炼方法，无需翻转金属，通过静磁软接触搅拌达到对水冷铜坩埚底部未熔金属熔炼的目的。
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公开(公告)号：CN108788040A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810725889.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 上海大学
IPC: B22D11/116 , B22D11/115 , C23C14/34
CPC classification number: B22D11/116 , B22D11/115 , C23C14/3414
Abstract: 本发明公开一种氢等离子熔炼连续铸造生产高纯金属靶坯的装置，包括两个对称设置的固定架，两个固定架之间活动连接有多个水冷辊和驱动辊，水冷辊位于驱动辊斜上方，且与驱动辊啮合；固定架下方连接有结晶器，结晶器外壁缠绕有感应线圈，结晶器下方连接有引锭杆；多个水冷辊成“V”字形设置于结晶器上方；固定架上方安装有送料装置、源气体输送装置和电极装置。本发明提供的氢等离子熔炼连续铸造生产高纯金属靶坯的装置，采用多辊的单向转动实现反应槽底部未熔化金属的熔化，精炼后的金属靶坯熔体流入结晶器内进行电磁软接触连续铸造，进而获得高纯度、高致密度和具有一定取向的棒状溅射靶坯。
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