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公开(公告)号：CN102941079A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210438746.1
申请日：2012-11-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种光电催化剂多层氧化锌纳米线阵列的制备方法，该方法本发明首次采用化学气相沉积与液相法相结合并重复生长的方法成功制备了多层ZnO纳米线阵列，此方法制备得到的ZnO纳米线阵列的纯度高，无金属催化剂存在；垂直性好，气相生长部分与液相生长部分始终沿着[0001]方向生长；方法的实验操作的重复性高，可以制备更多层数的ZnO纳米线阵列，从而大幅度增加ZnO纳米线阵列的长度。
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公开(公告)号：CN102941079B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210438746.1
申请日：2012-11-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种光电催化剂多层氧化锌纳米线阵列的制备方法，该方法本专利首次采用化学气相沉积与液相法相结合并重复生长的方法成功制备了多层ZnO纳米线阵列，此方法制备得到的ZnO纳米线阵列的纯度高，无金属催化剂存在；垂直性好，气相生长部分与液相生长部分始终沿着[0001]方向生长；方法的实验操作的重复性高，可以制备更多层数的ZnO纳米线阵列，从而大幅度增加ZnO纳米线阵列的长度。
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公开(公告)号：CN103058264B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201210440127.6
申请日：2012-11-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种双层氧化锌纳米线阵列的制备方法。该方法以涂有氧化锌晶种层的硅片为衬底，采用化学气相沉积法诱导ZnO纳米线阵列的生长。在一次生长的ZnO纳米线的顶端再次旋涂一层ZnO纳米晶种层，进行ZnO纳米线阵列的气相二次生长，制备得到了双层超长ZnO纳米线阵列。本方法制备过程简单，所制备的双层ZnO纳米线阵列的长径比得到了明显提高，开启电场小，场发射性能得到了明显提升。
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公开(公告)号：CN103058264A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210440127.6
申请日：2012-11-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种双层氧化锌纳米线阵列的制备方法。该方法以涂有氧化锌晶种层的硅片为衬底，采用化学气相沉积法诱导ZnO纳米线阵列的生长。在一次生长的ZnO纳米线的顶端再次旋涂一层ZnO纳米晶种层，进行ZnO纳米线阵列的气相二次生长，制备得到了双层超长ZnO纳米线阵列。本方法制备过程简单，所制备的双层ZnO纳米线阵列的长径比得到了明显提高，开启电场小，场发射性能得到了明显提升。
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公开(公告)号：CN102942209A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210438749.5
申请日：2012-11-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种采用改变锡掺杂比例制备多种形貌的一维纳米结构氧化锌的方法。该方法采用氧化锌、二氧化锡和碳粉作为反应源，采用碳热还原法，以镀有Au膜的Si(100)为衬底，化学气相沉积制备了锡掺杂的一维ZnO纳米结构，同时通过改变锡掺杂比例制备多种形貌的一维氧化锌纳米结构。本方法过程简单，系统地研究了随着锡掺杂比例的变化，氧化锌纳米结构从最初的纳米线阵列，变化为表面有颗粒状沉积的树枝状纳米线，随后演变为纳米带的形貌变化过程。
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