公开(公告)号：CN119208353A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411526805.X

申请日：2022-09-01

Applicant: 上海大学

Inventor： 殷录桥 ,  张建华 ,  稽啸啸

IPC: H01L27/15 ,  H01L25/16

Abstract: 本申请提供一种高分辨率Micro LED显示基板的制备方法及显示基板，属于显示技术领域，制备方法包括：在CMOS驱动基板上形成阻挡层；阻挡层上形成键合金属层；将键合金属层上多余的金属去除；将整圆Micro LED芯片与键合金属层键合；剥离整圆Micro LED芯片的衬底；制备单个Micro LED像素；在单个Micro LED像素间形成绝缘层；制备共阴电极与键合金属层互连。显示基板包括：CMOS驱动基板、阻挡层、键合金属层、整圆Micro LED芯片、绝缘层和共阴电极层。本申请能够实现高分辨率显示，同时可以降低键合对位时的精度要求，并且不影响键合强度和键合稳定性。

公开(公告)号：CN115295575A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202211072015.X

申请日：2022-09-01

Applicant: 上海大学

Inventor： 殷录桥 ,  张建华 ,  稽啸啸

IPC: H01L27/15 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明公开了一种高分辨率Micro LED显示基板及其制备方法，包括：CMOS驱动基板、阻挡层、键合金属层、整圆Micro LED芯片、绝缘层和共阴电极层。制备过程包括在CMOS驱动基板上形成阻挡层；阻挡层上形成键合金属层；将键合金属层上多余的金属去除；将整圆Micro LED芯片与键合金属层键合；剥离整圆Micro LED芯片的衬底；制备单个Micro LED像素；在单个Micro LED像素间形成绝缘层；制备共阴电极与键合金属层互连。本申请能够实现高分辨率显示，同时可以降低键合对位时的精度要求，并且不影响键合强度和键合稳定性。