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公开(公告)号：CN103346299B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310227788.5
申请日：2013-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种中空锡基氧化物/碳纳米复合材料的制备方法，属于材料合成和电化学技术领域。本发明以碳包覆的二氧化硅复合材料为模板，氯化亚锡（SnCl2·2H2O）为锡源，尿素为碱源，水为溶剂，采用简单的原位刻蚀水热助晶化法，在生成氧化锡基纳米材料的同时，成功脱除二氧化硅模板，从而可得到具有中空球状结构，且形貌均一的锡基氧化物/碳纳米复合材料。其中，锡源与尿素的原料配比是本发明的关键。更重要的是，只是通过简单的控制后续热处理的温度，就可以得到氧化亚锡（SnO）和二氧化锡（SnO2）两种完全不同晶相的碳复合纳米材料。
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公开(公告)号：CN103736526A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310549901.1
申请日：2013-11-08
Applicant: 上海大学
IPC: B01J35/10 , B01J23/889 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种温和可控的Fe/MnO2介孔纳米刺球复合材料的制备方法，属于过渡金属氧化物功能材料领域。本发明的主要内容是：KMnO4液滴穿过CH2Cl2层进入MnSO4溶液，在H2O/CH2Cl2界面上发生理化反应，反应后，将混合物经过液液分离，过滤、洗涤、干燥，得到中空的MnO2纳米刺球，然后用溶液浸渍法对其进行Fe负载：按照一定的质量百分比和固液质量比，配制Fe(NO3)3溶液，然后将MnO2加入到Fe(NO3)3溶液中超声振荡，后蒸干水分，将得到的样品放入马弗炉煅烧后，得到Fe/MnO2介孔纳米刺球复合材料。本发明在过渡金属氧化物功能材料领域尤其是环境催化领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN102766847A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210248019.9
申请日：2012-07-18
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种操作与制备技术简单，具有分形团簇的Pd/Ge复合纳米薄膜的制备方法，属于半导体薄膜制备技术领域。本发明方法的主要内容是：利用真空热蒸发技术，将高纯Ge与Pd分别放置于真空热蒸发装置中的钨丝花篮上，在室温下当真空度小于2.67×10-3Pa时，先蒸发半导体Ge，然后，蒸发金属Pd。衬底为单晶氯化钠（100）晶面。上己制备复合纳米薄膜置于真空炉中，真空度与上相似时，于200℃，300℃，350℃，400℃分别真空退火30分钟，可获分形维数依次为1.862，1.778，1.708，1.652的分形团簇此纳米薄膜。本发明通过控制真空热蒸发技术参数，得到不同形态的，具有分形团簇的Pd/Ge复合纳米薄膜。其操作简便、制备技术简单、重复性较好。本发明产品在半导体工业领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN101973576A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010527054.5
申请日：2010-11-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种简单的、量子点尺寸均匀的、重复性良好的、电子束辐照可修饰的纳米二氧化锡量子点的制备方法，属于纳米无机材料制备工艺技术及改性领域。本发明方法的主要是：采用简单易行的溶胶凝胶法制备二氧化锡纳米粉末，通过对反应溶液浓度、反应温度及pH值的控制，制备出了2~4纳米二氧化锡量子点。通过电子加速器辐照技术对其进行辐照修饰的改性研究，实现了该技术在二氧化锡材料领域的可适用性，并获得了最佳辐照剂量。通过电子束辐照前后样品的高分辨电子显微镜、X射线衍射、激光共聚焦拉曼光谱、紫外吸收光谱、综合热分析以及比表面积分析，这种二氧化锡量子点的物理化学性质得到较好的改善。
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公开(公告)号：CN111804313B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202010521723.1
申请日：2020-06-10
Applicant: 上海大学
IPC: B01J27/043 , B01J35/02 , C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种Fe2O3@Co9S8双中空核壳结构纳米复合材料及其制备方法和应用，方法步骤如下：将氯化铁溶液和磷酸二氢铵溶液混合并稀释后，通过水热法合成Fe2O3空心纳米管；再将Fe2O3纳米管分散于有机溶剂中，加入聚乙烯吡咯烷酮，与可溶性钴盐溶液和2‑甲基咪唑溶液混合，搅拌后分离、洗涤和干燥，得到Fe2O3@ZIF‑67核壳结构纳米复合材料；再将Fe2O3@ZIF‑67复合材料溶于有机溶剂中，加入硫代乙酰胺刻蚀，搅拌后分离、洗涤和干燥，经退火得到Fe2O3@Co9S8双中空核壳结构纳米复合材料。本发明方法便捷可靠，成本低廉，设备简单，过程易于观察和控制，并实现了双中空核壳结构的形貌调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108365185A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810017807.4
申请日：2018-01-09
Applicant: 上海大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种作为锂电池负极材料的多孔硫化锰与石墨烯复合材料及其制备方法。本发明方法的主要过程和步骤如下：采用合适的锰源和硫源，与氧化石墨烯形成均一的混合溶液，利用水热法，反应结束后进一步的煅烧过程提高复合材料的结晶度，最终得到多孔硫化锰与石墨烯复合材料。本发明制得复合材料具有良好的导电性与结构稳定性，硫化锰微球表面具有凹凸结构及内部具有微孔结构，微孔结构减少了锂离子的传输路径，凹凸结构提供了更多的位点和更大的比表面积来储存锂离子和与电解液充分接触。石墨烯的引入为充放电过程的体积变化提供了缓冲空间，提高复合材料的循环稳定性。本发明制得复合材料可用于锂离子电池的制备并可提高锂离子电池的性能。
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公开(公告)号：CN106957095A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710189729.1
申请日：2017-03-28
Applicant: 上海大学
IPC: C02F1/469 , C02F101/20
CPC classification number: C02F1/469 , C02F2101/20
Abstract: 本发明公开了一种用于去除水中铜离子的复合改性活性炭电极及其制备方法，其步骤：(1) 筛选出活性炭；(2).活性炭与去离子水混合超声溶解，再过滤，将活性炭置于烘箱干燥；(3).将活性炭放到硝酸溶液中超声反应，再将被滤纸截留的活性炭放到恒温箱中干燥，得硝酸改性活性炭；(4).将硝酸改性活性炭，加入到柠檬酸溶液内超声反应，再过滤，过滤后放到恒温箱干燥，得到用硝酸和柠檬酸复合改性活性炭；(5).称取乙炔黑、聚四氟乙烯以及步骤(4)制得的复合改性活性炭放入乙醇搅拌均匀，得到混合涂料；(6).将步骤(5)的混合涂料均匀涂履在石墨片基质板上，干燥后得复合改性活性炭电极。该方法简易、成本低，对水中铜离子的电吸附效率高，对铜离子的电吸附效率达到72.9 %。
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公开(公告)号：CN103147046A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310073482.9
申请日：2013-03-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种激光技术制备二氧化锡半导体薄膜及其微结构缺陷湮灭的实验工艺，属于半导体薄膜制备工艺技术领域。二氧化锡是近年来引起广泛关注的一种n-型半导体功能材料，在微电子工业、光电子器件以及太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。利用脉冲激光沉积方法，控制一定工艺参数，在室温下，将薄膜沉积在玻璃衬底上，制备出了二氧化锡半导体薄膜；该薄膜存在着若干微结构缺陷，使其应用受到限制，然而，采用在高分辨电子显微镜，将上述具有微结构缺陷的薄膜进行300℃原位退火2小时，简单地成功实施了二氧化锡半导体薄膜的微结构缺陷的湮灭技术，实现了薄膜微结构无缺陷的工艺，本方法在薄膜制备领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN102677163A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210154266.2
申请日：2012-05-18
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及到一种制备技术简单、形貌可控、重复性良好的Al/Ge双层膜中Ge分形团簇的Al诱导合成方法，也即是一种具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法，属于半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明方法的主要内容是：利用真空热蒸发技术，将一定质量的高纯Ge(纯度99.9999wt.%)和高纯Al(纯度99.9wt.%)分别放置于真空热蒸发装置中的钼舟上。衬底选择单晶Si(100)晶面，在室温下当真空度优于2.67×10-3Pa时，通过调节电流和电压的大小，控制Ge和Al的蒸发沉积速率即可得到室温下的Al/Ge双层膜。将室温条件下制备的Al/Ge双层膜置于管式炉中，在氮气氛围保护下，将薄膜样品在300℃~500℃时退火60分钟，其中最佳温度为400℃，能成功获得分形维数为1.82和1.88的Ge分形团簇纳米薄膜。本发明的特点是通过控制真空热蒸发技术参数和退火条件，采用Al诱导成核的方法在Al/Ge双层膜中成功制备出Ge分形团簇纳米薄膜。本发明产品在半导体工业，如：微电子器件和光电子元件等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN111715257A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010544112.9
申请日：2020-06-15
Applicant: 上海大学
IPC: B01J27/24 , C07D317/36 , C07D317/42
Abstract: 本发明公开了一种CO2环加成反应催化剂、其制备方法及其应用，本发明催化剂以硼掺杂的P型半导体为载体，对其进行铜/氮掺杂。铜在催化过程中可作为贫电子路易斯酸性中心催化二氧化碳环加成反应。而硼掺杂P型碳化硅则作为富电子路易斯碱性中心，通过铜/氮掺杂P型碳化硅界面处的电荷转移效应构筑酸碱催化中心。与现有技术相比，本发明成本低廉，方法简单，设计巧妙。所制备的材料对于CO2环加成反应有着很好的催化性能、优异的选择性和稳定性，有很高的实际应用前景。
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