一种沉积PyC/SiC界面相的制备方法、陶瓷基复合材料

    公开(公告)号:CN117003572A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310959493.0

    申请日:2023-08-01

    Abstract: 本发明提供了一种沉积PyC/SiC界面相的制备方法,包括以下步骤:S1、将碳纤维预制体置于化学气相沉积炉中,抽真空,在氮气保护下提升温度至950‑1000℃,并控制压力为5‑10kPa,通入丙烯,沉积30min‑2h,关闭丙烯的通入路径,完成PyC的沉积;S2、在步骤S1的基础上,继续将温度提升至1300‑1500℃,并控制压力为3‑10kPa,通入甲基三氯硅烷(MTS)和氢气,沉积10min‑1h,关闭甲基三氯硅烷和氢气的通入路径,完成SiC的沉积,降温并将压力升至常压,得到PyC/SiC界面相。本发明的制备方法解决了目前制备的PyC/SiC多层界面相无法均匀沉积的问题。

    一种沉积PyC/SiC界面相的制备方法、陶瓷基复合材料

    公开(公告)号:CN117003572B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202310959493.0

    申请日:2023-08-01

    Abstract: 本发明提供了一种沉积PyC/SiC界面相的制备方法,包括以下步骤:S1、将碳纤维预制体置于化学气相沉积炉中,抽真空,在氮气保护下提升温度至950‑1000℃,并控制压力为5‑10kPa,通入丙烯,沉积30min‑2h,关闭丙烯的通入路径,完成PyC的沉积;S2、在步骤S1的基础上,继续将温度提升至1300‑1500℃,并控制压力为3‑10kPa,通入甲基三氯硅烷(MTS)和氢气,沉积10min‑1h,关闭甲基三氯硅烷和氢气的通入路径,完成SiC的沉积,降温并将压力升至常压,得到PyC/SiC界面相。本发明的制备方法解决了目前制备的PyC/SiC多层界面相无法均匀沉积的问题。

    一种溶胶-凝胶法制备高红外辐射率高温抗氧化涂层的方法

    公开(公告)号:CN102766866A

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN201210234806.8

    申请日:2012-07-09

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种溶胶-凝胶法制备高红外辐射率高温抗氧化涂层的方法,即采用正硅酸乙酯、氧氯化锆为原料,氯化锂或氟化锂为矿化剂,将其制备成溶胶后直接涂覆在碳化硅或碳基复合材料基体表面,经过烘干、烧结得到一层致密的硅酸锆高红外辐射率高温抗氧化涂层。该技术属于无机非金属材料技术领域。该方法制备的涂层具有高红外辐射率,可以作为高温抗氧化涂层,同时能够起到强制散热效果,且工艺简单便于实际应用。

    一种制备纳米晶碳化锆粉体的方法

    公开(公告)号:CN102765720A

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN201210239777.4

    申请日:2012-07-12

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种制备纳米晶碳化锆粉体的方法,该方法以氧氯化锆、氨水和蔗糖为原料。按照一定比例将氧氯化锆和蔗糖溶于无水乙醇和水混合溶液中,溶液中加入聚乙二醇6000为分散剂,然后滴加氨水反应,得到氢氧化锆沉淀,干燥后所得粉末压制成坯体在高纯氩气气氛下经1500~1650℃高温焙烧,经充分研磨得到纳米晶碳化锆粉体。此方法制备纳米晶碳化锆粉体原料成本低,工艺简单,有利于规模化生产,且产物纯度高,晶粒尺寸均匀。

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