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公开(公告)号：CN114167625A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111397396.4
申请日：2021-11-23
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供了一种腔体加载谐振单元嵌套二极管的太赫兹调制器，包括矩形波导和调制芯片，调制芯片设置在矩形波导的腔体壁上；矩形波导上设置有输入波导口和输出波导口；调制芯片包括半导体衬底和置于半导体衬底上的人工微结构；半导体衬底一侧与矩形波导的腔体壁相接触，人工微结构与矩形波导的腔体壁不接触；矩形波导纵向上下两侧壁与调制芯片相接触，矩形波导纵向上下两侧壁上分别设置有空气窗，空气窗用于外部控制电路与芯片上的电极进行电气连接。本发明的调制芯片上的人工微结构采用极少的调制单元，与传统的大阵列设计相比，存在于大阵列结构中的寄生模式被有效抑制，这有利于芯片中二极管高频特性的发挥，从而提高器件的调制速率。
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公开(公告)号：CN112713219A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011605117.4
申请日：2020-12-29
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0288 , H01L31/09
Abstract: 本发明提供了一种共掺杂阻挡杂质带探测系统及方法，包括：步骤S1:在高阻硅衬底的单侧表面，注入As离子或者P离子，采用炉管进行退火；步骤S2:在离子注入后表面继续外延生长As、P元素共掺杂的吸收层；步骤S3:在吸收层上继续通过金属有机化学气相沉积工艺外延生长高阻硅作为阻挡层；步骤S4:在阻挡层上，形成局部的正电极接触区；在阻挡层、正电极接触区以及一定深度的吸收层内，形成台面结构。步骤S5：在所述台面表面、侧壁及其底部，沉积二氧化硅钝化层；步骤S6：在二氧化硅钝化层上，开正负电极孔；步骤S7：在正、负电极孔内，形成欧姆接触良好的正电极、负电极。本发明能够提升有效入射率，提升探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN114927585A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210387745.2
申请日：2022-04-14
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
Inventor： 王兵兵 , 陈雨璐 , 崔慧源 , 周宏 , 吴翼飞 , 刘文辉 , 王洋刚 , 董祚汝 , 陈栋 , 童武林 , 秦世宏 , 周扬州 , 徐方俊鹏 , 杨绪起 , 戴小宛 , 汪泽文 , 张传胜 , 王晓东 , 曹俊诚
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法，制作方法包括：在高导砷化镓衬底上，通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构，完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层，以及集成多晶硅超表面结构，可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题，在保证晶体质量的前提下，达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的，提高了吸收效率及探测响应率。快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法，避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解，提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
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公开(公告)号：CN114280770B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202111436725.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
Abstract: 本发明提供一种太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法，涉及光学技术领域，设计方法包括：步骤S1，计算竖直偏振太赫兹光束入射时，不同尺寸硅圆柱的透射振幅和相移；步骤S2，选出多个不同尺寸且高透射振幅的硅圆柱，选出的硅圆柱的相移能够覆盖‑180°到180°；步骤S3，将选出的不同尺寸的硅圆柱，根据离轴超透镜对应的相位调制函数，排布在硅基底上；步骤S4，在硅基底的另一侧设计减反射的硅圆柱阵列，其中的硅圆柱尺寸相同；由硅基底及其两侧的硅圆柱阵列组成太赫兹全硅离轴超透镜。本发明设计出的全硅超透镜能够实现将入射的太赫兹光束在离轴方向上进行聚焦，克服现有离轴超透镜存在的加工复杂的问题，填补太赫兹波段全硅离轴超透镜研究的空白。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114280770A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111436725.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
Abstract: 本发明提供一种太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法，涉及光学技术领域，设计方法包括：步骤S1，计算竖直偏振太赫兹光束入射时，不同尺寸硅圆柱的透射振幅和相移；步骤S2，选出多个不同尺寸且高透射振幅的硅圆柱，选出的硅圆柱的相移能够覆盖‑180°到180°；步骤S3，将选出的不同尺寸的硅圆柱，根据离轴超透镜对应的相位调制函数，排布在硅基底上；步骤S4，在硅基底的另一侧设计减反射的硅圆柱阵列，其中的硅圆柱尺寸相同；由硅基底及其两侧的硅圆柱阵列组成太赫兹全硅离轴超透镜。本发明设计出的全硅超透镜能够实现将入射的太赫兹光束在离轴方向上进行聚焦，克服现有离轴超透镜存在的加工复杂的问题，填补太赫兹波段全硅离轴超透镜研究的空白。
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公开(公告)号：CN116911122A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310848641.1
申请日：2023-07-11
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
IPC: G06F30/23 , H01L31/107 , H01L31/18 , G06F111/10 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种优化光电二极管光谱响应特性的方法及光电二极管，首先通过数值模拟及数据拟合得到光电二极管光谱响应优值因子随工作温度变化的曲线，进而根据所述曲线提取出最优光谱响应特性对应的工作温度，并按照该温度对光电二极管的工作温度进行设置，则光电二极管的光谱响应特性将具有最优值。本发明的优点在于，可以针对不同材料组份及不同工艺条件得到的光电二极管提取出最优光谱响应特性对应的工作温度，据此通过温控接口对工作温度进行设置的光电二极管可以平衡光谱响应峰值电流和光谱响应抑制比，由此获得最优的光谱响应特性，从而避免为了优化器件光谱响应特性进行反复测试，极大地缩短了研发周期并降低了研发成本。
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公开(公告)号：CN114927585B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210387745.2
申请日：2022-04-14
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
Inventor： 王兵兵 , 陈雨璐 , 崔慧源 , 周宏 , 吴翼飞 , 刘文辉 , 王洋刚 , 董祚汝 , 陈栋 , 童武林 , 秦世宏 , 周扬州 , 徐方俊鹏 , 杨绪起 , 戴小宛 , 汪泽文 , 张传胜 , 王晓东 , 曹俊诚
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法，制作方法包括：在高导砷化镓衬底上，通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构，完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层，以及集成多晶硅超表面结构，可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题，在保证晶体质量的前提下，达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的，提高了吸收效率及探测响应率。快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法，避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解，提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
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公开(公告)号：CN112713219B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202011605117.4
申请日：2020-12-29
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0288 , H01L31/09
Abstract: 本发明提供了一种共掺杂阻挡杂质带探测系统及方法，包括：步骤S1:在高阻硅衬底的单侧表面，注入As离子或者P离子，采用炉管进行退火；步骤S2:在离子注入后表面继续外延生长As、P元素共掺杂的吸收层；步骤S3:在吸收层上继续通过金属有机化学气相沉积工艺外延生长高阻硅作为阻挡层；步骤S4:在阻挡层上，形成局部的正电极接触区；在阻挡层、正电极接触区以及一定深度的吸收层内，形成台面结构。步骤S5：在所述台面表面、侧壁及其底部，沉积二氧化硅钝化层；步骤S6：在二氧化硅钝化层上，开正负电极孔；步骤S7：在正、负电极孔内，形成欧姆接触良好的正电极、负电极。本发明能够提升有效入射率，提升探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN112731547A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011587131.6
申请日：2020-12-28
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
Abstract: 本发明提供了一种集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法，包括高阻砷化镓衬底、砷化镓掺杂吸收层、高阻砷化镓阻挡层、超结构、正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极；砷化镓掺杂吸收层位于阻挡层旁边，正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极设置在砷化镓掺杂吸收层左右两侧；超结构位于砷化镓掺杂吸收层上方。本发明基于超结构的偶极子共振效应，利用光场的局域增强特性，在吸收层较薄的情况下增强对入射太赫兹波的吸收，提高吸收转换效率，进而提升探测器光电响应的信噪比。基于超结构的偶极子共振特性，改变超结构的结构参数来调控共振波长，实现探测器250μm以上太赫兹波段的增强吸收，获得高性能的太赫兹探测器。
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