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公开(公告)号：CN119918485A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411800713.6
申请日：2024-12-09
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
IPC: G06F30/367 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种深低温晶体管模型的设计方法、系统及介质，其中方法包括步骤S1，通过器件设计，确定晶体管尺寸；步骤S2，版图实现：基于晶体管尺寸，绘制各晶体管对应的MOS、CV、LOD、WPE和MIS测试结构；步骤S3，测试提参：基于测试结构，对晶体管在深低温进行测试，获得各类测试数据，深低温为10K以下；步骤S4，模型建立：基于BSIM4模型和各类测试数据，对深低温晶体管模型进行设计，并用相匹配的HSPICE仿真器，将建模过程可视化。本发明提出了一种大规模芯片扫描测试方法，通过获得芯片的统计特性进行更精准地建模。同时，测试方法涵盖了CV测试、IV测试、失配测试、LOD测试、WPE测试和噪声测试，保证了本发明建模数据的可靠性和完整性。
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公开(公告)号：CN119875207A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411914840.9
申请日：2024-12-24
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
Abstract: 本发明公开了一种雷达兼容红外隐身二维纳米复合填料及其制备方法，所述二维纳米复合填料是由含氨基带正电有机大分子与具有本征低红外辐射特性、吸波特性的二维纳米片复合制备而成；所述二维纳米复合填料的制备方法，包括以下步骤：a、将二维纳米片与有机大分子共混于缓冲液获得混合分散液；b、将步骤a所述混合分散液进行水浴加热，获得絮状沉淀；c、将步骤b所述絮状沉淀离心、洗涤、干燥获得二维纳米复合填料。本发明制备的二维纳米复合填料在2‑18GHz具备高雷达波吸收率，在8‑14μm具备低红外发射率，可以获得雷达兼容红外隐身材料。
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公开(公告)号：CN116911122A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310848641.1
申请日：2023-07-11
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
IPC: G06F30/23 , H01L31/107 , H01L31/18 , G06F111/10 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种优化光电二极管光谱响应特性的方法及光电二极管，首先通过数值模拟及数据拟合得到光电二极管光谱响应优值因子随工作温度变化的曲线，进而根据所述曲线提取出最优光谱响应特性对应的工作温度，并按照该温度对光电二极管的工作温度进行设置，则光电二极管的光谱响应特性将具有最优值。本发明的优点在于，可以针对不同材料组份及不同工艺条件得到的光电二极管提取出最优光谱响应特性对应的工作温度，据此通过温控接口对工作温度进行设置的光电二极管可以平衡光谱响应峰值电流和光谱响应抑制比，由此获得最优的光谱响应特性，从而避免为了优化器件光谱响应特性进行反复测试，极大地缩短了研发周期并降低了研发成本。
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公开(公告)号：CN114927585B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210387745.2
申请日：2022-04-14
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
Inventor： 王兵兵 , 陈雨璐 , 崔慧源 , 周宏 , 吴翼飞 , 刘文辉 , 王洋刚 , 董祚汝 , 陈栋 , 童武林 , 秦世宏 , 周扬州 , 徐方俊鹏 , 杨绪起 , 戴小宛 , 汪泽文 , 张传胜 , 王晓东 , 曹俊诚
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法，制作方法包括：在高导砷化镓衬底上，通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构，完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层，以及集成多晶硅超表面结构，可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题，在保证晶体质量的前提下，达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的，提高了吸收效率及探测响应率。快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法，避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解，提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
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公开(公告)号：CN119815961A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411704054.6
申请日：2024-11-26
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
Inventor： 王兵兵 , 刘文辉 , 吴翼飞 , 王洋刚 , 郑露露 , 葛馨 , 陈宇石 , 崔星煜 , 马红波 , 李影 , 董祚汝 , 陈栋 , 汪泽文 , 梁芳 , 张传胜 , 王晓东 , 周宏
IPC: H10F71/00 , H10F30/00 , H10F77/124 , H10F77/30
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基光电导太赫兹探测器及其制备方法；包括在砷化镓掺S衬底底部离子注入S形成负电极接触层；在表面通过光刻、等离子体去胶、反应离子刻蚀形成光刻对准标记后，PECVD生长氮化硅离子注入保护层；再光刻、等离子体去胶、离子注入S形成正电极接触层；经快速热退火、湿法腐蚀后在正电极接触层上沉积氮化硅钝化层，再经光刻、等离子体去胶、反应离子刻蚀，湿法腐蚀、蒸镀，电极剥离、退火形成正电极。本发明直接采用砷化镓掺S衬底作为太赫兹辐射的吸收层，相对于外延生长的砷化镓掺S吸收层以及离子注入形成的砷化镓掺S吸收层，具有晶格质量高，厚度大，缺陷密度小等优点，同时能够达到完全吸收太赫兹辐射的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119815953A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411779580.9
申请日：2024-12-05
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
Abstract: 本发明提供了一种多色Ge基S、P共掺杂阻挡杂质带探测器及其制备方法，包括：由多个像元组成的台面型阵列，所述像元包括：高导Ge衬底层、吸收层、SiNx钝化层、高纯Ge阻挡层、正电极接触层；所述高导Ge衬底层的下表面形成有负电极，所述吸收层位于高导Ge衬底层上表面，所述吸收层为S、P共掺杂吸收层；所述高纯Ge阻挡层位于所述吸收层的上表面；所述正电极接触层在所述高纯Ge阻挡层的上表面形成，在所述正电极接触层上局部区域形成有正电极；在所述正电极接触层及阻挡层侧面形成有像元隔离槽，所述SiNx钝化层位于像元隔离槽的底部。本发明可以实现单探测器覆盖2‑150μm的光谱响应，极大提升了器件响应带宽。
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公开(公告)号：CN119667939A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411850786.6
申请日：2024-12-16
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
Abstract: 本发明提供了一种长波及甚长波红外全硅减反超表面组成方法和系统，包括：步骤S1：采集高纯硅材料的光学信息；步骤S2：根据所述光学信息，求出所述高纯硅材料的复折射率参数；步骤S3：根据所述复折射率参数，建立超表面模型；步骤S4：基于所述超表面模型得到高纯硅柱结构的反射率曲线；步骤S5：根据所述反射率曲线，得出平均反射率并且选出所述平均反射率最小情况下对应的高纯硅柱结构的物理参数；将所述物理参数周期排布在高纯硅衬底上，进而形成目标超表面；本发明提供的高纯硅柱结构与高纯硅衬底为同一材料，避免了引入新材料而导致热应力失配、易脱落的问题，可适配于常温及低温工作的探测器。
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公开(公告)号：CN114927585A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210387745.2
申请日：2022-04-14
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
Inventor： 王兵兵 , 陈雨璐 , 崔慧源 , 周宏 , 吴翼飞 , 刘文辉 , 王洋刚 , 董祚汝 , 陈栋 , 童武林 , 秦世宏 , 周扬州 , 徐方俊鹏 , 杨绪起 , 戴小宛 , 汪泽文 , 张传胜 , 王晓东 , 曹俊诚
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法，制作方法包括：在高导砷化镓衬底上，通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构，完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层，以及集成多晶硅超表面结构，可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题，在保证晶体质量的前提下，达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的，提高了吸收效率及探测响应率。快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法，避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解，提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
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公开(公告)号：CN119833419A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411752736.4
申请日：2024-12-02
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
IPC: H01L21/603 , H10F71/00
Abstract: 本发明提供了一种硅基阻挡杂质带器件与读出电路互连方法及系统，包括：在硅基阻挡杂质带器件和读出电路接触层表面，通过光刻、电子束蒸发及剥离后形成欧姆接触良好的正、负电极；在正、负电极上，通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积氮化硅钝化层；在氮化硅钝化层上，通过光刻、反应离子束刻蚀及湿法腐蚀工艺开正、负电极孔；在正、负电极孔上，通过光刻、电子束蒸发及剥离制备铟柱。本发明利用铟对金的浸润反应而对氮化硅的不浸润特性，在已钝化的硅基阻挡杂质带探测器和读出电路片上刻蚀出电极孔，在回流过程中，铟柱会熔缩成球，形成自对准作用，能够有效解决倒装焊过程中的对准误差问题，提高互连的精确度和可靠性。
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公开(公告)号：CN114280770B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202111436725.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
Abstract: 本发明提供一种太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法，涉及光学技术领域，设计方法包括：步骤S1，计算竖直偏振太赫兹光束入射时，不同尺寸硅圆柱的透射振幅和相移；步骤S2，选出多个不同尺寸且高透射振幅的硅圆柱，选出的硅圆柱的相移能够覆盖‑180°到180°；步骤S3，将选出的不同尺寸的硅圆柱，根据离轴超透镜对应的相位调制函数，排布在硅基底上；步骤S4，在硅基底的另一侧设计减反射的硅圆柱阵列，其中的硅圆柱尺寸相同；由硅基底及其两侧的硅圆柱阵列组成太赫兹全硅离轴超透镜。本发明设计出的全硅超透镜能够实现将入射的太赫兹光束在离轴方向上进行聚焦，克服现有离轴超透镜存在的加工复杂的问题，填补太赫兹波段全硅离轴超透镜研究的空白。
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