公开(公告)号：CN119918485A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411800713.6

申请日：2024-12-09

Applicant: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)

Inventor： 陈宇石 ,  葛馨 ,  李颖 ,  马红波 ,  梁芳 ,  崔星煜 ,  陈栋 ,  汪泽文 ,  张文济 ,  王晓东

IPC: G06F30/367 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供了一种深低温晶体管模型的设计方法、系统及介质，其中方法包括步骤S1，通过器件设计，确定晶体管尺寸；步骤S2，版图实现：基于晶体管尺寸，绘制各晶体管对应的MOS、CV、LOD、WPE和MIS测试结构；步骤S3，测试提参：基于测试结构，对晶体管在深低温进行测试，获得各类测试数据，深低温为10K以下；步骤S4，模型建立：基于BSIM4模型和各类测试数据，对深低温晶体管模型进行设计，并用相匹配的HSPICE仿真器，将建模过程可视化。本发明提出了一种大规模芯片扫描测试方法，通过获得芯片的统计特性进行更精准地建模。同时，测试方法涵盖了CV测试、IV测试、失配测试、LOD测试、WPE测试和噪声测试，保证了本发明建模数据的可靠性和完整性。