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公开(公告)号：CN114695225A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011628767.0
申请日：2020-12-31
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L23/544
Abstract: 本发明实施例公开了一种晶圆预对准装置和晶圆预对准方法。该装置包括：图像采集模块，其中包括图像采集单元和相机位置切换机构，图像采集模块用于分别采集晶圆的边缘信息和其上标记的位置信息；数据处理模块用于根据边缘信息和标记位置信息，分别确定晶圆的实际位置与预设对准位置的第一偏移量和第二偏移量；粗预对准模块用于对晶圆的第一偏移量进行补偿；精预对准模块用于对晶圆的第二偏移量进行补偿。本发明实施例解决了现有对准装置预对准精度偏差较大的问题，不仅可提高预对准精度，还能适用各类键合片的预对准，满足后续晶圆光刻对位需求。
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公开(公告)号：CN111106053A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811252773.3
申请日：2018-10-25
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/027
Abstract: 本发明实施例公开了一种硅片预对准装置和方法，该硅片预对准装置包括定向模块、边缘信息采集模块和处理模块，通过定向模块承载和固定预对准硅片，采用边缘信息采集模块采集预对准硅片的边缘信息，以使预处理模块能够根据该边缘信息计算预对准硅片的位置与预设对准位置的偏移量，相对于现有的硅片预对准装置，具有简单的结构、较低的成本和较高的精度，且预对准方式简单易实现，从而提高的生产效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN111106053B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201811252773.3
申请日：2018-10-25
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/027
Abstract: 本发明实施例公开了一种硅片预对准装置和方法，该硅片预对准装置包括定向模块、边缘信息采集模块和处理模块，通过定向模块承载和固定预对准硅片，采用边缘信息采集模块采集预对准硅片的边缘信息，以使预处理模块能够根据该边缘信息计算预对准硅片的位置与预设对准位置的偏移量，相对于现有的硅片预对准装置，具有简单的结构、较低的成本和较高的精度，且预对准方式简单易实现，从而提高的生产效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN114578655A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011382563.3
申请日：2020-11-30
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种边缘曝光装置、方法及光刻设备。装置包括预对准模块、边缘曝光模块、运动模块、控制模块及固定模块；运动模块包括X向运动机构、Y向运动机构、Z向升降机构及旋转台，旋转台用于承载硅片；固定模块包括交接台，交接台用于在预对准模块获取硅片的位置误差后承载硅片，控制模块用于根据位置误差控制运动模块调整旋转台的位置，以实现硅片的预对准；控制模块还用于在预对准后控制运动模块从交接台获取硅片，并移动至边缘曝光模块位置处进行边缘曝光。本发明实施例的技术方案，既能同时实现硅片的预对准和边缘曝光功能，又能减少控制对象，具有结构简单紧凑、成本低、易于模块集成调试等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111198483B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201811386613.8
申请日：2018-11-20
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 本发明涉及一种光刻预对准装置，包括：三个安装件，其中第一安装件的侧面设置有相互垂直的两根导轨，第一导轨上设置C轴滑块和L轴滑块，第二导轨设置Z轴滑块，基底的X向和Z向位置分别由C轴滑块和Z轴滑块补偿；第二安装件固接于Z轴滑块，第二安装件上设置R轴轴承，基底的R向位置由R轴轴承补偿；第三安装件固接于L轴滑块，第三安装件上设置光学侦测元件，光学侦测元件的X向位置由L轴滑块补偿，从而实现光刻预对准装置兼容处理不同尺寸的基底；光刻预对准装置还包括两个基底支撑件，第二基底支撑件固接于C轴滑块；第一基底支撑件与R轴轴承连接，用于调整基底的位移和角度。本发明所提供的光刻预对准装置降低了制作和集成的难度。
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公开(公告)号：CN111198483A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201811386613.8
申请日：2018-11-20
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 本发明涉及一种光刻预对准装置，包括：三个安装件，其中第一安装件的侧面设置有相互垂直的两根导轨，第一导轨上设置C轴滑块和L轴滑块，第二导轨设置Z轴滑块，基底的X向和Z向位置分别由C轴滑块和Z轴滑块补偿；第二安装件固接于Z轴滑块，第二安装件上设置R轴轴承，基底的R向位置由R轴轴承补偿；第三安装件固接于L轴滑块，第三安装件上设置光学侦测元件，光学侦测元件的X向位置由L轴滑块补偿，从而实现光刻预对准装置兼容处理不同尺寸的基底；光刻预对准装置还包括两个基底支撑件，第二基底支撑件固接于C轴滑块；第一基底支撑件与R轴轴承连接，用于调整基底的位移和角度。本发明所提供的光刻预对准装置降低了制作和集成的难度。
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公开(公告)号：CN119480730A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411546530.6
申请日：2024-10-31
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供了一种基板交接方法、基板交接系统和可读存储介质，该方法包括采用闭环模式控制升降机构运动至第一目标工位；采用开环模式控制升降机构按照第一预设正向出力规则在每个正向出力开环控制周期输出对应的出力直至升降机构的位置达到或高于第二目标工位，并在满足第一预设条件时，开启升降机构的真空，待升降机构吸附住待交接基板后，关闭用于承载待交接基板的承载件的真空；采用开环模式控制升降机构按照第一预设反向出力规则输出对应的出力，直至满足第一预设闭环控制切换条件。本发明可以解决机台对不同类型的基板的适应性问题，保证交接过程出力平顺，实现基板的平稳交接。
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公开(公告)号：CN119361499A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202311869820.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种预对准方法及预对准装置，所述预对准方法包括：S1：采集晶圆的边缘信息获得偏心量，调整晶圆位置补偿晶圆偏心量；S2：采集晶圆上表面的划线槽图像信息，获得划线槽的实际方向，转动晶圆以将晶圆的划线槽的方向调整至指定方向；S3：采集晶圆上表面的边缘处位于照明区域内的边缘图像信息，将所述边缘图像信息与模板的缺口匹配，以获取晶圆的缺口位置完成定向。该方法适应于缺口形貌发生了剧烈变化的晶圆的预对准，有助于提高了工作效率，并有助于实现自动化对准作业。
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公开(公告)号：CN114578655B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202011382563.3
申请日：2020-11-30
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种边缘曝光装置、方法及光刻设备。装置包括预对准模块、边缘曝光模块、运动模块、控制模块及固定模块；运动模块包括X向运动机构、Y向运动机构、Z向升降机构及旋转台，旋转台用于承载硅片；固定模块包括交接台，交接台用于在预对准模块获取硅片的位置误差后承载硅片，控制模块用于根据位置误差控制运动模块调整旋转台的位置，以实现硅片的预对准；控制模块还用于在预对准后控制运动模块从交接台获取硅片，并移动至边缘曝光模块位置处进行边缘曝光。本发明实施例的技术方案，既能同时实现硅片的预对准和边缘曝光功能，又能减少控制对象，具有结构简单紧凑、成本低、易于模块集成调试等优点。
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