公开(公告)号：CN119517809A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411690511.0

申请日：2024-11-22

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 邱耀武 ,  王伟 ,  蒋俊南

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了一种晶圆表面处理系统及方法、计算机可读存储介质，晶圆表面处理方法包括：将晶圆承载于快排槽底部的支撑件上，且浸没于去离子水的液面以下；排出快排槽内的部分去离子水至去离子水的液面不低于支撑件；使第一机械臂部分地伸入快排槽，并使第一机械臂上的接触部不低于去离子水的液面；使接触部与晶圆接触以使得第一机械臂夹持晶圆；使第一机械臂携带晶圆以较小的第一速度向上运动至晶圆的下端抵达去离子水的液面；使第一机械臂携带晶圆以第二速度向上至晶圆不低于快排槽的槽口。如此处理，使得晶圆在脱离快排槽时可以充分地与去离子水剥离，减少晶圆干燥后在晶圆边缘2mm范围内的固定位置发生残留水膜干燥形成污染物的现象。

公开(公告)号：CN119799428A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411999011.5

申请日：2024-12-31

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 王伟 ,  邱耀武 ,  蒋俊南

IPC: C11D7/08 ,  C11D7/04 ,  C11D7/60 ,  H01L21/02

Abstract: 一种晶圆的清洗液及清洗方法，该清洗液用于SC‑2清洗过程，包括盐酸、过氧化氢和去离子水；其中，所述清洗液的pH值大于2。本申请能够切实有效地防止颗粒物于晶圆表面沉积，进而减少晶圆表面的颗粒物沉积数量，提升对晶圆的清洗效果。