公开(公告)号：CN108611511B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201810431239.2

申请日：2018-05-08

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 陈小红 ,  刘平 ,  周洪雷 ,  李伟 ,  付少利 ,  吴湾湾 ,  刘新宽 ,  张柯 ,  马凤仓

IPC: C22C1/05 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22F1/08 ,  C22F1/02 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明公开了一种新型三维互通CNTs/Cu复合材料及其制备方法。本发明运用放电等离子预压烧结三维疏松结构，并采用水辅助化学气相沉积(CVD)法实现CNTs的原位生成，最后采用SPS制备CNTs/Cu复合材料。本发明制得的复合材料导电性及强度等各项性能优异，可用于电器、电子领域，且制备方法简单、成本低、制备过程易于实施及控制。

公开(公告)号：CN108611511A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810431239.2

申请日：2018-05-08

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 陈小红 ,  刘平 ,  周洪雷 ,  李伟 ,  付少利 ,  吴湾湾 ,  刘新宽 ,  张柯 ,  马凤仓

IPC: C22C1/05 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22F1/08 ,  C22F1/02 ,  C23C16/26

CPC classification number: C22C1/05 ,  B22F2003/1051 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C2026/002 ,  C22F1/02 ,  C22F1/08 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明公开了一种新型三维互通CNTs/Cu复合材料及其制备方法。本发明运用放电等离子预压烧结三维疏松结构，并采用水辅助化学气相沉积(CVD)法实现CNTs的原位生成，最后采用SPS制备CNTs/Cu复合材料。本发明制得的复合材料导电性及强度等各项性能优异，可用于电器、电子领域，且制备方法简单、成本低、制备过程易于实施及控制。