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发明公开
一种基于半导体激光器的深度储备池光计算方法和系统审中-实审

公开(公告)号：CN114723022A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210280738.2

申请日：2022-03-22

Applicant: 上海科技大学

Inventor： 王成 , 何旭明 , 虞晶怡 , 林保德 , 汤佳燕

IPC: G06N3/06 , G06N3/067

Abstract: 本发明的一个技术方案是提供一种基于半导体激光器的深度储备池光计算方法，本发明的另一个技术方案是提供了一种深度储备池光计算系统。本发明中每一层储备池主要由半导体激光器和光学延迟线构成，并由此产生大量的虚拟神经元。上一层储备池中激光器的输出通过光注入锁定技术单向的注入到下一层储备池的激光器中，从而实现储备池计算的深度架构。本发明提出的储备池光计算系统深度不受限制，因此具有良好的可拓展性。储备池层与层之间的连接为全光方式连接，因此具有装置简单、成本低、能耗小的优势。

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