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公开(公告)号：CN119922959A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510247949.X
申请日：2025-03-03
Applicant: 上海积塔半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种IGBT器件的终端结构、制作方法及IGBT器件，该终端结构通过在多晶硅层的特定位置形成开口，通过底层介质层填充该开口并叠加中间介质层形成梯度复合介质层结构。该结构能够有效引导电场从第一导电类型阱区边缘等高曲率区域向低场强区域扩散，有效抑制电场峰值集中。同时终端结构中开口区域介质层的增厚设计能够强化局部耐压，增强界面耐压能力。上述双重机制协同作用，有效提升器件整体耐压性能。此外，本发明避免了传统场限环结构所需的深结离子注入和高温推结等复杂工艺，在简化制造工艺、降低成本的同时，消除了深结工艺及高温推结过程中可能引发的晶圆翘曲、晶格损伤及漏电流劣化等问题，显著提升器件可靠性和整体性能。
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