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公开(公告)号：CN110838541B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201810936272.0
申请日：2018-08-16
Applicant: 世界先进积体电路股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁阻装置及其形成方法，该磁阻装置包含磁阻、保护层、第一导电结构、以及第二导电结构。磁阻设置于衬底之上，并且保护层形成于部分磁阻上。第一导电结构设置于保护层结构上，包含下阻挡层和设置于下阻挡层上的金属层。第二导电结构设置于衬底之上并部分覆盖磁阻，且第二导电结构包含上述下阻挡层和上述金属层。本发明利用在磁阻材料层上形成保护材料层，接着将磁阻材料层和保护材料层一起图案化，保护层只有形成在磁阻上，未覆盖其他区域。因此，在后续的工艺中，保护层不再会从磁阻的图案边缘裂开，这避免了磁阻的图案边缘发生局部剥离的问题，进而提升磁阻装置的制造良品率。
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公开(公告)号：CN110838541A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201810936272.0
申请日：2018-08-16
Applicant: 世界先进积体电路股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁阻装置及其形成方法，该磁阻装置包含磁阻、保护层、第一导电结构、以及第二导电结构。磁阻设置于衬底之上，并且保护层形成于部分磁阻上。第一导电结构设置于保护层结构上，包含下阻挡层和设置于下阻挡层上的金属层。第二导电结构设置于衬底之上并部分覆盖磁阻，且第二导电结构包含上述下阻挡层和上述金属层。本发明利用在磁阻材料层上形成保护材料层，接着将磁阻材料层和保护材料层一起图案化，保护层只有形成在磁阻上，未覆盖其他区域。因此，在后续的工艺中，保护层不再会从磁阻的图案边缘裂开，这避免了磁阻的图案边缘发生局部剥离的问题，进而提升磁阻装置的制造良品率。
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公开(公告)号：CN114487039B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202011143756.3
申请日：2020-10-23
Applicant: 世界先进积体电路股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电容式生物感测器。电容式生物感测器包括：晶体管、设置于晶体管上的内连线结构以及设置于内连线结构上的钝化层。内连线结构包括晶体管上的第一金属结构、第一金属结构上的第二金属结构以及第二金属结构上的第三金属结构。第三金属结构包括依序堆迭的第一导电层、第二导电层与第三导电层。钝化层具有开口，其露出部分的第三金属结构。电容式生物感测器更包括设置于内连线结构上的感测区。感测区包括第一感测电极与第二感测电极，第一感测电极由第三导电层形成，且第二感测电极设置于钝化层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114487039A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011143756.3
申请日：2020-10-23
Applicant: 世界先进积体电路股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电容式生物感测器。电容式生物感测器包括：晶体管、设置于晶体管上的内连线结构以及设置于内连线结构上的钝化层。内连线结构包括晶体管上的第一金属结构、第一金属结构上的第二金属结构以及第二金属结构上的第三金属结构。第三金属结构包括依序堆迭的第一导电层、第二导电层与第三导电层。钝化层具有开口，其露出部分的第三金属结构。电容式生物感测器更包括设置于内连线结构上的感测区。感测区包括第一感测电极与第二感测电极，第一感测电极由第三导电层形成，且第二感测电极设置于钝化层上。
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公开(公告)号：CN114614787A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011423052.1
申请日：2020-12-08
Applicant: 世界先进积体电路股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种兰姆波谐振器及其制作方法，该兰姆波谐振器包括：一压电材料层；一第一指状电极，设置于所述压电材料层的一侧，该第一指状电极包括一第一主干部与复数个第一分支部；一第二指状电极，设置于所述压电材料层的所述一侧，该第二指状电极包括一第二主干部与复数个第二分支部，其中各所述第一分支部与各所述第二分支部平行且交错排列；至少两个浮置电极，设置于各所述第一分支部和各所述第二分支部之间；以及至少两个间隙，分别设置于各所述浮置电极的两端。
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公开(公告)号：CN108288612B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201710013258.9
申请日：2017-01-09
Applicant: 世界先进积体电路股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明实施例提供电接触结构及其形成方法，此方法包含形成薄膜材料层于衬底上，形成第一阻挡层于薄膜材料层上，形成金属层于第一阻挡层上，将金属层图案化以形成金属图案，形成间隔物于金属图案的侧壁上且覆盖第一阻挡层的一部分，刻蚀第一阻挡层，其中位于间隔物下方的第一阻挡层的此部分未被完全刻蚀，以及移除间隔物，暴露出金属图案的侧壁，以形成电接触结构于薄膜材料层上，其中第一阻挡层具有突出部超出金属图案的侧壁之外。通过实施本发明，可提高电接触结构的电性稳定性及可靠度，避免电接触结构的电阻变大。
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公开(公告)号：CN112750942A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911044722.6
申请日：2019-10-30
Applicant: 世界先进积体电路股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁阻装置及其形成方法。该磁阻装置包含设置于衬底之上的磁阻、覆盖磁阻的侧表面的应力释放结构、设置于磁阻之上的电连接结构、以及设置于电连接结构和应力释放结构之上的钝化层。本发明通过形成应力释放结构覆盖磁阻的侧表面，释放了施加于磁阻的应力，可以避免磁阻的图案边缘处发生局部裂开，进而避免磁阻的图案边缘发生局部剥离的问题。因此，本发明能提升磁阻装置的制造良品率。
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公开(公告)号：CN108288612A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201710013258.9
申请日：2017-01-09
Applicant: 世界先进积体电路股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/4853
Abstract: 本发明实施例提供电接触结构及其形成方法，此方法包含形成薄膜材料层于衬底上，形成第一阻挡层于薄膜材料层上，形成金属层于第一阻挡层上，将金属层图案化以形成金属图案，形成间隔物于金属图案的侧壁上且覆盖第一阻挡层的一部分，刻蚀第一阻挡层，其中位于间隔物下方的第一阻挡层的此部分未被完全刻蚀，以及移除间隔物，暴露出金属图案的侧壁，以形成电接触结构于薄膜材料层上，其中第一阻挡层具有突出部超出金属图案的侧壁之外。通过实施本发明，可提高电接触结构的电性稳定性及可靠度，避免电接触结构的电阻变大。
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