公开(公告)号：CN115103872B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202180011600.6

申请日：2021-01-28

Applicant: 东亚合成株式会社 ,  国立大学法人名古屋工业大学

Inventor： 岩濑贤明 ,  岩本雄二 ,  本多泽雄 ,  大幸裕介 ,  角谷祐辅

IPC: C08G77/20 ,  C07F7/08 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C08L83/04 ,  C08K3/00 ,  C08K3/28

Abstract: 本发明提供能够进一步有助于热传导率的提高的倍半硅氧烷衍生物。因此，本说明书中，由下式表示的倍半硅氧烷衍生物通过固化而形成热传导率优异的基体。[SiO4/2]s[R1‑SiO3/2]t[R2‑SiO3/2]u[H‑SiO3/2]v[R32‑SiO2/2]w[H,R42‑SiO1/2]x[R53‑SiO1/2]y(1)〔式中，R1为能够进行硅氢化反应的、具有碳‑碳不饱和键的碳原子数2～30的有机基团，R2、R3、R4及R5各自独立地为选自由碳原子数1～10的烷基、碳原子数5～10的芳基及碳原子数6～10的芳烷基构成的组中的至少1种，t、u、

公开(公告)号：CN115103872A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202180011600.6

申请日：2021-01-28

Applicant: 东亚合成株式会社 ,  国立大学法人名古屋工业大学

Inventor： 岩濑贤明 ,  岩本雄二 ,  本多泽雄 ,  大幸裕介 ,  角谷祐辅

IPC: C08G77/20 ,  C07F7/08 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C08L83/04 ,  C08K3/00 ,  C08K3/28

Abstract: 本发明提供能够进一步有助于热传导率的提高的倍半硅氧烷衍生物。因此，本说明书中，由下式表示的倍半硅氧烷衍生物通过固化而形成热传导率优异的基体。[SiO4/2]s[R1‑SiO3/2]t[R2‑SiO3/2]u[H‑SiO3/2]v[R32‑SiO2/2]w[H,R42‑SiO1/2]x[R53‑SiO1/2]y(1)〔式中，R1为能够进行硅氢化反应的、具有碳‑碳不饱和键的碳原子数2～30的有机基团，R2、R3、R4及R5各自独立地为选自由碳原子数1～10的烷基、碳原子数5～10的芳基及碳原子数6～10的芳烷基构成的组中的至少1种，t、u、w及x为正数，s、v及y为0或正数。〕。