公开(公告)号：CN105023863B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201510217206.4

申请日：2015-04-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井户泰幸 ,  新藤尚树 ,  折居武彦 ,  江头佳祐 ,  八谷洋介 ,  大石幸太郎 ,  河野央 ,  下村伸一郎

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供能够降低因喷嘴内的水解劣化而导致的甲硅烷基化液的废弃量的基板液处理装置和基板液处理方法。通过向喷嘴(43)内的甲硅烷基化液流路(431)供给阻隔流体，从而利用在比位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液靠近喷出口(434)的一侧存在的阻隔流体将位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液与喷出口的外部的气氛阻隔开。

公开(公告)号：CN115692172A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210873730.7

申请日：2022-07-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井上纱绫 ,  田中晓 ,  下村伸一郎 ,  井原亨 ,  枇杷聪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。该基板处理装置具备流体喷出部及与其连接的供给线路；流体排出部及与其连接的排出线路；以及流动控制机构，其设置于供给线路和排出线路中的至少一方，对在处理容器内从流体喷出部朝向流体排出部流动的处理流体的流动进行控制，该基板处理方法包括流通工序，在该流通工序中，使处理流体以该处理流体沿基板的表面流动的方式从流体喷出部向流体排出部流动，流通工序包括使处理流体在处理容器内分别以第一及第二流通模式流动的第一及第二流通阶段，第一流通模式与第二流通模式下的沿基板的表面流动的处理流体的流动方向分布不同，第一流通模式与第二流通模式之间的切换由流动控制机构进行。

公开(公告)号：CN105023863A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510217206.4

申请日：2015-04-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井户泰幸 ,  新藤尚树 ,  折居武彦 ,  江头佳祐 ,  八谷洋介 ,  大石幸太郎 ,  河野央 ,  下村伸一郎

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供能够降低因喷嘴内的水解劣化而导致的甲硅烷基化液的废弃量的基板液处理装置和基板液处理方法。通过向喷嘴(43)内的甲硅烷基化液流路(431)供给阻隔流体，从而利用在比位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液靠近喷出口(434)的一侧存在的阻隔流体将位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液与喷出口的外部的气氛阻隔开。

公开(公告)号：CN111834198B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202010267538.4

申请日：2020-04-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 下村伸一郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及基板处理方法及基板处理装置。本发明的课题是提供如下技术：在从形成有铜膜的基板的周缘部去除铜膜的技术中，能够抑制在去除界面周边处发生腐蚀。基于本公开的基板处理方法包括预先加热工序和去除工序。在预先加热工序中，对形成有铜膜的基板进行加热。在去除工序中，对预先加热工序后的基板的周缘部供给含有酸性药液的处理液来去除形成于周缘部的铜膜。

公开(公告)号：CN115775751A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202211046132.9

申请日：2022-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 下村伸一郎

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供能够使存在于处理后的基片的表面的杂质减少的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括具有用于送出送入基片的开口的处理容器；封闭开口的可动的盖体；使盖体在封闭开口的封闭位置与开放开口的开放位置之间移动的盖体移动机构；在处理容器内正面朝上地水平保持基片的基片保持部；流体供给机构，其能够向处理容器供给超临界状态的处理流体和由与超临界状态的处理流体相同的物质构成的气体状态的流体，包括至少一个供给管线和流动控制装置；和控制部，其控制流体供给机构，以使得在基片保持部保持基片且盖体处于封闭位置时向处理容器供给超临界状态的处理流体，并且在盖体处于开放位置时向处理容器供给气体状态的流体。

公开(公告)号：CN111834198A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010267538.4

申请日：2020-04-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 下村伸一郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及基板处理方法及基板处理装置。本发明的课题是提供如下技术：在从形成有铜膜的基板的周缘部去除铜膜的技术中，能够抑制在去除界面周边处发生腐蚀。基于本公开的基板处理方法包括预先加热工序和去除工序。在预先加热工序中，对形成有铜膜的基板进行加热。在去除工序中，对预先加热工序后的基板的周缘部供给含有酸性药液的处理液来去除形成于周缘部的铜膜。