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公开(公告)号：CN101047113A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091349.0
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/311 , H01L21/31 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/513 , C23F4/00 , H01J37/32 , H01J37/00 , H05H1/00 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够使通过电容耦合型的高频放电生成的等离子体密度的空间分布均匀化，并能够对其进行任意控制，提高等离子体的面内均匀性。本发明的等离子体处理装置，下部电极的基座(16)载置被处理基板(W)，通过高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。在基座(16)上方，与其平行的相对配置有上部电极(34)，隔着环状的绝缘体(35)以电浮起的状态安装在腔室(10)上。上部电极(34)的上面与腔室(10)的顶面之间设置有规定的间隔尺寸，其缝隙的一部分或全部形成真空空间(50)。该真空空间(50)的内壁的全部或一部分由片状的绝缘体(52)覆盖。
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公开(公告)号：CN101042991B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200710089463.X
申请日：2007-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够防止在接地电极的表面形成堆积膜。本发明的等离子体处理装置，具备：具有对基板实施等离子体处理的处理空间的基板处理室，对所述处理空间施加高频电力的高频电极，对所述处理空间施加直流电压的直流电极，以及在所述基板处理室内至少露出一部分的接地电极。所述接地电极配置于所述基板处理室中多个内面交叉形成的角部。
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公开(公告)号：CN100517563C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710091349.0
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/311 , H01L21/31 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/513 , C23F4/00 , H01J37/32 , H01J37/00 , H05H1/00 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够使通过电容耦合型的高频放电生成的等离子体密度的空间分布均匀化，并能够对其进行任意控制，提高等离子体的面内均匀性。本发明的等离子体处理装置，下部电极的基座(16)载置被处理基板(W)，通过高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。在基座(16)上方，与其平行的相对配置有上部电极(34)，隔着环状的绝缘体(35)以电浮起的状态安装在腔室(10)上。上部电极(34)的上面与腔室(10)的顶面之间设置有规定的间隔尺寸，其缝隙的一部分或全部形成真空空间(50)。该真空空间(50)的内壁的全部或一部分由片状的绝缘体(52)覆盖。
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公开(公告)号：CN101042991A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710089463.X
申请日：2007-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够防止在接地电极的表面形成堆积膜。本发明的等离子体处理装置，具备：具有对基板实施等离子体处理的处理空间的基板处理室，对所述处理空间施加高频电力的高频电极，对所述处理空间施加直流电压的直流电极，以及在所述基板处理室内至少露出一部分的接地电极。所述接地电极配置于所述基板处理室中多个内面交叉形成的角部。
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