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    等离子体处理方法和等离子体处理装置
    1.
    发明公开
    等离子体处理方法和等离子体处理装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN119487618A

    公开(公告)日：2025-02-18

    申请号：CN202380049160.2

    申请日：2023-06-27

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 松本直树 ,  小津俊久 ,  中村谕 ,  清水祐介

    IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

    Abstract: 本发明提供减少离子通量的分布的不均的技术。提供一种等离子体处理方法，其在具有腔室和配置于上述腔室内的基片支承部的等离子体处理装置中，在上述腔室内生成等离子体来对基片执行等离子体处理。等离子体处理方法包括：(a)预先保存第一分布数据的步骤，上述第一分布数据是关于在上述腔室内生成的等离子体与配置于上述基片支承部的第一基片之间产生的离子通量的分布的数据；(b‑a)将第二基片配置在上述基片支承部的步骤；和(b‑b)基于上述第一分布数据在上述腔室内生成等离子体，来对上述第二基片执行等离子体处理的等离子体处理步骤。

    基片处理装置
    2.
    发明公开
    基片处理装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN119028865A

    公开(公告)日：2024-11-26

    申请号：CN202410589918.8

    申请日：2024-05-13

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 网仓纪彦 ,  松本直树

    IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C16/458

    Abstract: 本发明提供能够在包含挡板结构的基片处理装置中降低腔室内的污染的基片处理装置。基片处理装置包括：配置在基片支承部与腔室的侧壁之间的第一环状挡板；与第一环状挡板在纵向上与重叠地配置的第二环状挡板；和配置在腔室外的第一驱动单元，其包括第一致动器，第一致动器构成为能够通过使上述第二磁铁结构体在横向上旋转而使上述第一磁铁结构体在横向上旋转，通过第一磁铁结构体的横向上旋转而使第二环状挡板相对于第一环状挡板在横向上旋转。

    检测方法以及等离子体处理装置
    3.
    发明公开
    检测方法以及等离子体处理装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN117438274A

    公开(公告)日：2024-01-23

    申请号：CN202310893460.0

    申请日：2023-07-20

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 松本直树 ,  小津俊久 ,  中村谕 ,  清水祐介

    IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

    Abstract: 提供一种在等离子体处理的执行中检测特异点的技术。本公开涉以及的检测方法是在等离子体处理装置中执行的检测方法，所述等离子体处理装置具备等离子体处理腔室、配置于所述等离子体处理腔室内的基板支持部以及配置于所述基板支持部内的多个加热器，所述检测方法包含：在所述基板支持部上配置基板的工序；在所述等离子体处理腔室内生成等离子体并对所述基板执行等离子体处理的工序；在所述等离子体处理腔室内生成了等离子体的状态下，对所述多个加热器分别测量温度的工序；基于测量的所述多个加热器的温度检测所述基板支持部中的温度的特异点的工序。还提供一种等离子体处理装置。

    等离子体处理装置及方法
    4.
    发明公开
    等离子体处理装置及方法 失效

    公开(公告)号：CN103003924A

    公开(公告)日：2013-03-27

    申请号：CN201180032082.2

    申请日：2011-06-22

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 松本直树 ,  吉川弥 ,  濑尾康弘 ,  加藤和行

    IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136

    Abstract: 本发明提供等离子体处理装置及方法。利用分流器（44）将自共用气体源（41）供给的共用气体分支成两个系统，将分支成两个系统的共用气体导入至设于处理容器（2）的电介质窗（16）的中央的中央导入口58（55）和在基板（W）的上方沿周向排列的多个周边导入口（62）。将添加气体添加至分支成两个系统的共用气体之中的任一系统的共用气体。自基板（W）的下方的排气口（11a）对被导入至处理容器（2）内的共用气体和添加气体进行排气，将处理容器（2）内减压至规定的压力。使用具有多个缝隙（21）的缝隙天线（20）将微波导入至处理容器（2）内，多个周边导入口（62）所设置的区域的电子温度比中央导入口（58、55）所设置的区域的电子温度低。

    等离子体处理装置
    5.
    发明授权
    等离子体处理装置 失效

    公开(公告)号：CN102005381B

    公开(公告)日：2012-12-12

    申请号：CN201010273923.6

    申请日：2010-09-02

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 三原直辉 ,  松本直树 ,  吉川润 ,  村上和生

    IPC: H01L21/3065 ,  C30B33/12

    CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/513 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

    Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置。在用于将处理气体导入到处理容器中的导入部中抑制碳系附作物的产生。本发明的等离子体处理装置(1)将被导入到处理容器(2)中的处理气体等离子体化以对衬底(W)进行处理，其中，在处理容器(2)的顶面上设有处理气体导入部(55)，在导入部(55)形成有气体滞留部(61)和多个喷气孔(66)，其中，气体滞留部(61)滞留从处理容器(2)的外部经由供应路径(52)提供的处理气体，喷气孔(66)连通气体滞留部(61)和处理容器(2)内部，在气体滞留部(61)中，与供应路径(52)的开口部(52a)相对的位置上没有设置喷气孔(66)，喷气孔(66)的截面为扁平形状。

    等离子体处理装置及等离子体处理方法
    6.
    发明授权
    等离子体处理装置及等离子体处理方法 失效

    公开(公告)号：CN101521980B

    公开(公告)日：2012-07-04

    申请号：CN200910005390.0

    申请日：2009-02-24

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 松本直树 ,  吉川润 ,  西塚哲也 ,  佐佐木胜

    IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00

    CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

    Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置，可以提高等离子体点火性，适于进行等离子体处理。等离子体处理装置(11)具备：保持台(14)，配置于处理容器(12)内，在其上保持半导体基板(W)；电介质板(16)，配置于与保持台(14)相面对的位置，将微波导入处理容器(12)内；等离子体点火单元，在利用所导入的微波在处理容器(12)内产生了电场的状态下进行等离子体点火，在处理容器(12)内产生等离子体；控制部(20)，包含升降机构(18)，以进行将保持台(14)与电介质板(16)的间隔变更为第一间隔，使等离子体点火单元动作，将保持台(14)与电介质板(16)的间隔变更为与第一间隔不同的第二间隔，进行对半导体基板(W)的等离子体处理。

    等离子体处理方法及等离子体处理装置
    9.
    发明公开
    等离子体处理方法及等离子体处理装置 有权

    公开(公告)号：CN101667533A

    公开(公告)日：2010-03-10

    申请号：CN200910173200.6

    申请日：2007-03-30

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 松本直树 ,  舆水地盐 ,  岩田学 ,  田中谕志

    IPC: H01L21/00 ,  H01J37/32

    Abstract: 本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。

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