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公开(公告)号：CN116997996A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280019970.9
申请日：2022-03-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 基板处理方法是基板处理装置中的基板处理方法，包括以下工序：工序a)，向配置有载置台的处理容器供给工艺气体，所述载置台用于载置具有被蚀刻膜的被处理体，所述工艺气体包含含有除氟以外的卤素的气体和含有氧的气体；工序b)，利用在第一等离子体生成条件下生成的工艺气体的第一等离子体对被处理体进行等离子体处理；工序c)，利用在第二等离子体生成条件下生成的工艺气体的第二等离子体对被处理体进行等离子体处理，所述第二等离子体生成条件是高频电力的条件及处理时间与第一等离子体生成条件中的高频电力的条件及处理时间不同、其它条件与第一等离子体生成条件相同的等离子体生成条件；以及工序d)，重复进行工序b)和工序c)。
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