公开(公告)号：CN109564872B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201780047928.7

申请日：2017-08-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小川秀平 ,  豊田启吾 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

Abstract: 一实施方式的方法包括：(a)第1工序，在维持第1方向与第2方向成第1角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻；及(b)第2工序，在实施第1工序后，在维持第1方向与第2方向成第2角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻。

公开(公告)号：CN116997996A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280019970.9

申请日：2022-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 黄德荣 ,  小川秀平 ,  塞德里克·汤玛士

IPC: H01L21/3065

Abstract: 基板处理方法是基板处理装置中的基板处理方法，包括以下工序：工序a)，向配置有载置台的处理容器供给工艺气体，所述载置台用于载置具有被蚀刻膜的被处理体，所述工艺气体包含含有除氟以外的卤素的气体和含有氧的气体；工序b)，利用在第一等离子体生成条件下生成的工艺气体的第一等离子体对被处理体进行等离子体处理；工序c)，利用在第二等离子体生成条件下生成的工艺气体的第二等离子体对被处理体进行等离子体处理，所述第二等离子体生成条件是高频电力的条件及处理时间与第一等离子体生成条件中的高频电力的条件及处理时间不同、其它条件与第一等离子体生成条件相同的等离子体生成条件；以及工序d)，重复进行工序b)和工序c)。

公开(公告)号：CN109564872A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780047928.7

申请日：2017-08-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小川秀平 ,  豊田启吾 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

Abstract: 一实施方式的方法包括：(a)第1工序，在维持第1方向与第2方向成第1角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻；及(b)第2工序，在实施第1工序后，在维持第1方向与第2方向成第2角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻。

公开(公告)号：CN100347830C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN03822723.1

申请日：2003-08-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小川秀平 ,  稻泽刚一郎

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 一种在处理容器内，以含Si有机类材料的上层膜(63)作为掩模，对晶片的表面层(61)上所形成的有机类材料膜的下层膜(64)进行蚀刻的方法。向处理容器内供给包括NH3气体和O2气体的混合气体作为蚀刻气体，以该蚀刻气体的等离子体进行蚀刻。在供给蚀刻气体时，通过对O2气体相对于NH3气体的流量比进行调整，便可对蚀刻的CD偏差值进行控制。具体地说，使所说流量比为0.5～20%、特别是5～10%，可得到良好的CD偏差值。

公开(公告)号：CN108028196A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680043730.7

申请日：2016-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小川秀平 ,  朴玩哉 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/00 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H05H1/46

Abstract: 一种等离子体处理方法，其利用等离子体对依次层叠有有机膜、掩模膜和抗蚀剂膜的被处理体进行处理，包括：向放入了在抗蚀剂膜上形成有规定的图案的被处理体的腔室内供给改性气体的步骤，所述改性气体为H2气体、卤化氢气体、包含稀有气体和H2气体的混合气体或者包含稀有气体和卤化氢气体的混合气体；和改性步骤，在‑20℃的处理温度下，利用改性气体的等离子体对被处理体的抗蚀剂膜进行改性。

公开(公告)号：CN1685483A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822723.1

申请日：2003-08-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小川秀平 ,  稻泽刚一郎

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 一种在处理容器内，以含Si有机类材料的上层膜(63)作为掩模，对基板的表面层(61)上所形成的有机类材料膜的下层膜(64)进行蚀刻的方法。向处理容器内供给包括NH3气体和O2气体的混合气体作为蚀刻气体，以该蚀刻气体的等离子体进行蚀刻。在供给蚀刻气体时，通过对O2气体相对于NH3气体的流量比进行调整，便可对蚀刻的CD偏差值进行控制。具体地说，使所说流量比为0.5～20％、特别是5～10％，可得到良好的CD偏差值。