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公开(公告)号：CN111418043A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880076270.7
申请日：2018-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: [课题]从基板有效地去除该基板上的附着物(例如硬掩模)。[解决方案]基板处理方法包括如下工序：工序(A)，向基板供给含有附着物的去除剂、具有比去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；工序(B)，在工序(A)后，向基板供给含有成为防气体扩散膜的有机聚合物的第2处理液；工序(C)，在工序(B)后，将基板在溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下进行加热，促进溶剂的蒸发和附着物与去除剂的反应；和，工序(D)，在工序(C)后，向基板供给冲洗液，从基板去除附着物。防气体扩散膜用来防止由工序(C)中的附着物与去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物通过该防气体扩散膜并扩散至基板的周围。
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公开(公告)号：CN100573826C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200580010687.6
申请日：2005-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/67028 , H01L21/67757 , Y10S134/902
Abstract: 本发明的基板处理装置(1)具有：利用处理液处理基板的处理槽(3)、配置在处理槽(3)上方的干燥处理部(6)、和使基板W在处理槽(3)与干燥处理部(6)之间移动的移动机构(8)。在干燥处理部(6)上连接着供给处理气体的处理气体供给管线(21)、和向干燥处理部(6)供给非活性气体的非活性气体供给管线(24、25)。又，在干燥处理部(6)上连接着将从干燥处理部(6)压出的气氛气体排出的第1排气管线(26)、和强制排出前述干燥处理部(6)的气体的第2排气管线(27)。
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公开(公告)号：CN100517603C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610164648.8
申请日：2006-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/31058 , H01L21/02063 , H01L21/02126 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/67051 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/76808 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831
Abstract: 一种基板处理方法，包括：对基板上形成的被蚀刻膜进行蚀刻处理形成预定图案；使完成蚀刻处理后残余的物质变性为对于预定液体是可溶的；接着对形成有图案的被蚀刻膜的表面进行甲硅烷基化处理；然后提供预定液体溶解除去经过变性的物质。
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公开(公告)号：CN101114579A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710138102.X
申请日：2007-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/30 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/67017 , H01L21/6708 , H01L21/67173
Abstract: 一种液体处理系统，包括：液体处理部(21b)，水平设置有向基板(W)供给处理液来进行液体处理的多个液体处理单元(22)；处理液存留部(21h)，对向液体处理部的多个液体处理单元供给的处理液进行存留；配管单元(21f)，具有从处理液存留部向多个液体处理单元引导处理液的供给配管；和容纳液体处理部、处理液存留部及配管单元的共用的框体(21)。处理液存留部、配管单元、及液体处理部从下方开始按该顺序被设置，配管单元的供给配管具有沿着多个液体处理单元的排列方向水平延伸的水平配管部(70a)，处理液从水平配管部分别被导入液体处理单元。
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公开(公告)号：CN1953145A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610164648.8
申请日：2006-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/31058 , H01L21/02063 , H01L21/02126 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/67051 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/76808 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831
Abstract: 一种基板处理方法，包括：对基板上形成的被蚀刻膜进行蚀刻处理形成预定图案；使完成蚀刻处理后残余的物质变性为对于预定液体是可溶的；接着对形成有图案的被蚀刻膜的表面进行甲硅烷基化处理；然后提供预定液体溶解除去经过变性的物质。
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公开(公告)号：CN107689337B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201710657588.1
申请日：2017-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理装置、基板处理方法及存储有实行基板处理方法的程序的存储介质。本发明的目的在于，提供能够有效地从基板将该基板上的附着物去除的基板处理装置及基板处理方法。利用处理液供给部向基板供给处理液，所述处理液含有附着物的去除剂和具有比去除剂的沸点低的沸点的溶剂；接着，利用基板加热部在处理液中的溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下对基板进行加热；接着，利用冲洗液供给部向基板供给冲洗液，由此从基板去除附着物。
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公开(公告)号：CN111418043B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201880076270.7
申请日：2018-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: [课题]从基板有效地去除该基板上的附着物(例如硬掩模)。[解决方案]基板处理方法包括如下工序：工序(A)，向基板供给含有附着物的去除剂、具有比去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；工序(B)，在工序(A)后，向基板供给含有成为防气体扩散膜的有机聚合物的第2处理液；工序(C)，在工序(B)后，将基板在溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下进行加热，促进溶剂的蒸发和附着物与去除剂的反应；和，工序(D)，在工序(C)后，向基板供给冲洗液，从基板去除附着物。防气体扩散膜用来防止由工序(C)中的附着物与去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物通过该防气体扩散膜并扩散至基板的周围。
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公开(公告)号：CN102479671A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110344043.8
申请日：2011-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/04 , H01L21/02101 , H01L21/67017 , H01L21/6719
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置在使用高压流体进行被处理基板的处理时，能够防止高压流体经由被设于用于进行该处理的处理容器的配管向其他的设备的流入。在处理容器中，利用超临界状态或者亚临界状态的高压流体对被处理基板进行处理，该处理容器与在流体的流动方向上被分割成第1配管构件以及第2配管构件、并且供流体流通的配管连接。连接-分开机构使上述第1、第2配管构件中的至少一个在将第1配管构件和第2配管构件彼此连接起来的位置与将第1配管构件和第2配管构件分开的位置之间移动，开闭阀分别设于第1、第2配管构件、并且在使上述配管构件分开时被关闭。
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公开(公告)号：CN1942606B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200580011353.0
申请日：2005-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23F1/08 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67086 , H01L21/6708
Abstract: 处理液供给喷嘴(10)分别布置在处理槽(1)内半导体晶片(W)的左右两侧。每个喷嘴(10)的排放口面对半导体晶片(W)。根据预定工序，从一个或多个选定喷嘴(10)排放处理液。为了执行化学液体处理，例如首先从最低位置处的喷嘴(10)排放处理液，然后将用于排放化学液体的喷嘴(10)顺序改变成上面的喷嘴。为了执行漂洗处理，在用漂洗液替代处理槽(1)内的化学液体的同时，例如首先从最低位置处的喷嘴(10)排放漂洗液，然后从所有喷嘴(10)排放漂洗液。通过这样，有效且均匀地改进液体处理。
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公开(公告)号：CN101114579B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200710138102.X
申请日：2007-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/67 , H01L21/30 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/67017 , H01L21/6708 , H01L21/67173
Abstract: 一种液体处理系统，包括：液体处理部(21b)，水平设置有向基板(W)供给处理液来进行液体处理的多个液体处理单元(22)；处理液存留部(21h)，对向液体处理部的多个液体处理单元供给的处理液进行存留；配管单元(21f)，具有从处理液存留部向多个液体处理单元引导处理液的供给配管；和容纳液体处理部、处理液存留部及配管单元的共用的框体(21)。处理液存留部、配管单元、及液体处理部从下方开始按该顺序被设置，配管单元的供给配管具有沿着多个液体处理单元的排列方向水平延伸的水平配管部(70a)，处理液从水平配管部分别被导入液体处理单元。
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