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公开(公告)号：CN1529905A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02806160.8
申请日：2002-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/76807
Abstract: 在使用C4F8/Ar/N2系混合气体进行SiOC系低介电常数膜蚀刻的情况下，使Ar的流量比在80％以上。由此，可提高SiOC系低介电常数膜对氮化硅膜的选择比，同时，还能够减少蚀刻时产生的微沟槽。
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