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公开(公告)号：CN107068588B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201611161171.8
申请日：2016-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的调整方法。不仅在基板的面内而且在基板间，都能够进行均匀性良好的加热处理。在基板处理装置中，包括分别将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件，其包括：设置在载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；和控制部，其输出控制信号，使得对于与多个加热器分别对应的基板的被加热部位，从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致。第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中，向基板的处理温度升温过程中的时刻，第2时刻为在温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108376658A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810087138.8
申请日：2018-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/67098 , H01L21/67103 , H01L21/67144 , H01L21/67248 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L21/68714
Abstract: 本发明涉及加热装置和基板处理装置，能够在晶圆的面内进行均匀性良好的加热处理。在将晶圆(W)载置于热板(23)之后的升温期使各加热模块(2)以及各被加热区域之间的晶圆(W)达到基准温度为止的所需时间一致，使升温过度期的温度推移曲线的升温曲线一致。因此，在各被加热区域中，温度推移曲线一致，在晶圆(W)的面内以及加热模块(2)之间升温过度期内的累积热量一致，因此晶圆(W)的图案的线宽一致。因而，无论是在晶圆(W)的面内，还是在被互不相同的加热模块(2)进行处理后的晶圆(W)之间，都能够进行均匀性良好的加热处理。
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公开(公告)号：CN109309033B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201810841102.4
申请日：2018-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开提供对于提高覆膜形成时的膜厚均匀性有效的热处理装置、热处理方法以及存储介质。热处理装置(20)具备：处理室(31)，其收纳作为处理对象的晶圆(W)；热处理部(50)，其被设置在处理室内，用于支承并加热晶圆，具有至少在该晶圆的周向上排列的多个热处理区域(51)；供气口(35)，其向处理室内导入气体；排气口(34)，其从处理室内排出气体；多个流速传感器(71)，其在热处理部所支承的晶圆的周向排列，用于检测气流的流速；以及控制部(100)，其基于与由多个流速传感器检测的气流的流速相应的温度分布来控制热处理部以对多个热处理区域的温度进行调节。
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公开(公告)号：CN107068588A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611161171.8
申请日：2016-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67103 , H05B1/0233 , H05B2203/037 , H01L21/67115
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的调整方法。不仅在基板的面内而且在基板间，都能够进行均匀性良好的加热处理。在基板处理装置中，包括分别将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件，其包括：设置在载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；和控制部，其输出控制信号，使得对于与多个加热器分别对应的基板的被加热部位，从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致。第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中，向基板的处理温度升温过程中的时刻，第2时刻为在温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。
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公开(公告)号：CN108376658B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201810087138.8
申请日：2018-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及加热装置和基板处理装置，能够在晶圆的面内进行均匀性良好的加热处理。在将晶圆(W)载置于热板(23)之后的升温期使各加热模块(2)以及各被加热区域之间的晶圆(W)达到基准温度为止的所需时间一致，使升温过度期的温度推移曲线的升温曲线一致。因此，在各被加热区域中，温度推移曲线一致，在晶圆(W)的面内以及加热模块(2)之间升温过度期内的累积热量一致，因此晶圆(W)的图案的线宽一致。因而，无论是在晶圆(W)的面内，还是在被互不相同的加热模块(2)进行处理后的晶圆(W)之间，都能够进行均匀性良好的加热处理。
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公开(公告)号：CN109309033A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810841102.4
申请日：2018-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开提供对于提高覆膜形成时的膜厚均匀性有效的热处理装置、热处理方法以及存储介质。热处理装置(20)具备：处理室(31)，其收纳作为处理对象的晶圆(W)；热处理部(50)，其被设置在处理室内，用于支承并加热晶圆，具有至少在该晶圆的周向上排列的多个热处理区域(51)；供气口(35)，其向处理室内导入气体；排气口(34)，其从处理室内排出气体；多个流速传感器(71)，其在热处理部所支承的晶圆的周向排列，用于检测气流的流速；以及控制部(100)，其基于与由多个流速传感器检测的气流的流速相应的温度分布来控制热处理部以对多个热处理区域的温度进行调节。
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