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公开(公告)号:CN106409670B
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN201610597359.0
申请日:2016-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法。在对晶圆进行加热处理时分解由于晶圆的处理而产生的升华物,从而抑制升华物附着于排气路径的情况。另外,在利用来自光源部的光对晶圆W进行加热等处理时将附着到透光窗的升华物去除。在处理容器的内表面形成热催化剂层,对该热催化剂层进行了加热。因此,在自晶圆上的涂敷膜升华而引入到处理容器内的升华物到达了热催化剂层的附近时,利用热催化剂层的热活性化从而升华物被分解去除。另外,在将附着到透光窗的升华物去除时,将在表面形成有热催化剂层的清洁用基板输入处理容器内,在将热催化剂层靠近了透光窗后,加热清洁用基板,从而将附着到透光窗的表面的升华物去除。
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公开(公告)号:CN110783231B
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN201910700630.2
申请日:2019-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及存储介质,在对基板的表面照射处理用的光的基板处理中能够有效地提高基板的表面内的光的照射量的均匀性。基板处理装置(1)具备:光照射部(30),其向晶圆(W)的表面(Wa)的比处理对象区域(TA)小的照射区域(A1)内照射处理用的光;驱动部(15),其使照射区域(A1)在沿着晶圆(W)的表面(Wa)的平面内沿彼此交叉的两个方向移动;以及控制器(100),其控制驱动部(15),使得照射位置按照移动图案沿两个方向移动,该移动图案是以向处理对象区域(TA)的整个区域照射光的方式设定的图案。
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公开(公告)号:CN107068588B
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN201611161171.8
申请日:2016-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的调整方法。不仅在基板的面内而且在基板间,都能够进行均匀性良好的加热处理。在基板处理装置中,包括分别将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件,其包括:设置在载置台的多个加热器,其发热量能相互独立地被控制;和控制部,其输出控制信号,使得对于与多个加热器分别对应的基板的被加热部位,从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致。第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中,向基板的处理温度升温过程中的时刻,第2时刻为在温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。
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公开(公告)号:CN102683245B
公开(公告)日:2015-10-28
申请号:CN201210067192.9
申请日:2012-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67051 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供液处理装置和液处理方法。能够利用简单的方法形成适合所进行的液处理的处理气氛。在用于在壳体内的处理空间(21)中向被处理基板(W)的表面供给处理液而进行液处理的液处理装置(2)中,旋转保持部(33、341)保持被处理基板并使其绕铅垂轴线旋转,处理液供给喷嘴(35)向旋转的被处理基板的表面供给处理液。第1气体供给部(23)为了形成适合上述液处理的处理气氛而形成在被处理基板的整个表面流动并流入到杯状件(31)中的第1气体的下降流,第2气体供给部(22)在该第1气体的下降流的外侧区域中形成与上述第1气体不同的第2气体的下降流。且第1气体供给部和第2气体供给部设在构成上述处理空间的壳体的顶部。
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公开(公告)号:CN102683245A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201210067192.9
申请日:2012-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67051 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供液处理装置和液处理方法。能够利用简单的方法形成适合所进行的液处理的处理气氛。在用于在壳体内的处理空间(21)中向被处理基板(W)的表面供给处理液而进行液处理的液处理装置(2)中,旋转保持部(33、341)保持被处理基板并使其绕铅垂轴线旋转,处理液供给喷嘴(35)向旋转的被处理基板的表面供给处理液。第1气体供给部(23)为了形成适合上述液处理的处理气氛而形成在被处理基板的整个表面流动并流入到杯状件(31)中的第1气体的下降流,第2气体供给部(22)在该第1气体的下降流的外侧区域中形成与上述第1气体不同的第2气体的下降流。且第1气体供给部和第2气体供给部设在构成上述处理空间的壳体的顶部。
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公开(公告)号:CN111190329B
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN201911099918.5
申请日:2019-11-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种光照射装置。光照射装置包括构成为能够保持基片的基片保持部、光照射单元和供电单元。光照射单元包括:构成为能够对基片的表面照射光的光源;和与光源电连接的第1连接件。供电单元包括:构成为能够对光源供给电力的电源组件;和第2连接件,其与电源组件电连接,构成为与第1连接件可拆装。光照射单元和供电单元通过将第1连接件与第2连接件结合而形成为一体,通过解除第1连接件与第2连接件的结合而彼此分离。本发明的光照射装置能够提高维护性。
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公开(公告)号:CN111190329A
公开(公告)日:2020-05-22
申请号:CN201911099918.5
申请日:2019-11-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种光照射装置。光照射装置包括构成为能够保持基片的基片保持部、光照射单元和供电单元。光照射单元包括:构成为能够对基片的表面照射光的光源;和与光源电连接的第1连接件。供电单元包括:构成为能够对光源供给电力的电源组件;和第2连接件,其与电源组件电连接,构成为与第1连接件可拆装。光照射单元和供电单元通过将第1连接件与第2连接件结合而形成为一体,通过解除第1连接件与第2连接件的结合而彼此分离。本发明的光照射装置能够提高维护性。
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公开(公告)号:CN110783231A
公开(公告)日:2020-02-11
申请号:CN201910700630.2
申请日:2019-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及存储介质,在对基板的表面照射处理用的光的基板处理中能够有效地提高基板的表面内的光的照射量的均匀性。基板处理装置(1)具备:光照射部(30),其向晶圆(W)的表面(Wa)的比处理对象区域(TA)小的照射区域(A1)内照射处理用的光;驱动部(15),其使照射区域(A1)在沿着晶圆(W)的表面(Wa)的平面内沿彼此交叉的两个方向移动;以及控制器(100),其控制驱动部(15),使得照射位置按照移动图案沿两个方向移动,该移动图案是以向处理对象区域(TA)的整个区域照射光的方式设定的图案。
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公开(公告)号:CN107068588A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201611161171.8
申请日:2016-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67103 , H05B1/0233 , H05B2203/037 , H01L21/67115
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的调整方法。不仅在基板的面内而且在基板间,都能够进行均匀性良好的加热处理。在基板处理装置中,包括分别将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件,其包括:设置在载置台的多个加热器,其发热量能相互独立地被控制;和控制部,其输出控制信号,使得对于与多个加热器分别对应的基板的被加热部位,从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致。第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中,向基板的处理温度升温过程中的时刻,第2时刻为在温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。
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公开(公告)号:CN106409670A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201610597359.0
申请日:2016-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法。在对晶圆进行加热处理时分解由于晶圆的处理而产生的升华物,从而抑制升华物附着于排气路径的情况。另外,在利用来自光源部的光对晶圆W进行加热等处理时将附着到透光窗的升华物去除。在处理容器的内表面形成热催化剂层,对该热催化剂层进行了加热。因此,在自晶圆上的涂敷膜升华而引入到处理容器内的升华物到达了热催化剂层的附近时,利用热催化剂层的热活性化从而升华物被分解去除。另外,在将附着到透光窗的升华物去除时,将在表面形成有热催化剂层的清洁用基板输入处理容器内,在将热催化剂层靠近了透光窗后,加热清洁用基板,从而将附着到透光窗的表面的升华物去除。
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