-
公开(公告)号：CN114787971A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080085410.4
申请日：2020-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 立花康三
IPC: H01L21/306
Abstract: 整体上确保高蚀刻速率，同时实现基板整体的蚀刻量分布的均匀化。基板处理方法包括一边使基板旋转一边向所述基板的表面供给蚀刻液的第一蚀刻工序以及之后进行的第二蚀刻工序。第一蚀刻工序在使处于基板的表面的周缘侧的第二区域的蚀刻量比处于中心侧的第一区域的蚀刻量大的条件下进行，第二蚀刻工序在使第二区域的蚀刻量比第一区域的蚀刻量小的条件下进行。第二蚀刻工序是在通过向基板的背面的中心部供给温度调节用液体来使基板的温度比不供给温度调节用液体的情况下的温度高的条件下进行的。温度调节用液体一边被基板吸取热一边向基板的周缘扩展，由此使基板的表面的第一区域的温度高于第二区域的温度。
-
公开(公告)号：CN113937031A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110768432.7
申请日：2021-07-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开涉及一种基板处理方法。基板处理方法包括以下工序：液膜形成工序，一边使旋转台以第一速度旋转，一边向基板的中心部供给药液，由此使得基板的表面的整体被具有第一厚度的药液的液膜覆盖；液膜厚度调整工序，在液膜形成工序之后，一边使旋转台以比所述第一速度低的第二速度旋转，一边向基板的中心部供给药液，由此使得基板的表面的整体被具有比第一厚度大的第二厚度的药液的液膜覆盖；以及液膜加热工序，在液膜厚度调整工序之后，在使旋转台以比第二速度低的第三速度旋转的状态、或者使旋转台的旋转停止的状态下，利用电加热器来加热旋转台，由此加热基板和覆盖基板的药液的液膜。
-
公开(公告)号：CN107437517A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710375222.5
申请日：2017-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/04 , B08B7/0014 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/67017
Abstract: 提供一种基板清洗方法、基板清洗系统以及存储介质。不会对由与水发生反应而发生溶解或腐蚀的材料形成的基板的表面产生影响地将附着于基板的异物去除。实施方式所涉及的基板清洗方法包括以下工序：成膜处理液供给工序，向基板供给含有挥发成分且用于在基板上形成膜的成膜处理液；剥离处理液供给工序，对成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上发生固化或硬化所形成的处理膜供给使处理膜从基板剥离的剥离处理液；以及溶解处理液供给工序，在剥离处理液供给工序之后，对处理膜供给使处理膜溶解的溶解处理液。在此，成膜处理液含有极性有机物，剥离处理液是不含水分的非极性溶剂，溶解处理液是不含水分的极性溶剂。
-
公开(公告)号：CN108242390B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201711445960.9
申请日：2017-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理方法和基板处理装置，使图案的上下方向上的蚀刻量的均匀性提高。基板处理方法包括蚀刻工序、温度差形成工序、清洗工序。蚀刻工序对在第一面形成有图案的基板的第一面供给蚀刻液来蚀刻图案。温度差形成工序与蚀刻工序并行地进行，使图案的下部的温度比图案的上部的温度低。清洗工序对蚀刻工序后的第一面供给清洗液，由此将残留于图案的蚀刻液置换为清洗液。
-
公开(公告)号：CN114496884A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111211452.0
申请日：2021-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。在使基板吸附于利用加热器加热的基板台并进行基板处理时，降低基板的吸附时产生于基板的背面的损伤。基板处理方法为在基板处理装置中对基板进行液处理的方法，该基板处理装置包括：基板台，其吸附所述基板；加热器，其加热所述基板台；以及处理液喷嘴，其向吸附于所述基板台的所述基板供给处理液，其中，该基板处理方法包括：吸附工序，在该吸附工序中，在所述基板与所述基板台之间没有温度差或温度差在预先确定的范围内时，利用所述基板台吸附所述基板；以及所述吸附工序之后的处理液供给工序，在该处理液供给工序中，自所述处理液喷嘴向吸附于利用所述加热器加热的所述基板台的所述基板供给处理液。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107086172A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710086419.7
申请日：2017-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02041 , H01L21/67023 , H01L21/67034 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种液处理方法和基板处理装置。其中，能够迅速地获得进行基板的表面的憎水化处理、且将存在于基板的图案内的纯水、憎水剂去除而干燥的基板。在向水平地保持的基板(W)供给了纯水之后、进行基板(W)的干燥时，在第1溶剂供给工序中，向供给纯水后的基板(W)的表面供给第1溶剂，在之后的憎水剂供给工序中，向基板(W)的表面供给憎水剂。在第2溶剂供给工序中，向憎水化之后的基板(W)的表面供给第2溶剂，在之后的干燥工序中将基板(W)的表面的第2溶剂去除。并且，第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。
-
公开(公告)号：CN111446150A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010051108.9
申请日：2020-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , B05B9/03 , B05B13/02
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。防止或至少大幅抑制在自分别的喷嘴同时向基板上供给第1处理液和第2处理液时由第1处理液和第2处理液的相互干扰引起的液体飞溅和/或形成于基板上的处理液的液膜厚度的不均匀。由第1处理液形成的第1液柱和由第2处理液形成的第2液柱满足下述关系。作为第1液柱的中心轴线的第1中心轴线和作为第2液柱的中心轴线的第2中心轴线中的至少第2中心轴线相对于基板的旋转轴线倾斜。在沿着旋转轴线的方向观察时，通过由包含基板的表面在内的水平平面剖切第1液柱和第2液柱而得到的第1断面和第2断面至少局部重叠。在沿着所述旋转轴线的方向观察时，第1中心轴线上的任意的点位于第2中心轴线上。
-
公开(公告)号：CN108242390A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711445960.9
申请日：2017-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/30604 , H01L21/32134 , H01L21/67023 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/67075 , H01L21/6708 , H01L21/02019
Abstract: 本发明涉及基板处理方法和基板处理装置，使图案的上下方向上的蚀刻量的均匀性提高。基板处理方法包括蚀刻工序、温度差形成工序、清洗工序。蚀刻工序对在第一面形成有图案的基板的第一面供给蚀刻液来蚀刻图案。温度差形成工序与蚀刻工序并行地进行，使图案的下部的温度比图案的上部的温度低。清洗工序对蚀刻工序后的第一面供给清洗液，由此将残留于图案的蚀刻液置换为清洗液。
-
公开(公告)号：CN118511256A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202380016231.9
申请日：2023-01-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 立花康三
IPC: H01L21/304
Abstract: 一个实施方式的基片处理方法用于对具有形成有图案的Si膜的基片进行清洗，除去所述Si膜上的氧化物，所述基片处理方法的特征在于，包括：清洗步骤，在使所述基片旋转的同时向所述基片供给包含氢氟酸和水的清洗液，来除去所述氧化物；和混合步骤，在所述清洗液中混合与水具有混合性并且表面张力比水低的有机溶剂，所述混合步骤在所述清洗步骤的执行过程中且从所述清洗步骤开始起经过预先确定的时间之后进行。
-
公开(公告)号：CN111446150B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202010051108.9
申请日：2020-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , B05B9/03 , B05B13/02
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。防止或至少大幅抑制在自分别的喷嘴同时向基板上供给第1处理液和第2处理液时由第1处理液和第2处理液的相互干扰引起的液体飞溅和/或形成于基板上的处理液的液膜厚度的不均匀。由第1处理液形成的第1液柱和由第2处理液形成的第2液柱满足下述关系。作为第1液柱的中心轴线的第1中心轴线和作为第2液柱的中心轴线的第2中心轴线中的至少第2中心轴线相对于基板的旋转轴线倾斜。在沿着旋转轴线的方向观察时，通过由包含基板的表面在内的水平平面剖切第1液柱和第2液柱而得到的第1断面和第2断面至少局部重叠。在沿着所述旋转轴线的方向观察时，第1中心轴线上的任意的点位于第2中心轴线上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.032 seconds)
