基板处理方法和基板处理装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114496884A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202111211452.0

    申请日:2021-10-18

    Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。在使基板吸附于利用加热器加热的基板台并进行基板处理时,降低基板的吸附时产生于基板的背面的损伤。基板处理方法为在基板处理装置中对基板进行液处理的方法,该基板处理装置包括:基板台,其吸附所述基板;加热器,其加热所述基板台;以及处理液喷嘴,其向吸附于所述基板台的所述基板供给处理液,其中,该基板处理方法包括:吸附工序,在该吸附工序中,在所述基板与所述基板台之间没有温度差或温度差在预先确定的范围内时,利用所述基板台吸附所述基板;以及所述吸附工序之后的处理液供给工序,在该处理液供给工序中,自所述处理液喷嘴向吸附于利用所述加热器加热的所述基板台的所述基板供给处理液。

    显影处理装置以及显影处理方法

    公开(公告)号:CN1908819B

    公开(公告)日:2010-11-10

    申请号:CN200610109163.9

    申请日:2006-08-03

    Abstract: 本发明中,处理容器内排列设置有与处理容器的外部之间进行基板的传递的基板传递部和进行基板的显影的显影处理部,并设置有在基板传递部与显影处理部之间以从两侧对基板的外侧面进行夹持的状态进行基板的输送的输送机构。在基板传递部与所述显影处理部之间且基板输送路径的上方,设置有向基板供给显影液的显影液供给喷嘴、以及向基板吹喷气体的气体吹出喷嘴,显影处理部中设置有向基板供给清洗液的清洗液供给喷嘴。根据本发明,是在对基板的外侧面进行夹持的状态下进行基板的输送,因而污染不会扩散,可抑制处理容器内产生微粒。

    涂敷·显影装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100538519C

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200610004791.0

    申请日:2006-01-28

    Abstract: 本发明提供一种包括多个单位块的集合体的涂敷·显影装置。第1单位块层叠体和第2单位块层叠体配置在前后方向的不同位置上。显影用单位块配置在最下层,备有包括进行曝光后的显影处理的显影单元在内的多个处理单元以及在这些单元之间进行基板输送的输送机构。涂敷用单位块配置在显影用单位块的上方,备有包括进行曝光前的涂敷处理的涂敷单元的多个处理单元以及在这些单元之间进行基板输送的输送机构。涂敷用单位块配置在第1单位块层叠体和第2单位块层叠体两者上。根据反射防止膜和抗蚀剂膜的层叠位置关系,确定曝光前的晶片在涂敷·显影装置内经过的涂敷用单位块。曝光后的晶片不通过涂敷用单位块,仅通过显影用单位块。

    加热装置以及加热方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1996153A

    公开(公告)日:2007-07-11

    申请号:CN200710001560.9

    申请日:2007-01-05

    Abstract: 具有冷却板和热板的加热装置中,利用气体使基板从冷却板和热板上浮起,通过使基板在水平方向上移动使基板在冷却板与热板之间移动,实现加热装置的薄型化。加热装置(2)中,在冷却板(3)和热板(6)上沿晶片W的移动通路形成喷出孔(3a、6a),其朝向晶片W的移动通路的冷却板(3)侧斜向上方喷出使基板浮起的气体,利用推压部件(51)推压晶片W移动时的后方侧,抵抗从喷出孔(3a、6a)喷出的气体产生的试图使晶片W移动的推压力,使晶片W向与气体喷出方向相反侧的热板(6)侧移动,或在利用喷出孔(3a、6a)喷出的气体使晶片W移动时的前方侧推压推压部件(51)的状态下,使该推压部件(51)向与气体的喷出方向相同的方向的冷却板(3)侧移动。

    涂敷·显影装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1815368A

    公开(公告)日:2006-08-09

    申请号:CN200610004791.0

    申请日:2006-01-28

    Abstract: 本发明提供一种包括多个单位块的集合体的涂敷·显影装置。第1单位块层叠体和第2单位块层叠体配置在前后方向的不同位置上。显影用单位块配置在最下层,备有包括进行曝光后的显影处理的显影单元在内的多个处理单元以及在这些单元之间进行基板输送的输送机构。涂敷用单位块配置在显影用单位块的上方,备有包括进行曝光前的涂敷处理的涂敷单元的多个处理单元以及在这些单元之间进行基板输送的输送机构。涂敷用单位块配置在第1单位块层叠体和第2单位块层叠体两者上。根据反射防止膜和抗蚀剂膜的层叠位置关系,确定曝光前的晶片在涂敷·显影装置内经过的涂敷用单位块。曝光后的晶片不通过涂敷用单位块,仅通过显影用单位块。

    基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号:CN111755358B

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202010202728.8

    申请日:2020-03-20

    Abstract: 效率良好地执行的基板的液处理的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备:具有基板的输入输出口并内装有第1液处理部和设置于比第1液处理部远离输入输出口的位置的第2液处理部的液处理模块和相对于液处理模块输入输出基板的输送装置。第1液处理部对由第1保持部保持的基板实施第1液处理,第2液处理部在第1液处理之前或之后对由第2保持部保持的基板实施第2液处理。输送装置具有可沿第1水平方向进退的基板保持部,使由基板保持部保持的基板沿第1水平方向进退,可将应在第1液处理部和第2液处理部处理的基板经由输入输出口向第1液处理部输入、将在第1液处理部和第2液处理部处理后的基板经由输入输出口从第1液处理部输出。

    基板处理装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110957256A

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201910915946.3

    申请日:2019-09-26

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。能够在以将基板吸附于旋转台的状态进行基板的处理的基板处理装置中,容易地更换旋转台中的、与基板接触的部分。基板处理装置具备:旋转台,其具备:底座,其具有设置有至少1个抽吸口的表面;和吸附板,其具有:表面,其与基板的非处理面接触而吸附基板;背面,其与底座的表面接触;以及至少1个贯通孔,其将表面和背面连接;旋转驱动机构,其使旋转台绕旋转轴线旋转;以及抽吸部,其使抽吸力作用于底座的抽吸口,通过使抽吸力作用于所述底座与所述吸附板之间,从而使底座与吸附板密合,且通过使抽吸力经由至少1个贯通孔作用于吸附板与基板之间,从而使吸附板与基板密合。

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