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公开(公告)号：CN109564872B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201780047928.7
申请日：2017-08-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式的方法包括：(a)第1工序，在维持第1方向与第2方向成第1角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻；及(b)第2工序，在实施第1工序后，在维持第1方向与第2方向成第2角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN117440590B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202311444879.4
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置，能够抑制异常放电并且细致地调整等离子体的密度的分布。等离子体处理装置(10)具备气体喷射部(41)和天线(54)。气体喷射部从腔室(11)的上部向腔室(1)内供给处理气体。天线具有内侧线圈(542)和外侧线圈(541)。内侧线圈设置在气体喷射部的周围。外侧线圈设置在气体喷射部和内侧线圈的周围。另外，构成外侧线圈的线路的两端开放，从高频电源(61)向该线路的中点或者该中点附近供电，外侧线圈在该中点的附近处接地，以从高频电源供给的高频电力的1/2波长进行谐振。另外，关于内侧线圈，构成内侧线圈的线路的两端经由电容器相互连接，内侧线圈与外侧线圈感应耦合。
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公开(公告)号：CN109587924A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811138919.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置，能够抑制异常放电并且细致地调整等离子体的密度的分布。等离子体处理装置(10)具备气体喷射部(41)和天线(54)。气体喷射部从腔室(11)的上部向腔室(1)内供给处理气体。天线具有内侧线圈(542)和外侧线圈(541)。内侧线圈设置在气体喷射部的周围。外侧线圈设置在气体喷射部和内侧线圈的周围。另外，构成外侧线圈的线路的两端开放，从高频电源(61)向该线路的中点或者该中点附近供电，外侧线圈在该中点的附近处接地，以从高频电源供给的高频电力的1/2波长进行谐振。另外，关于内侧线圈，构成内侧线圈的线路的两端经由电容器相互连接，内侧线圈与外侧线圈感应耦合。
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公开(公告)号：CN117440590A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311444879.4
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置，能够抑制异常放电并且细致地调整等离子体的密度的分布。等离子体处理装置(10)具备气体喷射部(41)和天线(54)。气体喷射部从腔室(11)的上部向腔室(1)内供给处理气体。天线具有内侧线圈(542)和外侧线圈(541)。内侧线圈设置在气体喷射部的周围。外侧线圈设置在气体喷射部和内侧线圈的周围。另外，构成外侧线圈的线路的两端开放，从高频电源(61)向该线路的中点或者该中点附近供电，外侧线圈在该中点的附近处接地，以从高频电源供给的高频电力的1/2波长进行谐振。另外，关于内侧线圈，构成内侧线圈的线路的两端经由电容器相互连接，内侧线圈与外侧线圈感应耦合。
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公开(公告)号：CN109564872A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780047928.7
申请日：2017-08-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式的方法包括：(a)第1工序，在维持第1方向与第2方向成第1角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻；及(b)第2工序，在实施第1工序后，在维持第1方向与第2方向成第2角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻。
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