公开(公告)号：CN100521088C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200380100597.7

申请日：2003-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五十岚义树 ,  稻泽刚一郎 ,  樋口公博 ,  V·巴拉苏布拉马尼雅姆 ,  西村荣一 ,  R·金 ,  P·桑索内 ,  萩原正明

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/09

Abstract: 一种在等离子体处理体系内蚀刻在基片上的抗反射涂层(ARC)的方法，该方法包括：引入含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体；由该处理气体形成等离子体；和暴露该基片于等离子体下。该处理气体可例如包括NH3/O2、N2/H2/O2、N2/H2/CO、NH3/CO或NH3/CO/O2基化学。另外，工艺化学可进一步包括添加氦气。本发明进一步提出了形成双层掩模用以蚀刻在基片上的薄膜的方法，其中该方法包括在基片上形成薄膜，在薄膜上形成ARC层，在ARC层上形成光刻胶图案；和采用该蚀刻方法，使用含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体，将光刻胶图案转印到ARC层上。

公开(公告)号：CN1692472A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100597.7

申请日：2003-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五十岚义树 ,  稻泽刚一郎 ,  樋口公博 ,  V·巴拉苏布拉马尼雅姆 ,  西村荣一 ,  R·金 ,  P·桑索内 ,  萩原正明

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/09

Abstract: 一种在等离子体处理体系内蚀刻在基片上的抗反射涂层(ARC)的方法，该方法包括：引入含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体；由该处理气体形成等离子体；和暴露该基片于等离子体下。该处理气体可例如包括NH3/O2、N2/H2/O2、N2/H2/CO、NH3/CO或NH3/CO/O2基化学。另外，工艺化学可进一步包括添加氦气。本发明进一步提出了形成双层掩模用以蚀刻在基片上的薄膜的方法，其中该方法包括在基片上形成薄膜，在薄膜上形成ARC层，在ARC层上形成光刻胶图案；和采用该蚀刻方法，使用含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体，将光刻胶图案转印到ARC层上。