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公开(公告)号：CN1802732A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200480014635.1
申请日：2004-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明描述了一种用于在等离子体处理系统中刻蚀衬底上的高k介电层的方法。高k介电层可以例如包括HfO2。该方法包括提升衬底温度到超过200C(即，一般为400C的量级)；引入包括含卤素气体的处理气体；从处理气体激发等离子体；以及将衬底暴露于等离子体。处理气体还可以包括还原气体以提高HfO2相对于Si和SiO2的刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN1692472A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100597.7
申请日：2003-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3105 , G03F7/09
Abstract: 一种在等离子体处理体系内蚀刻在基片上的抗反射涂层(ARC)的方法，该方法包括：引入含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体；由该处理气体形成等离子体；和暴露该基片于等离子体下。该处理气体可例如包括NH3/O2、N2/H2/O2、N2/H2/CO、NH3/CO或NH3/CO/O2基化学。另外，工艺化学可进一步包括添加氦气。本发明进一步提出了形成双层掩模用以蚀刻在基片上的薄膜的方法，其中该方法包括在基片上形成薄膜，在薄膜上形成ARC层，在ARC层上形成光刻胶图案；和采用该蚀刻方法，使用含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体，将光刻胶图案转印到ARC层上。
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公开(公告)号：CN101460655B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200780020347.0
申请日：2007-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/32136 , H01L21/67069
Abstract: 一种气体注入系统，其包含将处理器体分配在处理室中的扩散器。该气体注入系统可以用于涉及腐蚀性处理气体的多晶硅刻蚀系统。
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公开(公告)号：CN100576475C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200580046337.5
申请日：2005-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 稻沢刚一郎 , 瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 , 畑村安则 , 萩原正明 , 西村荣一
IPC: H01L21/461
CPC classification number: H01L21/02063 , G03F7/427 , H01J37/32082 , H01J2237/3342 , H01L21/31138 , H01L22/26
Abstract: 提供了一种用于等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氢气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。
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公开(公告)号：CN101099234A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200580046337.5
申请日：2005-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 稻沢刚一郎 , 瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 , 畑村安则 , 萩原正明 , 西村荣一
IPC: H01L21/461
CPC classification number: H01L21/02063 , G03F7/427 , H01J37/32082 , H01J2237/3342 , H01L21/31138 , H01L22/26
Abstract: 提供了一种用于等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氢气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101095379B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200580045692.0
申请日：2005-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 稻泽刚一郎 , 瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 , 萩原正明 , 西村荣一
IPC: H05H1/24
CPC classification number: H01L21/31138 , G03F7/427 , H01L21/02063
Abstract: 提供了一种用于低压等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氧气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。
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公开(公告)号：CN100521088C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200380100597.7
申请日：2003-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3105 , G03F7/09
Abstract: 一种在等离子体处理体系内蚀刻在基片上的抗反射涂层(ARC)的方法，该方法包括：引入含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体；由该处理气体形成等离子体；和暴露该基片于等离子体下。该处理气体可例如包括NH3/O2、N2/H2/O2、N2/H2/CO、NH3/CO或NH3/CO/O2基化学。另外，工艺化学可进一步包括添加氦气。本发明进一步提出了形成双层掩模用以蚀刻在基片上的薄膜的方法，其中该方法包括在基片上形成薄膜，在薄膜上形成ARC层，在ARC层上形成光刻胶图案；和采用该蚀刻方法，使用含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体，将光刻胶图案转印到ARC层上。
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公开(公告)号：CN101095379A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200580045692.0
申请日：2005-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 稻泽刚一郎 , 瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 , 萩原正明 , 西村荣一
IPC: H05H1/24
CPC classification number: H01L21/31138 , G03F7/427 , H01L21/02063
Abstract: 提供了一种用于低压等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氧气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。
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公开(公告)号：CN100505177C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200480014635.1
申请日：2004-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明描述了一种用于在等离子体处理系统中刻蚀衬底上的高k介电层的方法。高k介电层可以例如包括HfO2。该方法包括提升衬底温度到超过200C(即，一般为400C的量级)；引入包括含卤素气体的处理气体；从处理气体激发等离子体；以及将衬底暴露于等离子体。处理气体还可以包括还原气体以提高HfO2相对于Si和SiO2的刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN101460655A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020347.0
申请日：2007-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/32136 , H01L21/67069
Abstract: 一种气体注入系统，其包含将处理器体分配在处理室中的扩散器。该气体注入系统可以用于涉及腐蚀性处理气体的多晶硅刻蚀系统。
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