公开(公告)号：CN105321804A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510463686.2

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  JSR株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。

公开(公告)号：CN105321804B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201510463686.2

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  JSR株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。

公开(公告)号：CN110265325B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201910477249.4

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08

Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

公开(公告)号：CN110265325A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910477249.4

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08

Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

公开(公告)号：CN105321855B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201510463688.1

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

公开(公告)号：CN105321855A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510463688.1

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

公开(公告)号：CN1501166A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN03125520.5

申请日：2003-08-29

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 岛基之 ,  石井宽之 ,  山本将史 ,  松田大一 ,  中村敦

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0397 ,  Y10S430/122

Abstract: 一种辐射线敏感树脂组合物，包含：(A)含有至少两种式(1)－(6)的重复单元的树脂，总量5－70mol％，但每一种的量为1－49mol％，该树脂不溶于或几乎不溶于碱。但在酸的作用下易溶于碱。和(B)光酸发生剂。其中，R1表示氢原子或甲基，R2表示具有1－4个碳原子的取代或未取代烷基。该树脂组合物用作化学放大保护层，该保护层对辐射线具有高透射率，感光度，分辨率，抗干蚀刻性以及保护层图案。

公开(公告)号：CN105319874A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510459136.3

申请日：2015-07-30

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: G03F7/42

CPC classification number: C11D11/0047 ,  B08B7/0014 ,  C08F120/18 ,  C08F120/24 ,  C08F120/28 ,  C08F132/08 ,  C08K5/092 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/245 ,  C11D3/373 ,  C11D3/43 ,  C11D7/50 ,  C11D11/0058 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供一种半导体基板清洗用组合物，其在将膜形成于半导体基板表面而除去基板表面的异物的工艺中，能够高效率地除去基板表面的颗粒，且能够容易地从基板表面除去所形成的膜。本发明涉及一种半导体基板清洗用组合物，其含有溶剂和聚合物，该聚合物含有氟原子、硅原子或者它们的组合。作为上述溶剂中的水的含量，优选为20质量％以下。优选进一步含有非聚合物的有机酸。作为上述有机酸，优选多元羧酸。优选上述聚合物的酸解离常数小于上述有机酸的酸解离常数。作为上述有机酸在25℃时在水中的溶解度，优选为5质量％以上。上述有机酸在25℃时优选为固体。

公开(公告)号：CN1288499C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN03125520.5

申请日：2003-08-29

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 岛基之 ,  石井宽之 ,  山本将史 ,  松田大一 ,  中村敦

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0397 ,  Y10S430/122

Abstract: 一种辐射线敏感树脂组合物，包含：(A)含有至少两种式(1)-(6)的重复单元的树脂，总量5-70mol%，但每一种的量为1-49mol%，该树脂不溶于或几乎不溶于碱，但在酸的作用下易溶于碱，和(B)光酸发生剂。其中，R1表示氢原子或甲基R2表示具有1-4个碳原子的取代或未取代烷基。该树脂组合物用作化学放大保护层，该保护层对辐射线具有高透射率，感光度，分辨率，抗干蚀刻性以及保护层图案。