公开(公告)号：CN105321804A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510463686.2

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  JSR株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。

公开(公告)号：CN105319874A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510459136.3

申请日：2015-07-30

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: G03F7/42

CPC classification number: C11D11/0047 ,  B08B7/0014 ,  C08F120/18 ,  C08F120/24 ,  C08F120/28 ,  C08F132/08 ,  C08K5/092 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/245 ,  C11D3/373 ,  C11D3/43 ,  C11D7/50 ,  C11D11/0058 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供一种半导体基板清洗用组合物，其在将膜形成于半导体基板表面而除去基板表面的异物的工艺中，能够高效率地除去基板表面的颗粒，且能够容易地从基板表面除去所形成的膜。本发明涉及一种半导体基板清洗用组合物，其含有溶剂和聚合物，该聚合物含有氟原子、硅原子或者它们的组合。作为上述溶剂中的水的含量，优选为20质量％以下。优选进一步含有非聚合物的有机酸。作为上述有机酸，优选多元羧酸。优选上述聚合物的酸解离常数小于上述有机酸的酸解离常数。作为上述有机酸在25℃时在水中的溶解度，优选为5质量％以上。上述有机酸在25℃时优选为固体。

公开(公告)号：CN105321804B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201510463686.2

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  JSR株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。