公开(公告)号：CN113549899B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110828994.6

申请日：2021-07-22

Applicant: 东北大学

Inventor： 杜广煜 ,  万亿 ,  陈志立 ,  梁帅 ,  倪岩松

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/18

Abstract: 一种MOCVD设备的喷淋结构，包括反应室、上进气喷淋头、下进气喷淋头及可旋转载物台；反应室的顶板中部设有混合气体进气口；上进气喷淋头设在反应室内部，上进气喷淋头位于混合气体进气口下方；下进气喷淋头设在反应室内部，下进气喷淋头位于上进气喷淋头下方；可旋转载物台设在反应室内部，可旋转载物台位于下进气喷淋头下方；上进气喷淋头与反应室顶板之间构成混合气体初混腔；下进气喷淋头与上进气喷淋头之间构成混合气体精混腔；下进气喷淋头下方的反应室内部空间构成反应腔；上进气喷淋头圆盘上均布有若干进气通孔，下进气喷淋头圆盘上均布有若干出气通孔，进气通孔及出气通孔均采用锥孔结构，进气通孔大口端朝上，出气通孔大口端朝下。

公开(公告)号：CN113549900A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110828995.0

申请日：2021-07-22

Applicant: 东北大学

Inventor： 杜广煜 ,  陈志立 ,  万亿 ,  梁帅 ,  倪岩松

IPC: C23C16/455

Abstract: 一种MOCVD设备的喷淋盘结构，包括喷淋盘主体、喷淋盘封盖、III族气体进气管及V族气体进气管；喷淋盘主体上表面固设有同心且沿径向方向等间距分布的环状隔板；隔板间环向空间作为III族或V族气体进气缓存腔；III族与V族气体进气缓存腔沿径向方向交替布设；III族/V族气体进气缓存腔对应的喷淋盘主体上设有若干III族/V族气体出气孔道；环状隔板与喷淋盘封盖之间通过密封圈进行密封；喷淋盘封盖上表面设有冷却管路；III族和V族气体进气管在喷淋盘主体上具有两种进气方式，分为周向进气方式和中心进气方式。本发明进一步简化了喷淋盘结构设计，结构更加简单紧凑，保证了进气均匀性，降低了喷淋盘的空间占用率，更加有利于MOCVD设备的小型化。

公开(公告)号：CN114510800B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202210142173.1

申请日：2022-02-16

Applicant: 东北大学

Inventor： 杜广煜 ,  梁帅 ,  陈志立 ,  万亿 ,  倪岩松 ,  杨斌

IPC: G06F30/17 ,  G06F30/27 ,  G06N3/126 ,  G06F111/06 ,  G06F111/08 ,  G06F113/08

Abstract: 本发明公开一种基于NSGA‑Ⅱ算法的罗茨真空机组设计结构优化的方法，方法首先初步拟定设计多级罗茨真空机组的级数、各级的转子半径、型线方程、转子厚度以及特征装配间隙，并以真空机组的极限压强、理论抽速和压缩功率作为待优化目标；然后拟定决策变量，以及决策变量的范围和其余变量数值参数；接着利用NSGA‑Ⅱ算法对三叶罗茨真空机组设计结构进行优化；最后根据优化所得的结果，判断对应的目标函数值是否符合标准，若符合要求则输出所有的结构参数；若不符合要求则重新拟定决策变量以及其余变量数值，重复上述步骤。本发明的方法不仅节约了罗茨真空机组结构优化成本，还具有较强的普适性，可以应用于不同领域内的罗茨泵机组结构设计。

公开(公告)号：CN113549899A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110828994.6

申请日：2021-07-22

Applicant: 东北大学

Inventor： 杜广煜 ,  万亿 ,  陈志立 ,  梁帅 ,  倪岩松

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/18

Abstract: 一种MOCVD设备的喷淋结构，包括反应室、上进气喷淋头、下进气喷淋头及可旋转载物台；反应室的顶板中部设有混合气体进气口；上进气喷淋头设在反应室内部，上进气喷淋头位于混合气体进气口下方；下进气喷淋头设在反应室内部，下进气喷淋头位于上进气喷淋头下方；可旋转载物台设在反应室内部，可旋转载物台位于下进气喷淋头下方；上进气喷淋头与反应室顶板之间构成混合气体初混腔；下进气喷淋头与上进气喷淋头之间构成混合气体精混腔；下进气喷淋头下方的反应室内部空间构成反应腔；上进气喷淋头圆盘上均布有若干进气通孔，下进气喷淋头圆盘上均布有若干出气通孔，进气通孔及出气通孔均采用锥孔结构，进气通孔大口端朝上，出气通孔大口端朝下。

公开(公告)号：CN113549900B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202110828995.0

申请日：2021-07-22

Applicant: 东北大学

Inventor： 杜广煜 ,  陈志立 ,  万亿 ,  梁帅 ,  倪岩松

IPC: C23C16/455

Abstract: 一种MOCVD设备的喷淋盘结构，包括喷淋盘主体、喷淋盘封盖、III族气体进气管及V族气体进气管；喷淋盘主体上表面固设有同心且沿径向方向等间距分布的环状隔板；隔板间环向空间作为III族或V族气体进气缓存腔；III族与V族气体进气缓存腔沿径向方向交替布设；III族/V族气体进气缓存腔对应的喷淋盘主体上设有若干III族/V族气体出气孔道；环状隔板与喷淋盘封盖之间通过密封圈进行密封；喷淋盘封盖上表面设有冷却管路；III族和V族气体进气管在喷淋盘主体上具有两种进气方式，分为周向进气方式和中心进气方式。本发明进一步简化了喷淋盘结构设计，结构更加简单紧凑，保证了进气均匀性，降低了喷淋盘的空间占用率，更加有利于MOCVD设备的小型化。

公开(公告)号：CN114510800A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210142173.1

申请日：2022-02-16

Applicant: 东北大学

Inventor： 杜广煜 ,  梁帅 ,  陈志立 ,  万亿 ,  倪岩松 ,  杨斌

IPC: G06F30/17 ,  G06F30/27 ,  G06N3/12 ,  G06F111/06 ,  G06F111/08 ,  G06F113/08

Abstract: 本发明公开一种基于NSGA‑Ⅱ算法的罗茨真空机组设计结构优化的方法，方法首先初步拟定设计多级罗茨真空机组的级数、各级的转子半径、型线方程、转子厚度以及特征装配间隙，并以真空机组的极限压强、理论抽速和压缩功率作为待优化目标；然后拟定决策变量，以及决策变量的范围和其余变量数值参数；接着利用NSGA‑Ⅱ算法对三叶罗茨真空机组设计结构进行优化；最后根据优化所得的结果，判断对应的目标函数值是否符合标准，若符合要求则输出所有的结构参数；若不符合要求则重新拟定决策变量以及其余变量数值，重复上述步骤。本发明的方法不仅节约了罗茨真空机组结构优化成本，还具有较强的普适性，可以应用于不同领域内的罗茨泵机组结构设计。