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公开(公告)号：CN113816426A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111202714.7
申请日：2021-10-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种电子束辐照诱导的二维材料晶体结构调控方法，包括以下步骤：步骤1、制备单层或少层二维材料；步骤2、将单层或少层二维材料置于载样台，并在真空条件下持续加热8～12小时；步骤3、将单层或少层二维材料置于高能电子束辐射环境中，获得调控后的二维材料；其中采用的辐照设备是透射电子显微镜，在辐照处理同时在原子尺度实现调控过程的可视化监测；所述的高能电子束辐射环境中高能电子束能量范围为60keV～300keV，剂量率范围为104～109e‑·nm‑2·s‑1。本发明所述的二维材料晶体结构调控方法具有较好的灵活性，可用于二维异质结构的制备，适用于二维器件的制备。
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