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公开(公告)号：CN102459149B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201080024748.5
申请日：2010-06-02
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07C211/61 , C07D213/74 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/61 , C07C2603/40 , C07C2603/94 , C07D213/74 , C07D333/36 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5088 , H01L2251/552 , H05B33/10 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供一种由通式(1)表示、且[分解温度(℃)-升华温度(℃)]的值为30℃以上的胺衍生物(式中，R1、R2独立地表示可以具有取代基的C6-40芳基或可以具有取代基的C5-40杂芳基。R3、R4独立地表示氢原子、直链、支链或环状的C1-18烷基、直链、支链或环状的C1-18烷氧基、可以具有取代基的C6-40芳基或可以具有取代基的C5-40杂芳基。R3和R4也可以成为一体从而形成环状基)。上述胺衍生物可用作有机EL用材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102459149A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080024748.5
申请日：2010-06-02
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07C211/61 , C07D213/74 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/61 , C07C2603/40 , C07C2603/94 , C07D213/74 , C07D333/36 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5088 , H01L2251/552 , H05B33/10 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供一种由通式(1)表示、且[分解温度(℃)-升华温度(℃)]的值为30℃以上的胺衍生物(式中，R1、R2独立地表示可以具有取代基的C6-14芳基或可以具有取代基的C5-40杂芳基。R3、R4独立地表示氢原子、直链、支链或环状的C1-18烷基、直链、支链或环状的C1-18烷氧基、可以具有取代基的C6-40芳基或可以具有取代基的C5-40杂芳基。R3和R4也可以成为一体从而形成环状基)。上述胺衍生物可用作有机EL用材料。
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公开(公告)号：CN1673862A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510056507.X
申请日：2005-03-18
Applicant: 东曹株式会社 , 大日本屏幕制造株式会社
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L21/67086
Abstract: 本发明涉及的蚀刻用组合物是用于把含有铪化合物的绝缘膜进行蚀刻的蚀刻用组合物，其特征在于，包括氟化物及氯化物。另外，本发明涉及的基本蚀刻处理方法，是把基板上形成的铪化合物被膜，采用蚀刻用组合物进行蚀刻的基板蚀刻处理方法，作为上述蚀刻用组合物是含有氟化物及氯化物的组合物。
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公开(公告)号：CN104884417B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201380068922.X
申请日：2013-12-27
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C31/28 , C07C29/68 , C07C33/26 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/316 , C07F9/00
CPC classification number: C07F9/005 , C07C29/68 , C07C31/28 , C07C33/26 , C07F9/00 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02194 , H01L21/02282 , H01L21/02318
Abstract: 提供对于制作第5族金属氧化物膜而言为有用的化合物。其为下述通式(A)所示的第5族金属氧代-烷氧代络合物，制备含有该化合物和有机溶剂的制膜用材料溶液，使用该制膜用材料溶液，可以制作第5族金属氧化物膜。Mα(μ4-O)β(μ3-O)γ(μ-O)δ(μ-ORA)ε(ORA)ζ(RAOH)ηXθYι (A)(式中，M表示铌原子等、RA表示烷基、X表示亚烷基二
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公开(公告)号：CN104884417A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068922.X
申请日：2013-12-27
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C31/28 , C07C29/68 , C07C33/26 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/316 , C07F9/00
CPC classification number: C07F9/005 , C07C29/68 , C07C31/28 , C07C33/26 , C07F9/00 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02194 , H01L21/02282 , H01L21/02318
Abstract: 提供对于制作第5族金属氧化物膜而言为有用的化合物。其为下述通式(A)所示的第5族金属氧代-烷氧代络合物，制备含有该化合物和有机溶剂的制膜用材料溶液，使用该制膜用材料溶液，可以制作第5族金属氧化物膜。Mα(μ4-O)β(μ3-O)γ(μ-O)δ(μ-ORA)ε(ORA)ζ(RAOH)ηXθYι (A)(式中，M表示铌原子等、RA表示烷基、X表示亚烷基二氧基、Y表示羧基等、α表示3～10、β表示0～1、γ表示0～8、δ表示2～9、ε表示0～6、ζ表示6～16、η表示0～4、θ表示0～2、ι表示0～6的整数)。
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公开(公告)号：CN100549824C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200510056507.X
申请日：2005-03-18
Applicant: 东曹株式会社 , 大日本屏幕制造株式会社
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L21/67086
Abstract: 本发明涉及的蚀刻用组合物是用于把含有铪化合物的绝缘膜进行蚀刻的蚀刻用组合物，其特征在于，包括氟化物及氯化物。另外，本发明涉及的基本蚀刻处理方法，是把基板上形成的铪化合物被膜，采用蚀刻用组合物进行蚀刻的基板蚀刻处理方法，作为上述蚀刻用组合物是含有氟化物及氯化物的组合物。
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