公开(公告)号：CN103917487A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280054346.9

申请日：2012-09-03

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 木下智之 ,  岩永宏平 ,  浅野祥生 ,  川畑贵裕 ,  大岛宪昭 ,  平井聪里 ,  原田美德 ,  新井一喜 ,  多田贤一

IPC: C01B13/32 ,  C01B33/113 ,  C01G23/04 ,  C07F7/10 ,  C07F7/18 ,  C07F7/28 ,  H01L21/316

CPC classification number: C09D1/00 ,  C01B33/113 ,  C07F7/003 ,  C07F7/025 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282

Abstract: 本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用使具有特定结构的亚乙烯基二酰胺络合物与氧气、空气、臭氧、水、过氧化氢等氧化剂进行反应而得到的制膜用材料。

公开(公告)号：CN105001254B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201510363768.X

申请日：2012-09-03

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 木下智之 ,  岩永宏平 ,  浅野祥生 ,  川畑贵裕 ,  大岛宪昭 ,  平井聪里 ,  原田美德 ,  新井一喜 ,  多田贤一

IPC: C07F7/28 ,  C07F7/00 ,  C03C17/23 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明涉及制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法。本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用通过将具有钛原子或锆原子且各所述金属原子利用桥氧原子进行桥联的化合物溶解于分子内含2个以上氧原子的醇，然后进行加热而得到的制膜用材料。

公开(公告)号：CN105001254A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510363768.X

申请日：2012-09-03

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 木下智之 ,  岩永宏平 ,  浅野祥生 ,  川畑贵裕 ,  大岛宪昭 ,  平井聪里 ,  原田美德 ,  新井一喜 ,  多田贤一

IPC: C07F7/28 ,  C07F7/00 ,  C03C17/23 ,  H01L21/316

CPC classification number: C09D1/00 ,  C01B33/113 ,  C07F7/003 ,  C07F7/025 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282

Abstract: 本发明涉及制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法。本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用通过将具有钛原子或锆原子且各所述金属原子利用桥氧原子进行桥联的化合物溶解于分子内含2个以上氧原子的醇，然后进行加热而得到的制膜用材料。

公开(公告)号：CN112912372A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201980069755.8

申请日：2019-10-21

Applicant: 东曹株式会社

Inventor： 服部一希 ,  森中裕太 ,  松本直树 ,  野村桂甫 ,  上原史成 ,  小野洋平 ,  新屋宏和 ,  荘野智宏 ,  冈祐児 ,  中村圭介 ,  川岛弘之 ,  新井信道 ,  浅野祥生

IPC: C07D401/10 ,  C07D401/14 ,  H01L51/50

Abstract: 提供电流效率优异的长寿命的环状吖嗪化合物。具有式(1)所表示的特定结构的环状吖嗪化合物。

公开(公告)号：CN104884417B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201380068922.X

申请日：2013-12-27

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 浅野祥生 ,  木下智之 ,  原靖 ,  原大治 ,  田中陵二 ,  多田贤一

IPC: C07C31/28 ,  C07C29/68 ,  C07C33/26 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/316 ,  C07F9/00

CPC classification number: C07F9/005 ,  C07C29/68 ,  C07C31/28 ,  C07C33/26 ,  C07F9/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318

Abstract: 提供对于制作第5族金属氧化物膜而言为有用的化合物。其为下述通式(A)所示的第5族金属氧代-烷氧代络合物，制备含有该化合物和有机溶剂的制膜用材料溶液，使用该制膜用材料溶液，可以制作第5族金属氧化物膜。Mα(μ4-O)β(μ3-O)γ(μ-O)δ(μ-ORA)ε(ORA)ζ(RAOH)ηXθYι    (A)(式中，M表示铌原子等、RA表示烷基、X表示亚烷基二

公开(公告)号：CN104884417A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380068922.X

申请日：2013-12-27

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 浅野祥生 ,  木下智之 ,  原靖 ,  原大治 ,  田中陵二 ,  多田贤一

IPC: C07C31/28 ,  C07C29/68 ,  C07C33/26 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/316 ,  C07F9/00

CPC classification number: C07F9/005 ,  C07C29/68 ,  C07C31/28 ,  C07C33/26 ,  C07F9/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318

Abstract: 提供对于制作第5族金属氧化物膜而言为有用的化合物。其为下述通式(A)所示的第5族金属氧代-烷氧代络合物，制备含有该化合物和有机溶剂的制膜用材料溶液，使用该制膜用材料溶液，可以制作第5族金属氧化物膜。Mα(μ4-O)β(μ3-O)γ(μ-O)δ(μ-ORA)ε(ORA)ζ(RAOH)ηXθYι (A)(式中，M表示铌原子等、RA表示烷基、X表示亚烷基二氧基、Y表示羧基等、α表示3～10、β表示0～1、γ表示0～8、δ表示2～9、ε表示0～6、ζ表示6～16、η表示0～4、θ表示0～2、ι表示0～6的整数)。