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公开(公告)号：CN101511744B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200780033716.X
申请日：2007-09-11
IPC: C03B20/00
CPC classification number: C03C4/0085 , C03B19/066 , C03B20/00 , C03B2201/03 , C03B2201/04 , C03C3/06 , C03C4/10 , C03C2201/23 , C03C2201/50 , C03C2201/54 , Y02P40/57
Abstract: 一种熔融石英玻璃，其对于波长245nm的紫外光，在10mm厚度内的内透过率为95％以上，OH含量为5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为不足0.1ppm。优选该熔融石英玻璃在1215℃下的粘度系数为1011.5Pa·s以上，另外，1050℃下在大气中放置24小时的、在距表面的深度超过20μm起至100μm的区域中的Cu离子的扩散系数为1×10-10cm2/秒以下。该熔融石英玻璃通过将原料硅石粉末方英石化后在非还原性气氛中熔融而制造。该熔融石英玻璃具有紫外线、可见光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高以及金属杂质的扩散速度小的特性，适合作为各种光学材料、半导体制造用部件、液晶制造用部件等。
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公开(公告)号：CN101511744A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780033716.X
申请日：2007-09-11
IPC: C03B20/00
CPC classification number: C03C4/0085 , C03B19/066 , C03B20/00 , C03B2201/03 , C03B2201/04 , C03C3/06 , C03C4/10 , C03C2201/23 , C03C2201/50 , C03C2201/54 , Y02P40/57
Abstract: 一种熔融石英玻璃，其对于波长245nm的紫外光，在10mm厚度内的内透过率为95％以上，OH含量为5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为不足0.1ppm。优选该熔融石英玻璃在1215℃下的粘度系数为1011.5Pa·s以上，另外，1050℃下在大气中放置24小时的、在距表面的深度超过20μm起至100μm的区域中的Cu离子的扩散系数为1×10－10cm2/秒以下。该熔融石英玻璃通过将原料硅石粉末方英石化后在非还原性气氛中熔融而制造。该熔融石英玻璃具有紫外线、可见光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高以及金属杂质的扩散速度小的特性，适合作为各种光学材料、半导体制造用部件、液晶制造用部件等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103917487A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280054346.9
申请日：2012-09-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C01B13/32 , C01B33/113 , C01G23/04 , C07F7/10 , C07F7/18 , C07F7/28 , H01L21/316
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/113 , C07F7/003 , C07F7/025 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用使具有特定结构的亚乙烯基二酰胺络合物与氧气、空气、臭氧、水、过氧化氢等氧化剂进行反应而得到的制膜用材料。
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公开(公告)号：CN105001254A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510363768.X
申请日：2012-09-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F7/28 , C07F7/00 , C03C17/23 , H01L21/316
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/113 , C07F7/003 , C07F7/025 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 本发明涉及制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法。本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用通过将具有钛原子或锆原子且各所述金属原子利用桥氧原子进行桥联的化合物溶解于分子内含2个以上氧原子的醇，然后进行加热而得到的制膜用材料。
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公开(公告)号：CN100408497C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN03145460.7
申请日：2003-03-11
Applicant: 东曹株式会社 , 东曹石英股份有限公司 , 东曹石英素材股份有限公司
IPC: C03C4/00 , C03C3/04 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及含有Al和选自周期表第2A族元素、第3A族元素及第4A族元素中的一种以上元素(M)的高耐久性石英玻璃。优选Al和元素(M)的含量之和以金属元素总计量为基准在30原子%以上，并且Al和元素(M)的原子比在0.05～20范围。该石英玻璃为高纯度，并且在维持石英玻璃具有的良好加工性、低发尘性的情况下具有高耐久性，因此，适合作为使用卤化物气体和/或其等离子体的半导体制造装置或液晶制造装置的部件。
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公开(公告)号：CN1461740A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN03145460.7
申请日：2003-03-11
Applicant: 东曹株式会社 , 东曹石英股份有限公司 , 东曹石英素材股份有限公司
IPC: C03C4/00 , C03C3/04 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及含有Al和选自周期表第2A族元素、第3A族元素及第4A族元素中的一种以上元素(M)的高耐久性石英玻璃。优选Al和元素(M)的含量之和以金属元素总计量为基准在30原子％以上，并且Al和元素(M)的原子比在0.05～20范围。该石英玻璃为高纯度，并且在维持石英玻璃具有的良好加工性、低发尘性的情况下具有高耐久性，因此，适合作为使用卤化物气体和/或其等离子体的半导体制造装置或液晶制造装置的部件。
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公开(公告)号：CN105001254B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510363768.X
申请日：2012-09-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F7/28 , C07F7/00 , C03C17/23 , H01L21/316
Abstract: 本发明涉及制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法。本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用通过将具有钛原子或锆原子且各所述金属原子利用桥氧原子进行桥联的化合物溶解于分子内含2个以上氧原子的醇，然后进行加热而得到的制膜用材料。
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