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公开(公告)号：CN110797442A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810870606.9
申请日：2018-08-02
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种图形化衬底、LED外延片及图形化衬底制备方法，其中，图形化衬底包括：蓝宝石基板；位于所述蓝宝石基板上的图形化二氧化硅层，所述图形化二氧化硅层包括多个微结构，所述微结构带有侧壁弧度。本发明提供的图形化衬底、LED外延片及图形化衬底制备方法通过在蓝宝石基板上形成带有侧壁弧度的二氧化硅微结构，构成图形化二氧化硅层，能够利用侧壁弧度改变微结构对光的有效散射面积，从而使得以其制备而成的LED器件可以打破出光界面的全反射限制，进一步提高LED有源区的出射光出光效率，提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN107507890A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710662044.4
申请日：2017-08-04
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/44
Abstract: 一种图形化蓝宝石衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将蓝宝石衬底放入激光切割机器上进行切割，在蓝宝石衬底表面形成交错排布的周期性沟道阵列；步骤2：对带有沟道阵列的蓝宝石衬底进行清洗；步骤3：在蓝宝石衬底表面沉积一层介质薄膜层；步骤4：在沉积有介质薄膜层的蓝宝石衬底上形成掩膜图形；步骤5：将掩膜图形转移到蓝宝石衬底上，该蓝宝石衬底表面形成有微结构图形，经过清洗后，获得带有介质沟道的图形化蓝宝石。本发明有效地避免了Micro-LED光电性能损伤问题，并提高制程良率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN106443838B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201610694763.X
申请日：2016-08-22
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石摄像头镜片及其制备方法，蓝宝石基板，所述蓝宝石基板正面设有减反射纳米图形阵列，该蓝宝石背面设有中心透光区和光子晶体装饰区，中心透光区设置在蓝宝石背面的中心区域，光子晶体装饰区设在中心透光区边缘和蓝宝石基板边缘之间的区域上，该减反射纳米图形阵列、中心透光区和光子晶体装饰区构成镜片单元，先在蓝宝石基板正面制作减反射纳米图形阵列，然后再在该蓝宝石基板背面制作中心透光区和光子晶体装饰区。本发明具有高透射率、立体感强、色泽丰富的特点。
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公开(公告)号：CN106443838A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610694763.X
申请日：2016-08-22
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
CPC classification number: G02B1/005 , G02B1/02 , G02B3/0012 , G02B3/0056
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石摄像头镜片及其制备方法，蓝宝石基板，所述蓝宝石基板正面设有减反射纳米图形阵列，该蓝宝石背面设有中心透光区和光子晶体装饰区，中心透光区设置在蓝宝石背面的中心区域，光子晶体装饰区设在中心透光区边缘和蓝宝石基板边缘之间的区域上，该减反射纳米图形阵列、中心透光区和光子晶体装饰区构成镜片单元，先在蓝宝石基板正面制作减反射纳米图形阵列，然后再在该蓝宝石基板背面制作中心透光区和光子晶体装饰区。本发明具有高透射率、立体感强、色泽丰富的特点。
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公开(公告)号：CN106384712A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201611030108.0
申请日：2016-11-15
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/683 , H01L21/02 , H01L2221/683
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石衬底刻蚀用托盘凸台及其控制方法，包括托盘凸台，所述托盘凸台上设有冷却孔，托盘凸台的上端面呈下陷的凹面结构，该凹面结构呈倒锥体状，该倒锥体状的凹面结构的顶点为该凹面结构的最低点，并且该凹面结构的最低点与托盘凸台上端面的水平位置间隔10-40um。本发明有效改善蓝宝石晶片内各位置的温度，改善了感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石衬底的片内均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107561611B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201710662045.9
申请日：2017-08-04
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
IPC: G02B5/12 , H01L21/3065 , H01L21/324
Abstract: 一种蓝宝石基板的表面图案化加工方法，包括以下步骤：步骤1：对蓝宝石基板进行清洗；步骤2：在蓝宝石基板表面形成一层金属铝薄膜；步骤3：将带有金属铝薄膜的蓝宝石基板放入退火炉中，进行高温退火，在基板表面形成纳米级金属铝颗粒；步骤4：然后对带有金属铝颗粒的蓝宝石基板进行等离子体干法刻蚀，获得二维减反射微结构。本发明操作方便，普适性强，生产成本低廉，得到的蓝宝石基板具有高硬度和耐磨损等特性。
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公开(公告)号：CN108321261A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810012156.X
申请日：2018-01-05
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
Abstract: 一种图形化蓝宝石衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤一，对蓝宝石衬底进行清洗；步骤二，在蓝宝石衬底表面形成一层光刻胶掩膜图形；步骤三，将带有光刻胶掩膜图形的蓝宝石衬底放入ICP干法刻蚀设备内进行刻蚀操作，往ICP干法刻蚀设备分别通入由BCl3气体和CHF3气体形成混合气体，该混合气体中CHF3气体的输入流量与BCl3气体的输入流量的比例值小于40%大于0，刻蚀操作由主刻蚀阶段和过刻蚀阶段构成，主刻蚀时间大于过刻蚀时间，制备得到图形化蓝宝石衬底。本发明有效的解决了ICP设备产能低的问题，降低了图形化蓝宝石衬底的制备成本，提升了图形化蓝宝石衬底的制程良率。
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公开(公告)号：CN108321261B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810012156.X
申请日：2018-01-05
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
Abstract: 一种图形化蓝宝石衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤一，对蓝宝石衬底进行清洗；步骤二，在蓝宝石衬底表面形成一层光刻胶掩膜图形；步骤三，将带有光刻胶掩膜图形的蓝宝石衬底放入ICP干法刻蚀设备内进行刻蚀操作，往ICP干法刻蚀设备分别通入由BCl3气体和CHF3气体形成混合气体，该混合气体中CHF3气体的输入流量与BCl3气体的输入流量的比例值小于40%大于0，刻蚀操作由主刻蚀阶段和过刻蚀阶段构成，主刻蚀时间大于过刻蚀时间，制备得到图形化蓝宝石衬底。本发明有效的解决了ICP设备产能低的问题，降低了图形化蓝宝石衬底的制备成本，提升了图形化蓝宝石衬底的制程良率。
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公开(公告)号：CN108231657A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711398828.7
申请日：2017-12-22
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L33/20 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底刻蚀用的托盘装置及装载方法，包括托盘本体，所述托盘本体的上表面设有用于固定蓝宝石衬底置的定位凹槽，铝托盘本体的上表面和定位凹槽的表面涂覆有导热介质层，定位凹槽的深度为100微米—300微米之间，定位凹槽的宽度为105毫米—110毫米，托盘本体的边沿设有下沉区，该下沉区与托盘本体上表面的高度差为2毫米‑5毫米。本发明提高了操作的便利性，有效地保证了PSS工艺制程稳定性和产品良率。
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公开(公告)号：CN107561611A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710662045.9
申请日：2017-08-04
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
IPC: G02B5/12 , H01L21/3065 , H01L21/324
Abstract: 一种蓝宝石基板的表面图案化加工方法，包括以下步骤：步骤1：对蓝宝石基板进行清洗；步骤2：在蓝宝石基板表面形成一层金属铝薄膜；步骤3：将带有金属铝薄膜的蓝宝石基板放入退火炉中，进行高温退火，在基板表面形成纳米级金属铝颗粒；步骤4：然后对带有金属铝颗粒的蓝宝石基板进行等离子体干法刻蚀，获得二维减反射微结构。本发明操作方便，普适性强，生产成本低廉，得到的蓝宝石基板具有高硬度和耐磨损等特性。
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