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公开(公告)号：CN113889557A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010636320.1
申请日：2020-07-03
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种图形化复合衬底、LED外延片及其制备方法。该图形化复合衬底包括衬底基板、位于所述衬底基板上的多个复合微结构，所述复合微结构包括上下层叠的异质层和衬底层，所述衬底层与所述衬底基板为一体结构；所述衬底层与所述异质层相交界的表面设置有至少一个凹洞和/或至少一个凸起，所述异质层与所述衬底层构成复合微结构凸起。本发明实施例解决了现有图形化复合衬底内量子效率和光提取效率仍较低的问题，一方面能够改善外延材料的晶体质量，提升内量子效率，另一方面可以增大光反射角，提升光的提取效率，有助于改善对应制备的LED芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN112635627A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910951286.4
申请日：2019-10-08
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种图形化复合衬底及制备方法和LED外延片。该图形化复合衬底，包括：衬底基板，所述衬底基板上表面形成有阵列排布的多个凹洞，且所述凹洞的开口尺寸小于阵列排布的所述多个凹洞的周期；异质微结构，所述异质微结构填充于所述凹洞中，所述异质微结构由异质材料制成，所述异质材料的折射率低于或高于所述衬底基板的折射率。本发明实施例解决了现有图形化复合衬底的C面存在缺陷且出光效率率较低的问题，可以保证图形化复合衬底C面的质量，降低外延中位错密度；同时还可以改善衬底基板和外延层界面之间的折射率差，增加光出射的几率，保证光的提取效率。
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公开(公告)号：CN108321261B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810012156.X
申请日：2018-01-05
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
Abstract: 一种图形化蓝宝石衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤一，对蓝宝石衬底进行清洗；步骤二，在蓝宝石衬底表面形成一层光刻胶掩膜图形；步骤三，将带有光刻胶掩膜图形的蓝宝石衬底放入ICP干法刻蚀设备内进行刻蚀操作，往ICP干法刻蚀设备分别通入由BCl3气体和CHF3气体形成混合气体，该混合气体中CHF3气体的输入流量与BCl3气体的输入流量的比例值小于40%大于0，刻蚀操作由主刻蚀阶段和过刻蚀阶段构成，主刻蚀时间大于过刻蚀时间，制备得到图形化蓝宝石衬底。本发明有效的解决了ICP设备产能低的问题，降低了图形化蓝宝石衬底的制备成本，提升了图形化蓝宝石衬底的制程良率。
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公开(公告)号：CN108231657A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711398828.7
申请日：2017-12-22
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L33/20 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底刻蚀用的托盘装置及装载方法，包括托盘本体，所述托盘本体的上表面设有用于固定蓝宝石衬底置的定位凹槽，铝托盘本体的上表面和定位凹槽的表面涂覆有导热介质层，定位凹槽的深度为100微米—300微米之间，定位凹槽的宽度为105毫米—110毫米，托盘本体的边沿设有下沉区，该下沉区与托盘本体上表面的高度差为2毫米‑5毫米。本发明提高了操作的便利性，有效地保证了PSS工艺制程稳定性和产品良率。
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公开(公告)号：CN107561611A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710662045.9
申请日：2017-08-04
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
IPC: G02B5/12 , H01L21/3065 , H01L21/324
Abstract: 一种蓝宝石基板的表面图案化加工方法，包括以下步骤：步骤1：对蓝宝石基板进行清洗；步骤2：在蓝宝石基板表面形成一层金属铝薄膜；步骤3：将带有金属铝薄膜的蓝宝石基板放入退火炉中，进行高温退火，在基板表面形成纳米级金属铝颗粒；步骤4：然后对带有金属铝颗粒的蓝宝石基板进行等离子体干法刻蚀，获得二维减反射微结构。本发明操作方便，普适性强，生产成本低廉，得到的蓝宝石基板具有高硬度和耐磨损等特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114078991A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010849930.X
申请日：2020-08-21
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种图形化衬底的制备方法和匀胶系统。该图形化衬底的制备方法包括：依次在多个平片衬底上匀胶光刻胶层；对多个平片衬底上的光刻胶层进行膜厚检测，获得膜厚参数；根据光刻胶层的膜厚参数，对多个平片衬底进行分类；采用匀胶后的平片衬底所属类型对应的曝光参数，对每片平片衬底的光刻胶层进行曝光显影，和/或，采用匀胶后的平片衬底所属类型对应的刻蚀参数，对黄光制程后的平片衬底进行刻蚀。本发明实施例解决了现有制备工艺所制备的不同成品片微结构图形差异较大的问题，能够避免光刻胶层厚度差异对图形结构的影响，保证成品片各片间的微结构图形的底径、高度、侧壁弧度等存在较小误差，实现同类规格成品片的高集中度。
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公开(公告)号：CN106443838B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201610694763.X
申请日：2016-08-22
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石摄像头镜片及其制备方法，蓝宝石基板，所述蓝宝石基板正面设有减反射纳米图形阵列，该蓝宝石背面设有中心透光区和光子晶体装饰区，中心透光区设置在蓝宝石背面的中心区域，光子晶体装饰区设在中心透光区边缘和蓝宝石基板边缘之间的区域上，该减反射纳米图形阵列、中心透光区和光子晶体装饰区构成镜片单元，先在蓝宝石基板正面制作减反射纳米图形阵列，然后再在该蓝宝石基板背面制作中心透光区和光子晶体装饰区。本发明具有高透射率、立体感强、色泽丰富的特点。
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公开(公告)号：CN106443838A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610694763.X
申请日：2016-08-22
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
CPC classification number: G02B1/005 , G02B1/02 , G02B3/0012 , G02B3/0056
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石摄像头镜片及其制备方法，蓝宝石基板，所述蓝宝石基板正面设有减反射纳米图形阵列，该蓝宝石背面设有中心透光区和光子晶体装饰区，中心透光区设置在蓝宝石背面的中心区域，光子晶体装饰区设在中心透光区边缘和蓝宝石基板边缘之间的区域上，该减反射纳米图形阵列、中心透光区和光子晶体装饰区构成镜片单元，先在蓝宝石基板正面制作减反射纳米图形阵列，然后再在该蓝宝石基板背面制作中心透光区和光子晶体装饰区。本发明具有高透射率、立体感强、色泽丰富的特点。
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公开(公告)号：CN114203874A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010979348.5
申请日：2020-09-17
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片。该图形化复合衬底的制备方法包括：在衬底基板上形成第一异质层；在第一异质层上形成第二异质层，第二异质层中掺杂有硼、磷或锗中的至少一种元素；对第二异质层进行高温退火平坦化处理；在第二异质层表面形成光刻胶层；通过图形转移技术，使光刻胶层形成光刻胶胶柱掩膜；根据光刻胶胶柱掩膜，对第二异质层、第一异质层和衬底基板进行图形化，形成图形化复合衬底。本发明实施例解决了现有的异质层表面平坦度低和粗糙度差的问题，能够制备形成符合标准的图形化复合衬底，有利于改善外延层生长质量，同时保证图形化复合衬底对光线路径的改善，提高LED芯片的光出射效率。
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公开(公告)号：CN114171649A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010947179.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 东莞市中图半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种包裹式图形化复合衬底、制备方法及LED外延片。该包裹式图形化复合衬底包括衬底基板以及形成于衬底基板上的多个复合图形微结构；复合图形微结构包括中心凸起微结构和火山口型环状凸起微结构，中心凸起微结构的底部与衬底基板一体连接，火山口型凸起微结构采用异质材料制成；火山口型环状凸起微结构围绕中心凸起微结构设置，且包裹中心凸起微结构的底部，露出中心凸起微结构的顶部。本发明实施例解决了现有图形化复合衬底的C面存在缺陷且光出射效率较低的问题，可以提高复合图形化微结构中存在折射率差的界面面积及其倾斜角度，提升光的出射几率；同时可以降低外延生长时外延材料的位错密度，提高外延材料结晶质量。
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