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公开(公告)号：CN103094173B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210559394.5
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种多夹头晶片夹具，通过施力于夹臂控制夹头，减小各夹头之间距使其合拢并接触晶片的侧边缘，来完成夹片操作。本发明包含有四个及以上夹头，夹头安装在夹臂末端，在其一个及以上夹臂末端上可安装多个夹头，形成多夹头夹具，部分夹臂相对固定，其余夹臂可定向移动带动夹头靠拢、接触晶片侧边缘实施夹取操作，夹臂之间形成有夹角。本发明的多夹头夹具，仅需其中三个夹头作用在晶片上，便能达到夹具的作用，从而降低对夹头的控制精确度的要求及夹持晶片的操控难度，提高安全性。
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公开(公告)号：CN103103501A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310012409.0
申请日：2013-01-14
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/455 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种材料气相外延用扇形喷头结构，使第一前驱物、第二前驱物、各种保护性气体在大面积反应区域内充分混合后形成较为均匀的流场。本发明包含有一个以上进气管道，进气管道上设有检测并控制进气流速和流量的控制器，喷头腔体内设有一个以上扇形的独立隔离区域，隔离区域顶端密封板连接一个进气管道，隔离区域底端的出气挡板上设有一个及以上的气体喷口，喷头下面设有圆形反应腔。本发明实现Ⅲ族-氮化物半导体材料的大批量生产，提高Ⅲ族-氮化物半导体材料的生产效率。
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公开(公告)号：CN104178746B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410398217.2
申请日：2014-08-13
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种涉及气态反应物(简称第一前驱物)和固态或液态反应物(简称第二前驱物)参与反应的反应装置，特殊的导流管和挡板结构，有利于反应物的充分接触，有效解决了第一前驱物利用率不高，第二前驱物消耗对第一前驱物转化率影响大等问题。高转化率有利于降低生产成本，稳定的反应率有利于降低工艺难度。
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公开(公告)号：CN104178746A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410398217.2
申请日：2014-08-13
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种涉及气态反应物(简称第一前驱物)和固态或液态反应物(简称第二前驱物)参与反应的反应装置，特殊的导流管和挡板结构，有利于反应物的充分接触，有效解决了第一前驱物利用率不高，第二前驱物消耗对第一前驱物转化率影响大等问题。高转化率有利于降低生产成本，稳定的反应率有利于降低工艺难度。
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公开(公告)号：CN103094175A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210559456.2
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种晶片专用三夹头夹具，通过夹臂减小三夹头之间的间距，三夹头仅与样品侧边缘接触而不直接接触晶面即可完成夹持操作。本发明包含有夹臂、三个夹头，夹臂末端设有夹头，其中一个夹臂上安装1或2个夹头，夹具设有3条或2条夹臂，各夹臂间相互连接，夹臂间相互连接处在夹臂中部或夹臂首端。本发明通过夹头与夹臂的巧妙组合，避免夹头与晶片正面的直接接触，从而减少晶面的接触源并避免了夹头直接施力于晶面易导致晶面被划伤、污染等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103014846A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201310012478.1
申请日：2013-01-14
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种材料气相外延用同心圆环喷头结构，解决在较大的衬底或多片衬底的晶体生长中，在大面积沉积区域提供前驱物混合气体的均匀流场问题。本发明包含有一个以上独立的进气管道，进气管道上设有监控调节进气流速和流量的控制器，喷头底部设有出气挡板，喷头内设有一个以上同心圆环，各同心圆环之间形成独立腔体并且相互隔离，各同心圆环顶端连接一个独立的进气管道，各同心圆环底端的出气挡板上设有一个及以上的出气孔。本发明通过各路气源彼此隔离并独立管控，以及多个喷头集成使用的方式，明显改善大面积沉底的生长晶体质量，大幅提高生产效率。
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公开(公告)号：CN103034252B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210559376.7
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: G05D9/12
Abstract: 本发明公开了一种高温环境下使用的液位控制装置，其耐高温，结构简单，成本低廉。本发明包含有液源容纳区，液源容纳区通过进液通道连通液槽，液源容纳区的液面高于液槽的液面，进液通道内设有密封模块，密封模块与进液通道可密闭配合，密封模块连接控制模块，控制模块位于液槽内，控制模块将液位信息转化为信号传递到密封模块，控制模块传递给密封模块的信号是力信号、位置信号、形变信号，控制模块上设有一个及以上可增减或更换的重块。本发明通过选材、原理结构和密封面处理，实现了对高温液体的液位控制。
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公开(公告)号：CN103094174A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210559395.X
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种操作简易的晶片夹具，可以提高工作效率、节省人力成本、提高夹持工序的安全性。本发明包含有2个及以上的夹臂和夹头，夹臂之间相互连接形成连接端，夹臂另一端的自由端安装衔接有夹头，其中一个夹臂上安装一个以上夹头，夹臂中一些夹臂在夹取操作中其位置相对固定不变，为固定夹臂，另外的夹臂则相对于固定夹臂其位置在变动，为运动夹臂；运动夹臂带动夹头向固定夹臂移动，固定夹臂在夹具的夹取中起到定位作用。本发明操作简单容易，提高设备定位精度，简化设备控制系统的复杂程度，进而降低成本。
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公开(公告)号：CN103060906A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310012395.2
申请日：2013-01-14
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C30B25/14 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种材料气相外延用方形喷头结构，解决在较大的衬底和较大的沉积区域之上提供均匀的前驱物混合问题。本发明方形喷头内设有多个相互独立的隔离区域，隔离区域呈上下结构依层排布，方形喷头顶部设有与隔离区域连通的输入管道，隔离区域底部设有多个气体喷管，气体喷管的喷口设于方形喷头底部。本发明通过方形的喷头结构，独立的隔离区域，以及多个喷头联合使用的方式，可使前驱物以及各种气体混合后均匀沉积在衬底表面，并提高生产效率。
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公开(公告)号：CN103094175B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201210559456.2
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种晶片专用三夹头夹具，通过夹臂减小三夹头之间的间距，三夹头仅与样品侧边缘接触而不直接接触晶面即可完成夹持操作。本发明包含有夹臂、三个夹头，夹臂末端设有夹头，其中一个夹臂上安装1或2个夹头，夹具设有3条或2条夹臂，各夹臂间相互连接，夹臂间相互连接处在夹臂中部或夹臂首端。本发明通过夹头与夹臂的巧妙组合，避免夹头与晶片正面的直接接触，从而减少晶面的接触源并避免了夹头直接施力于晶面易导致晶面被划伤、污染等问题。
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