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公开(公告)号：CN114591082A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210411261.7
申请日：2022-04-19
Applicant: 东莞理工学院
IPC: C04B35/491 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01L41/187
Abstract: 本发明属于压电陶瓷技术领域，具体涉及一种PZT‑PNN‑PSN‑PMN压电陶瓷及其制备方法，其技术要点如下：陶瓷粉末的分子式为Pb0.92Sr0.08（Zr0.48Ti0.52）0.96‑x（Ni1/3Nb2/3）x（Sb1/2Nb1/2）0.03（Mg1/3Nb2/3）0.01O3，0.15＜x＜0.25。本发明提供的PZT‑PNN‑PSN‑PMN压电陶瓷及其制备方法，通过低熔沸点金属和高熔沸点金属的掺杂量对预烧结和烧结过程中的升温速率和保温时间进行精确计算和控制，在避免低熔沸点金属挥发逸出的情况下，保证了晶粒尺寸的均匀性，提高了由于Ni的掺杂降低的体积密度，有效提高三元压电陶瓷的介电常数和压电常数。
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