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公开(公告)号：CN108732685A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710279283.1
申请日：2017-04-25
Applicant: 中兴光电子技术有限公司 , 上海交通大学
IPC: G02B6/293
Abstract: 本文公开了一种基于亚波长光栅的定向耦合器，包括：第一波导(101)和具有亚波长光栅SWG结构的第二波导(102)；所述第一波导(101)用于将从所述第一波导(101)的第一端口入射的不满足两波导之间耦合条件的波长信号从所述第一波导(101)的第二端口直通输出；所述第二波导(102)用于将从所述第一波导(101)的第一端口入射的满足两波导之间耦合条件的特定波长信号反向耦合至所述第二波导(102)的下载端口并输出。本文的技术方案能够降低波分复用系统中波长信道间的串扰，提高数据传输容量。
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公开(公告)号：CN113009621B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201911316368.8
申请日：2019-12-19
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种定向耦合器及其分束器。其中，所述定向耦合器包括：由第一弯曲波导、第一直波导、第二弯曲波导、第二直波导和第三弯曲波导依次连接而形成的第一移相臂，以及由第四弯曲波导、第五弯曲波导和第六弯曲波导依次连接而形成的第二移相臂，并且，第一弯曲波导与第六弯曲波导中心对称，第二弯曲波导与第五弯曲波导中心对称，第三弯曲波导与第四弯曲波导中心对称，第一直波导和第二直波导平行且长度相等，第一直波导和第二直波导均垂直于由第一耦合波导区往第二耦合波导区的方向。本申请实施例中，能够在保持具有较大带宽的情况下，减小器件的长度，保证相位的精度。
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公开(公告)号：CN111352187B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN201811573179.4
申请日：2018-12-21
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
IPC: G02B6/24
Abstract: 本发明实施例公开了一种波导终结器、光通信器件及光终结的方法，其中该波导终结器，包括：掺杂波导和反射装置；所述掺杂波导一端为输入端口，另一端与反射装置连接；所述输入端口中进入的光经过所述掺杂波导吸收后进入反射装置，并由反射装置反射回所述掺杂波导进行二次吸收直至终结。如此，通过反射装置使光再次进入到波导终结器中进行二次消光，既保证了末端的余光不会杂散在波导外部，又可以实现波导终结器的二次利用。
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公开(公告)号：CN111352187A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811573179.4
申请日：2018-12-21
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
IPC: G02B6/24
Abstract: 本发明实施例公开了一种波导终结器、光通信器件及光终结的方法，其中该波导终结器，包括：掺杂波导和反射装置；所述掺杂波导一端为输入端口，另一端与反射装置连接；所述输入端口中进入的光经过所述掺杂波导吸收后进入反射装置，并由反射装置反射回所述掺杂波导进行二次吸收直至终结。如此，通过反射装置使光再次进入到波导终结器中进行二次消光，既保证了末端的余光不会杂散在波导外部，又可以实现波导终结器的二次利用。
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公开(公告)号：CN110061774A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201810053895.3
申请日：2018-01-19
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
IPC: H04B10/079 , G02B6/42
Abstract: 本发明公开了一种消除偏振相关损耗的功率监测方法及其装置。该方法，包括：通过获取偏振分束器分出的横电场TE光；将所述TE光通过在硅基片上集成的偏振相关损耗消除器，获得消除偏振相关损耗的TE光，所述偏振相关损耗消除器，至少包括：一弯曲硅波导，根据所述消除偏振相关损耗的TE光，确定所述消除偏振相关损耗的TE光的功率值。通过在硅基片上集成的弯曲硅波导实现了对偏振相关损耗的消除，从而提高了对相干接收机进行功率检测的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109946856A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201711381951.8
申请日：2017-12-20
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种光偏振调制器及其实现光偏振调制的方法，涉及光通信领域。本发明公开的光偏振调制器，包括输入波导、光分束器、相移臂、光合束器和输出波导，其中：所述光分束器，将通过所述输入波导输入的光信号分为两束能量相同的光信号，传输至所述相移臂；所述相移臂，根据接收到的电学信号调整加载相位差，按照所述加载相位差调整输入的两束光信号之间的相位差，并输出至所述光合束器；所述光合束器，将所述相移臂输出的两束光信号进行合束及模式演化后通过所述输出波导输出一束光信号。本申请技术方案实现了基于波导结构的光偏振调制，可与现有的CMOS工艺兼容，并且可以达到大规模、低成本的量产。
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公开(公告)号：CN109298547A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710607024.7
申请日：2017-07-24
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
IPC: G02F1/01
Abstract: 本申请提出一种太赫兹调制器和调制方法，包括：波导硅层、石墨烯层、电极和绝缘层；两层石墨烯层之间设置绝缘层，每层石墨烯层的外侧设置波导硅层，每层石墨烯层上设置电极。由于石墨烯是目前发现的电子迁移率最高的材料，因此采用石墨烯作为调制媒质可有效提高太赫兹调制器的调制速度。采用波导结构并从侧面入射太赫兹波，可以更加有效地增强媒质对太赫兹载波的吸收进而改善太赫兹调制器的调制深度，提高了太赫兹调制器的调制速度，本发明采用无谐振特性的波导结构，故本发明所提出的太赫兹调制器具有宽带工作性能。
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公开(公告)号：CN118282517A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211729283.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
IPC: H04B10/40 , H04B10/516
Abstract: 本申请提供了一种带宽调节方法、硅光芯片及硅光收发组件。通过载流子耗尽型轨迹调制器获取目标电光带宽，通过硅基集成锗探测器获取目标光电带宽，再根据目标电光带宽和目标光电带宽，调节对应的硅光芯片的带宽，实现对硅光芯片的带宽调节，匹配不同带宽的开发需求，减少为应对不同带宽需求的单独产品开发，降低流片成本。还通过调整载流子耗尽型轨迹调制器的调制器特征，获取目标电光带宽的值和调整速率，通过调整硅基集成锗探测器的探测器特征，获取目标光电带宽的值和调整速率，获得所需的硅光芯片的带宽调整范围和调整速率，能够匹配更多不同带宽的开发需求。
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公开(公告)号：CN117908185A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211232395.9
申请日：2022-10-10
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种光功率耦合器，光功率耦合器包括第一薄膜铌酸锂波导和第二薄膜铌酸锂波导，第一薄膜铌酸锂波导包括依次连接的第一绝热耦合波导段和第一弯曲波导段，第二薄膜铌酸锂波导包括依次连接的第二绝热耦合波导段和第二弯曲波导段，第一绝热耦合波导段和第二绝热耦合波导段并排设置在二氧化硅包层内，第一绝热耦合波导段的宽度变化趋势和第二绝热耦合波导段的宽度变化趋势相反，第一弯曲波导段和第二弯曲波导段往不同方向延伸以分离输出光功率；第一薄膜铌酸锂波导和第二薄膜铌酸锂波导的厚度范围是300nm至500nm。利用了薄膜铌酸锂材料的特性，增强波导的传输能力，实现较大的工艺容差、超低的光传输损耗和高速的信号处理能力。
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公开(公告)号：CN115758978A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111027231.8
申请日：2021-09-02
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种版图检测方法、装置和计算机可读存储介质，方法包括：获取待测图形；根据待测图形得到多个图形特征；获取图形错误特点；根据图形错误特点对图形特征进行筛选，得到指定特征；将指定特征对应的版图位置标记为版图错误。在使用上述版图检测方法对待测图形进行检测，能够针对版图绘制过程中出现的一些在设计规则之外的错误类型进行检查，避免了人工检查导致的效率低以及检查错漏等问题。
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