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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118655743B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411139176.5
申请日：2024-08-20
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及非金属元素碳基荧光材料领域，尤其涉及一种基于光刻、退火的碳基荧光材料图案化方法及其应用。本发明所述的方法是利用匀胶机将SU‑8旋涂于预先准备的硅片衬底上，通过掩膜曝光和显影的过程制备出图案化的SU‑8薄膜，将图案化的SU‑8薄膜放入真空退火炉中，在高温下SU‑8发生分解和交联反应，最后致使SU‑8转变为碳基材料，成功制备出图案化的碳基荧光薄膜。本发明独特的退火过程改善了材料的化学键结构，这不仅提升了材料的化学稳定性，也优化了其光学属性。因此，通过本发明，可以在不牺牲任何光学性能的情况下，实现复杂图案的高质量制备。
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公开(公告)号：CN115810921B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310086148.0
申请日：2023-02-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于太赫兹吸波技术领域，具体为一种石墨烯/介质多层叠加的柔性太赫兹吸波器及其制备方法。吸波器由七层主要结构构成，从上至下依次为石墨烯薄膜层、PI层、石墨烯薄膜层、PI层、石墨烯薄膜层、PI层和金属层，层与层之间旋涂薄层聚二甲基硅氧烷作为粘结剂。本发明设计多层结构，结合湿法腐蚀工艺和表面活化技术，获得柔性太赫兹吸波器件，利用多层结构干涉相消机制与石墨烯表面等离激元共振对电磁波产生强耦合，实现0.2～2.5THz内的高效吸收。有效解决传统太赫兹吸波结构吸收率低、工艺复杂等难题，得到结构简单、高效吸收、能共形贴附于异形曲面等复杂应用场景的太赫兹吸波器。
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公开(公告)号：CN115810921A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202310086148.0
申请日：2023-02-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于太赫兹吸波技术领域，具体为一种石墨烯/介质多层叠加的柔性太赫兹吸波器及其制备方法。吸波器由七层主要结构构成，从上至下依次为石墨烯薄膜层、PI层、石墨烯薄膜层、PI层、石墨烯薄膜层、PI层和金属层，层与层之间旋涂薄层聚二甲基硅氧烷作为粘结剂。本发明设计多层结构，结合湿法腐蚀工艺和表面活化技术，获得柔性太赫兹吸波器件，利用多层结构干涉相消机制与石墨烯表面等离激元共振对电磁波产生强耦合，实现0.2～2.5THz内的高效吸收。有效解决传统太赫兹吸波结构吸收率低、工艺复杂等难题，得到结构简单、高效吸收、能共形贴附于异形曲面等复杂应用场景的太赫兹吸波器。
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公开(公告)号：CN118655743A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411139176.5
申请日：2024-08-20
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及非金属元素碳基荧光材料领域，尤其涉及一种基于光刻、退火的碳基荧光材料图案化方法及其应用。本发明所述的方法是利用匀胶机将SU‑8旋涂于预先准备的硅片衬底上，通过掩膜曝光和显影的过程制备出图案化的SU‑8薄膜，将图案化的SU‑8薄膜放入真空退火炉中，在高温下SU‑8发生分解和交联反应，最后致使SU‑8转变为碳基材料，成功制备出图案化的碳基荧光薄膜。本发明独特的退火过程改善了材料的化学键结构，这不仅提升了材料的化学稳定性，也优化了其光学属性。因此，通过本发明，可以在不牺牲任何光学性能的情况下，实现复杂图案的高质量制备。
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公开(公告)号：CN116337995A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310374459.7
申请日：2023-04-10
Applicant: 中北大学
IPC: G01N29/036 , B81B7/02
Abstract: 本申请实施例提供一种谐振式NO2气体传感结构，包括：栅极基底；绝缘层：设置于栅极基底上；电极层：设置于绝缘层上，主要由间隔位于绝缘层上的源极电极和漏极电极构成；沟道：设置于绝缘层上，且位于源极电极和漏极电极之间；石墨烯单层薄膜：设置于电极层上，且悬浮于沟道的上方；本申请中的气体传感结构，结构和制备工艺简单，制备成本低，功耗低，气体质量灵敏度高，兼容性强利于集成，能够实现批量化制备。
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