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公开(公告)号：CN119756670A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411674146.4
申请日：2024-11-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及压阻式压力传感器信号调理领域，高温测试环境中，压力传感器敏感芯片的电桥输出零位和灵敏度电压都会随测试温度变化而产生漂移，影响测量精度，本发明提供一种压阻式压力传感器无源电阻网络温度补偿方法，采用低温度系数电阻网络补偿模型，根据压阻式压力传感器的常温初始零位电压的正负选取对应的补偿模型，利用补偿模型实现电桥零位温度漂移补偿和电桥灵敏度温度漂移补偿，使得压阻式压力传感器在初始压力加载下输出电压不随温度变化，压阻式压力传感器在变化压力加载下输出电压不随温度变化，本发明基于压阻式压力传感器封装后的实际测量数据，克服压阻式压力传感器封装的残余应力、电桥自身参数偏移等影响，实现高精度温度补偿。
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公开(公告)号：CN119307257A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411387098.0
申请日：2024-09-30
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开了一种天然荧光基碳量子点及其钙钛矿太阳能电池空穴传输层、活性层和电子传输层，该天然荧光基碳量子点通过如下步骤制备所得：称取适量罗丹明B和罗丹明6G，于研钵中研磨混合均匀，溶于氨水中，加入PEG，超声分散至溶液完全均匀后，置于高温反应釜中，溶剂热反应5‑11小时；调整反应所得液体的pH值，离心，抽滤，除去固体颗粒后，超声处理；将溶液置于透析袋中透析1‑3天后，适当浓缩，冷冻干燥，即得。本发明的天然荧光基碳量子点具有良好的导电性，在活性层和电子传输层界面辅助形成介孔结构后，与两层的材料共同形成独特的结构，在不影响电荷转移效率的前提下钝化界面和活性层的缺陷，提高钙钛矿电池的性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN118676036B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411160490.1
申请日：2024-08-22
Applicant: 中北大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/308
Abstract: 本发明的目的在于提供一种硅的高均匀性湿法腐蚀装置及方法，属于半导体芯片制造技术领域，所述装置包括水浴锅，所述水浴锅内设有烧杯，所述烧杯内设有用于夹持硅片的聚四氟乙烯材料制作的夹具，所述夹具包括夹持件，所述夹持件包括通过螺栓连接的上夹持件和下夹持件，所述上夹持件的顶端设有上螺杆，所述夹持件的底部设有过滤板，下夹持件与过滤板之间通过中螺杆连接，过滤板的底部设有下螺杆。通过该装置及方法，能够提升湿法腐蚀均匀性、改善湿法腐蚀形貌，通过缓解腐蚀液流速，加速生成沉淀物和气体溢出，达到提高整片晶圆深硅腐蚀均匀性同时改善形貌的效果。
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公开(公告)号：CN118387830A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410289597.X
申请日：2024-03-14
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于量子传感相关的微型原子气室领域，具体涉及一种制备实现六面通光的微型原子气室的方法；包括清洗5片晶圆；通道层玻璃晶圆打孔、抛光；第一次连接层硅晶圆阳极键合；第一次连接层硅晶圆光刻；第一次连接层硅晶圆深硅刻蚀；第二次连接层硅晶圆阳极键合；第二次连接层硅晶圆光刻；第二次连接层硅晶圆深硅刻蚀；第一次盖板玻璃晶圆阳极键合；通道层玻璃晶圆的方形通孔内注入碱金属；第二次盖板玻璃晶圆阳极键合；晶圆切割；切割面抛光；采用MEMS工艺制作出完全规则的六面通光的正方体结构，每一个气室尺寸都保持一致，与传统工艺实现的玻璃气室相比，具备更稳定的热传导通道，参数更稳定。
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公开(公告)号：CN117388772A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311224447.2
申请日：2023-09-21
Applicant: 中北大学
IPC: G01R33/032 , G01R33/12
Abstract: 一种用于原子磁强计的超表面集成反射型气室，属于原子磁强计技术领域，可解决现有原子磁强计的信号强度低，集成度低的问题，包括玻璃套筒，所述玻璃套筒内部填充有硅，玻璃套筒的外侧表面一端设有超表面，另一端设有光电探测器，超表面的上方设有四分之一波片，四分之一波片的上方设有激光器，玻璃套筒的两端套设有亥姆霍兹线圈。本发明的超表面可以实现湿法腐蚀长光学长度原子气室所需的19.48°的特殊偏转角，所提出的超表面在实现较大偏转角度的同时保持较高的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117354975A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311224413.3
申请日：2023-09-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于CPT原子钟的VCSEL加热和温度检测装置，属于原子钟技术领域，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板上设有感温区和加热区，所述感温区位于陶瓷基板的中心，加热区位于感温区的两侧，所述感温区包括呈几字型布置的铂薄膜金属线，加热区包括呈蛇形布置的铜薄膜金属线，感温区的中心设有垂直腔面发射激光器。本发明通过将感温区和加热区集成在一个陶瓷基底上，通过感温区的电流控制输入给加热区的电流，从而维持原子钟的温度恒定。相较于传统NTC热敏电阻的方式减少了体积，满足了CPT原子钟体积的微型化、功耗低的基本要求，供热速度快，同时，使物理封装更加便捷。
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公开(公告)号：CN119764870A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510270403.6
申请日：2025-03-07
Applicant: 中北大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于ITO电阻损耗的宽带极化不敏感赫兹吸波材料，属于大赫兹吸波材料技术领域，旨在解决现有太赫兹吸波材料在宽频吸收能力、斜入射角适应性、极化不敏感性及结构轻量化等方面的不足。所述吸波材料，从上至下依次包括四层由ITO贴片单元组成的ITO电阻损耗层，每层ITO电阻损耗层粘附在PET双面胶层上，并通过PS泡沫介质层进行分割。该结构实现了极化不敏感特性，消除了现有吸波材料对极化角度依赖的问题。
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公开(公告)号：CN119805678A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510293098.2
申请日：2025-03-13
Applicant: 中北大学
IPC: G02B6/38
Abstract: 本发明提供一种光纤垂直集成单元及制作方法，其中，方法包括：设置于平面芯片上的搭载有光纤插芯的光纤插芯固定基座，所述光纤插芯中穿设有光纤单体；其中，所述光纤插芯固定基座靠近所述平面芯片的第一面设置有对应第一尺寸的胶体填充槽，所述光纤插芯固定基座远离所述平面芯片的第二面设置有与所述胶体填充槽同心且连通的对应第二尺寸的光纤插芯限位孔，所述光纤插芯穿设所述光纤插芯限位孔至所述光纤插芯的端部伸入所述胶体填充槽中、并将所述光纤单体抵接于所述平面芯片，所述光纤插芯与所述胶体填充槽之间形成的间隔空间中设置有高温胶层。
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公开(公告)号：CN119178552A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411092365.1
申请日：2024-08-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种电容薄膜真空计及其制备方法，属于半导体制造技术领域，所述电容薄膜真空计耐高温耐腐蚀，本发明在工艺制造阶段将室温激光键合技术和真空下高温高压条件对单晶碳化硅等材料的直接键合技术结合，完成了碳化硅等耐高温耐腐蚀的透明单晶材料三层结构的连接问题，避免了金属在单晶材料高温键合条件下的失效问题，同时，保证了真空腔的真空度、键合强度和真空计的稳定性。
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公开(公告)号：CN118676036A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411160490.1
申请日：2024-08-22
Applicant: 中北大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/308
Abstract: 本发明的目的在于提供一种硅的高均匀性湿法腐蚀装置及方法，属于半导体芯片制造技术领域，所述装置包括水浴锅，所述水浴锅内设有烧杯，所述烧杯内设有用于夹持硅片的聚四氟乙烯材料制作的夹具，所述夹具包括夹持件，所述夹持件包括通过螺栓连接的上夹持件和下夹持件，所述上夹持件的顶端设有上螺杆，所述夹持件的底部设有过滤板，下夹持件与过滤板之间通过中螺杆连接，过滤板的底部设有下螺杆。通过该装置及方法，能够提升湿法腐蚀均匀性、改善湿法腐蚀形貌，通过缓解腐蚀液流速，加速生成沉淀物和气体溢出，达到提高整片晶圆深硅腐蚀均匀性同时改善形貌的效果。
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